期刊文献+
共找到15篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
17β-雌二醇上调绵羊输卵管上皮细胞β-防御素-2(SBD-2)表达的可能信号通路研究 被引量:2
1
作者 包图雅 曹贵方 +1 位作者 凃勇 杜晨光 《西北农林科技大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2013年第11期32-36,44,共6页
【目的】探讨17β-雌二醇(E2)上调绵羊输卵管上皮细胞SBD-2表达的可能信号通路。【方法】分离培养绵羊输卵管上皮细胞,将第2代输卵管上皮细胞分为E2(10-8 mol/L)组、雌激素受体拮抗剂ICI182780(10-7mol/L)组、PKA阻断剂KT-5720(1μmol/L... 【目的】探讨17β-雌二醇(E2)上调绵羊输卵管上皮细胞SBD-2表达的可能信号通路。【方法】分离培养绵羊输卵管上皮细胞,将第2代输卵管上皮细胞分为E2(10-8 mol/L)组、雌激素受体拮抗剂ICI182780(10-7mol/L)组、PKA阻断剂KT-5720(1μmol/L)组、PKC阻断剂H-7(50μmol/L)组、NF-κB阻断剂PDTC(50μmol/L)组及空白对照(Control)组,在不同阻断剂组加入各自阻断剂干预绵羊输卵管上皮细胞1h后,在各阻断剂组和E2组中再加入10-8 mol/L 17β-雌二醇培养6h,然后采用实时荧光定量RT-PCR方法检测各组SBD-2mRNA表达水平的变化。【结果】10-8 mol/L 17β-雌二醇可显著上调绵羊输卵管上皮细胞SBD-2mRNA的表达(P<0.05);雌激素受体拮抗剂ICI182780、NF-κΒ阻断剂PDTC、PKC阻断剂H-7均可阻断17β-雌二醇对SBD-2的上调作用,PKA阻断剂KT-5720对17β-雌二醇介导的SBD-2上调无明显影响。【结论】17β-雌二醇上调绵羊输卵管上皮细胞SBD-2的表达由雌激素核受体、NF-κΒ、PKC信号转导通路所介导,而PKA不参与17β-雌二醇对SBD-2的上调作用。 展开更多
关键词 17Β-雌二醇 输卵管上皮细胞 sbd-2 信号通路
在线阅读 下载PDF
Mechanisms of Up-regulation of 17β-Estrodiol on β-Defensin-2 ( SBD-2) Expression in Epithelial Cells of Ovine Oviduct
2
作者 Bao Tuya Cao Guifang +1 位作者 Tu Yong Du Chenguang 《Animal Husbandry and Feed Science》 CAS 2015年第2期106-110,共5页
[ Objective] To investigate the mechanisms involved in the Up-regulatory effects of 17β-estrodiol on β-defensin-2 (SBD-2) in epithelial cells of ovine oviduct. [ Methods] Epithelial cells of ovine oviduct were iso... [ Objective] To investigate the mechanisms involved in the Up-regulatory effects of 17β-estrodiol on β-defensin-2 (SBD-2) in epithelial cells of ovine oviduct. [ Methods] Epithelial cells of ovine oviduct were isolated and cultured; and then the cultured cells at secondary generation were divided into 17β-estradiol (E2, 10^-8 tool/L) group, estrogen nuclear receptor antagonist ICI182780 (10^-7 tool/L) group, PKA antagonist KT-5720 (1 μmol/L) group, PKC antagonist H- 7(50 μmol/L) group, nuclear factor kappa B antagonist PDTC(50μmol/L) group and the blank control group ( Control ). Firstly, different antagonists were added into corresponding antagonist groups in order to interfere the epithelial ceils of ovine oviduct for 1 h. Then, 17β-estradiol ( 10^-8 mol/L) was added into each antagonist group and E2 group for cultivation for 6 h. Finally, real-time fluorescent quantitative RT-PCR was used to detect the changes of SBD-2 mRNA expression. [ Results] 10^-8 mol/L 17β-estrodiol had significantly Up-regulatory effects on the expression of SBD-2 mRNA (P 〈 0. 