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MoS2吸附去除水中Cu（Ⅱ）的机制研究 被引量：3
1
作者 修其慧 邓晓燕 +1 位作者 戴冬梅 高洪涛 《青岛科技大学学报（自然科学版）》 CAS 2019年第5期31-36,43,共7页
采用一步水热法制备纳米MoS2,对水中Cu(Ⅱ)有较好的吸附去除效果。Cu(Ⅱ)的最大吸附去除量221.3 mg g^-1。采用表面络合模型(SCFM)描述Cu(Ⅱ)在MoS 2吸附剂表面上的吸附机制。实验表明:MoS2对Cu(Ⅱ)的吸附过程包括物理和化学两种吸附作... 采用一步水热法制备纳米MoS2,对水中Cu(Ⅱ)有较好的吸附去除效果。Cu(Ⅱ)的最大吸附去除量221.3 mg g^-1。采用表面络合模型(SCFM)描述Cu(Ⅱ)在MoS 2吸附剂表面上的吸附机制。实验表明:MoS2对Cu(Ⅱ)的吸附过程包括物理和化学两种吸附作用,化学吸附是主要的吸附作用,决定了Cu(Ⅱ)的吸附去除效果。 展开更多
关键词 纳米MoS2 Cu(Ⅱ) 表面络合模型(scfm)
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一种具备长期失效短路能力的弹性压接型IGBT器件 被引量：2
2
作者 童颜 刘克明 +3 位作者 莫申扬 骆健 周国华 邓二平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第12期1090-1096,共7页
压接型IGBT器件的失效短路模式(SCFM)可使其在失效之后仍能保持短路特性,在大规模器件串联应用中具有非常独特的优势,能够显著提高基于电压源换流器的高压直流(VSC-HVDC)(柔性直流)输电领域电力电子设备的可靠性。弹性压接器件由于封装... 压接型IGBT器件的失效短路模式(SCFM)可使其在失效之后仍能保持短路特性,在大规模器件串联应用中具有非常独特的优势,能够显著提高基于电压源换流器的高压直流(VSC-HVDC)(柔性直流)输电领域电力电子设备的可靠性。弹性压接器件由于封装结构限制,很难实现长期稳定运行。提出了一种新型弹性压接封装结构,采用失效短路电流再分配的方案,通过理论分析、仿真对比、试验测试等手段对该方案进行失效短路能力评估,相较传统结构导电片在1900 A、1 min熔断,优化后的导电片在2250 A、2 h下能够稳定保持最高温度≤200℃,为压接器件的开发提供了新的研究方向。 展开更多
关键词 压接型IGBT器件 弹性压接 失效短路模式(scfm) 电流再分配 长期稳定运行
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浅谈乘用车整车气密性改进 被引量：3
3
作者 孙文书 孟详新 程国中 《汽车实用技术》 2016年第1期111-113,共3页
文章介绍了气密性对汽车NVH的重要性,阐述了气密性试验的方法,并详细描述整车开发中如何从车身结构设计、涂胶和PVC定义等方面提升气密性。通过行业对标,总结了气密性重点控制部位、漏气量及质量一致性的控制手段。
关键词 标准立方英尺每分钟
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为耐用和可靠而设计的4．5kV压接式封装IGBT 被引量：3
4
作者 S.埃克尔 M.雷西莫 +4 位作者 E.齐普拉柯夫 D.施内德 U.施拉普巴赫 E.卡洛尔 梁苏军 《电力电子》 2004年第6期27-32,共6页
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发... 介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT由于其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折中平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都是基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计同二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。 展开更多
关键词 IGBT 压接式封装 压接式封装IGBT 功率循环 短路失效模式 模块化率 安全工作区
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为耐用和可靠而设计的4．5kV压接式封装IGBT(英文) 被引量：1
5
作者 S.埃克尔 M.雷西莫 +3 位作者 E.齐普拉柯夫 D.施内德 U.施拉普巴赫 E.卡洛尔 《电力电子》 2004年第5期56-63,共8页
介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发... 介绍了额定电压达4500V、额定电流达2000A的新型压接式封装IGBT(PPI)。在这种新器件的开发期间,特别强调系统制造商易于使用的可选用性。为了便于把压接式封装的IGBT紧固在长的骨架上,其机械设计是精心优化的。即使在骨架上的紧固会发生某些不均匀现象,这种压接式封装的IGBT因其独特的设计,对每个芯片都用单独的压针压紧,因而它们都会发挥其完善的功能。进而,材料的选择也得到优化,以保证在野外也能达到极高的可靠性。在功率循环次数及在故障情况下运行之间的折衷平衡点亦已被推向新的限界。这里的IGBT和二极管二者的芯片都基于SPT(软穿通)技术。先进的IGBT平面元胞设计与二极管精密的寿命控制工程相结合,这样的芯片就具备了崭新的安全工作区。这就大大便利了系统的设计,使原先使用的夹具或减振器成为过时。 展开更多
关键词 IGBT 压接式封装 压接式封装IGBT 功率循环 短路失效模式 模块化率 安全工作区
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基于MOOSE的有限元仿真在树脂基复合材料固化变形预测中的应用
6
作者 李建军 梅李霞 +2 位作者 孙拓 文丕华 黄旺 《纤维复合材料》 2026年第1期56-61,共6页
本文面向树脂基复合材料固化过程中残余应变/应力难以准确预测的问题,依托MOOSE开源有限元库构建热-化-力分步耦合计算框架。热–化模块采用瞬态导热并耦合Kamal固化动力学;体积收缩与树脂模量演化分别采用CHILE(α)、CHILE(Tg)与Path-d... 本文面向树脂基复合材料固化过程中残余应变/应力难以准确预测的问题,依托MOOSE开源有限元库构建热-化-力分步耦合计算框架。热–化模块采用瞬态导热并耦合Kamal固化动力学;体积收缩与树脂模量演化分别采用CHILE(α)、CHILE(Tg)与Path-dependent三种模型。通过SCFM组装等效正交各向异性参数,并将体积收缩映射为本征应变;以AS4/8552层合板为算例对不同本构模型的固化响应进行对比。结果表明,所构建框架与ABAQUS计算吻合良好;CHILE模型在第2阶段升温末期呈单次硬化,而Path-dependent模型在升温与冷却阶段均出现硬化,且复合层合板的滞后更为明显;各模型厚度向收缩终值相近但演化时序不同,且纤维向收缩终值满足Path-dependent>CHILE(Tg)>CHILE(α)。 展开更多
关键词 复合材料固化 CHILE Path-dependent MOOSE scfm 残余应变
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