05 ). Estrogen nuclear receptor antagonist ICI182780, NF-κB antagonist PDTC and PKC antagonist H-7 could all block the Up-regnlatory effects on SBD-2. But PKA antagonist KT-5720 showed no significant effects on the Up-regulation of SBD-2 mRNA expression induced by 17β-estrodiol. [ Conclusions] SBD-2 mRNA expression induced by 17β-estrodiol in epithelial cells of ovine oviduct was mediated by estrogen nuclear receptor ICI182780, NF-κB and PKC pathways. However, PKA pathway might not participate in the Up-regulation of SBD-2 mRNA expression. 展开更多
关键词 17β-estrodiol Oviduct epithelial cells sbd-2 Signaling pathways
在线阅读 下载PDF
17β-雌二醇对绵羊输卵管上皮细胞β-防御素-2(SBD-2)表达的影响 被引量:2
3
作者 包图雅 纳仁高娃 +2 位作者 白萨日娜 李雅静 杨燕燕 《畜牧与饲料科学》 2015年第1期10-13,共4页
[目的]探讨17β-雌二醇(E2)对体外培养的绵羊输卵管上皮细胞内抗菌肽SBD-2基因表达的影响。[方法]根据E2添加剂量设10-6mol/L组、10-7mol/L组、10-8mol/L组、10-9mol/L组和10-10mol/L组,各组细胞于加药后2、6、12、24及48 h,分别采用rea... [目的]探讨17β-雌二醇(E2)对体外培养的绵羊输卵管上皮细胞内抗菌肽SBD-2基因表达的影响。[方法]根据E2添加剂量设10-6mol/L组、10-7mol/L组、10-8mol/L组、10-9mol/L组和10-10mol/L组,各组细胞于加药后2、6、12、24及48 h,分别采用real-time RT-PCR技术检测E2对绵羊输卵管上皮细胞内SBD-2 m RNA表达量的影响,同时设相应的对照组。[结果]以剂量为10-8mol/L的E2处理输卵管上皮细胞6 h后,其SBD-2的表达量达到极值,极显著高于对照组(P<0.01),以剂量为10-10mol/L的E2处理输卵管上皮细胞24 h和48 h后,也能显著促进SBD-2的表达(P<0.01,P<0.05),之后随着各时间段E2剂量的增加,SBD-2 m RNA的表达量呈逐渐降低趋势。[结论]一定剂量的E2能够在处理细胞后的特定时间促进绵羊输卵管上皮细胞中SBD-2 m RNA的表达,E2对输卵管上皮细胞SBD-2 m RNA表达的调节作用存在时间效应与剂量依赖关系。 展开更多
关键词 17Β-雌二醇 绵羊 输卵管上皮细胞 sbd-2 MRNA表达量
在线阅读 下载PDF
酿酒酵母β-葡聚糖通过膜受体Dectin-1和TLR-2诱导绵羊瘤胃上皮细胞表达SBD-1的机制研究 被引量:2
4
作者 张曼 金鑫 +3 位作者 王云鹤 魏方 温婧怡 杨银凤 《畜牧兽医学报》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期781-790,共10页
为了探索酿酒酵母β-葡聚糖诱导绵羊瘤胃上皮细胞(ovine ruminal epithelial cells,ORECs)β-防御素-1(sheepβ-defensin-1,SBD-1)表达过程中膜受体Dectin-1和TLR-2可能存在的作用。本研究首先利用免疫组化、RT-PCR、免疫荧光和Western ... 为了探索酿酒酵母β-葡聚糖诱导绵羊瘤胃上皮细胞(ovine ruminal epithelial cells,ORECs)β-防御素-1(sheepβ-defensin-1,SBD-1)表达过程中膜受体Dectin-1和TLR-2可能存在的作用。本研究首先利用免疫组化、RT-PCR、免疫荧光和Western blot等方法检测Dectin-1是否在ORECs内表达,并且采用qPCR和Western blot方法对β-葡聚糖刺激ORECs后细胞膜受体Dectin-1和TLR-2的表达变化进行检测。而后用不同浓度的Dectin-1阻断剂昆布多糖或TLR-2特异性封闭抗体分别预处理ORECs后,采用qPCR和ELISA方法检测SBD-1的表达变化,以确定β-葡聚糖诱导SBD-1表达过程中Dectin-1和TLR-2的参与情况。结果显示:1)绵羊瘤胃组织及ORECs内存在Dectin-1表达,且β-葡聚糖刺激ORECs后Dectin-1和TLR-2的表达水平显著增加(P<0.05);2)不同浓度的昆布多糖和TLR-2封闭抗体均可以极显著降低β-葡聚糖诱导SBD-1的表达(P<0.01),且随着阻断剂和封闭抗体浓度的增加,其抑制SBD-1表达的作用越明显。结果表明,Dectin-1在绵羊瘤胃组织及ORECs内均表达,并且酿酒酵母β-葡聚糖在ORECs中诱导SBD-1的表达是由Dectin-1和TLR-2介导产生的。 展开更多
关键词 Β-葡聚糖 sbd-1 绵羊瘤胃上皮细胞 DECTIN-1 TLR-2
在线阅读 下载PDF
基于超薄β-Ga_(2)O_(3)薄膜的肖特基势垒二极管性能研究
5
作者 陈海峰 关幼幼 +2 位作者 郭天翔 陆芹 刘祥泰 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第12期38-42,共5页
采用原子层沉积(ALD)法在氧化硅(SiO2)衬底上沉积不同厚度的氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,制备基于超薄β-Ga_(2)O_(3)薄膜的肖特基势垒二极管(SBD),研究器件的电极间距(d)、薄膜厚度(H)、薄膜退火温度(Tfilm)和欧姆退火温度(TE)对器件正向... 采用原子层沉积(ALD)法在氧化硅(SiO2)衬底上沉积不同厚度的氧化镓(Ga_(2)O_(3))薄膜,制备基于超薄β-Ga_(2)O_(3)薄膜的肖特基势垒二极管(SBD),研究器件的电极间距(d)、薄膜厚度(H)、薄膜退火温度(Tfilm)和欧姆退火温度(TE)对器件正向和反向特性的影响。研究结果显示:随着d从10μm增至35μm时,器件的正向电流减小,耐压值增大;随着H从60 nm增至180 nm时,器件的正向电流和耐压值增大;随着Tfilm从500℃增至900℃时,器件的正向电流和耐压值增大;随着TE从250℃增至650℃时,器件的正向电流和耐压值先增大后减小。结果表明:SBD在d为10μm、H为180 nm、Tfilm为900℃且TE为550℃时,正向特性最优,正向电流最大值为1.46×10^(-7)A;d为35μm、H为180 nm、Tfilm为900℃且TE为550℃时,反向特性最优,耐压最大值为297.004 V。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 原子层沉积 肖特基势垒二极管 退火温度
在线阅读 下载PDF
Ga_(2)O_(3)/NiO_(x)肖特基势垒二极管器件的性能优化研究
6
作者 王凯凯 杜嵩 +1 位作者 徐豪 龙浩 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期337-347,共11页
由于缺乏p型氧化镓(Ga_(2)O_(3)),p型氧化镍(p-NiO_(x))通常被用于Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)中,这类二极管一般采用结终端延伸(JTE)或异质结势垒肖特基(HJBS)结构。然而,NiO_(x)对器件性能的影响尚未被充分研究。在本研究中,通... 由于缺乏p型氧化镓(Ga_(2)O_(3)),p型氧化镍(p-NiO_(x))通常被用于Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)中,这类二极管一般采用结终端延伸(JTE)或异质结势垒肖特基(HJBS)结构。然而,NiO_(x)对器件性能的影响尚未被充分研究。在本研究中,通过Sentaurus TCAD对JTE和HJBS结构中的NiO_(x)影响进行了研究,并提出了一种结合NiO_(x)/Ga_(2)O_(3)HJBS和NiO_(x) JTE的新型Ga_(2)O_(3)肖特基二极管。在JTE结构中,击穿电压(BV)与NiO_(x)掺杂浓度呈正相关,与NiO_(x)倾斜角度呈负相关。在HJBS结构中,BV随NiO_(x)场环(FR)的宽度和深度增加而提高,但随着FR与阳极边缘之间的间距增加而降低。新型复合器件的参数确定为10°倾斜角和3×10^(19) cm^(-3)掺杂浓度的NiO_(x) JTE,以及5μm宽、1.5μm深和1μm间距的NiO_(x) HJBS环。实现了4.52 kV的BV、5.68 mΩ·cm 2的比导通电阻(R_(on,sp))和3.57 GW/cm 2的功率优值(PFOM),相比其他实验报道的数据,BV提升了113%,PFOM提升了132%。本研究为利用NiO_(x) JTE和HJBS结构的垂直Ga_(2)O_(3)SBD设计提供了一种有效提升BV和PFOM性能的方法。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) NiO_(x) SBD 击穿电压 PFOM JTE HJBS
在线阅读 下载PDF
复合终端下n-Ga_(2)O_(3)异质肖特基二极管的结构设计及优化
7
作者 马豪威 朱敏敏 《功能材料与器件学报》 2025年第1期56-63,共8页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,具有高达4.8 eV的禁带宽度和8 MV/cm的临界击穿场强,这一特点很好地匹配了功率器件的性能要求。但是由于氧化镓的p型掺杂技术的缺失,氧化镓同质结器件的实现较为困难。基于此,本文提出采用p-NiO/n-Ga_(2)O_(3)异质结所构成的结势垒肖特基二极管(Junction Barrier Schottky,JBS),并与场板(Field Plate,FP)及阶梯型终端(Mase)进行复合,以提升其性能。为了对器件设计及制备提供理论指导,应用TCAD仿真软件对其进行了仿真研究。研究发现,与基础肖特基二极管(Schottky Barrier Diode,SBD)相比,采用复合终端的SBD的击穿电压由887 V增加至3069V,同时正向导通电阻由3.975 mΩ·cm^(2)略微增加至5.395 mΩ·cm^(2)。此外,本文探讨了p-NiO掺杂浓度和厚度对器件性能的影响。结果证明,复合终端结构有效改善了器件的反向击穿性能,并且为器件性能的优化提供了理论指导。 展开更多
关键词 Ga_(2)O_(3)-SBD 复合终端结构 异质结 击穿电压
在线阅读 下载PDF
沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的设计与仿真
8
作者 杨震 吴春艳 +3 位作者 吴霞 高金绪龙 陈强 解光军 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 北大核心 2025年第2期196-202,231,共8页
在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_... 在肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)漂移层表面刻蚀沟槽形成金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor,MIS)结构,抑制镜像力效应并减小器件的反向漏电流,是提升器件反向击穿特性的有效途径。为优化沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD的结构参数,文章利用Silvaco Atlas软件仿真不同台面宽度和沟槽深度对器件性能的影响。结果表明,参数优化后(台面宽度1.0μm,沟槽深度0.5μm)的沟槽结构β-Ga_(2)O_(3)SBD开启电压为0.6 V、比导通电阻为1.69 mΩ·cm^(2)、击穿电压为1416 V、功率品质因数为1.19 GW/cm^(2),实现了兼具低开启电压和高击穿电压的良好器件性能。与基础结构SBD和场板结构SBD相比,优化后的器件性能得到显著提升。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 肖特基势垒二极管(SBD) 沟槽结构 功率器件仿真
在线阅读 下载PDF
β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管中的单粒子烧毁机制分析
9
作者 李幸 马腾 +4 位作者 钟思檑 彭超 张鸿 张战刚 雷志锋 《上海航天(中英文)》 2025年第4期81-88,共8页
本研究深入探讨了重离子和高能质子辐照条件下,β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)的单粒子烧毁(SEB)现象。实验表明:反向偏压是影响β-Ga_(2)O_(3)SBD失效的关键因素,仅当反向偏压达到一定临界值时,器件才会发生SEB,且反向偏压越高,... 本研究深入探讨了重离子和高能质子辐照条件下,β-Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)的单粒子烧毁(SEB)现象。实验表明:反向偏压是影响β-Ga_(2)O_(3)SBD失效的关键因素,仅当反向偏压达到一定临界值时,器件才会发生SEB,且反向偏压越高,烧毁发生时间越短。通过计算机辅助设计技术(TCAD)仿真和扫描电子显微镜(SEM)分析,本研究进一步揭示了SEB的机理,表明辐照引起的高电场和电子-空穴对的积累是导致SEB的主要原因。高能质子和重离子辐照引发的热效应和电场增强,使器件局部过热,从而导致SEB的发生。该成果为优化β-Ga_(2)O_(3)器件设计、提升其在高辐射环境下的抗辐照能力,提供了理论指导和工程参考,具有重要的应用价值。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3)功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) Kr离子 高能质子 反向偏压
在线阅读 下载PDF
雌激素上调绵羊输卵管上皮细胞β-防御素-2基因表达中GPR30信号途径的研究
10
作者 包图雅 白萨日娜 +1 位作者 杨燕燕 纳仁高娃 《畜牧与饲料科学》 2016年第10期4-7,共4页
[目的]探讨G蛋白偶联受体30(G Protein-Coupled Receptor 30,GPR30)在17β-雌二醇(E_2)上调绵羊输卵管上皮细胞中SBD-2基因表达过程中的作用。[方法]将GPR30激动剂G1(10^(-7)mol/L)和17β-雌二醇(10^(-6) mol/L)加入到第2代的绵羊输卵... [目的]探讨G蛋白偶联受体30(G Protein-Coupled Receptor 30,GPR30)在17β-雌二醇(E_2)上调绵羊输卵管上皮细胞中SBD-2基因表达过程中的作用。[方法]将GPR30激动剂G1(10^(-7)mol/L)和17β-雌二醇(10^(-6) mol/L)加入到第2代的绵羊输卵管上皮细胞中,培养6、12和24 h,运用实时荧光定量PCR(quantitative real-time PCR,q PCR)技术测定不同时间点绵羊β-防御素-2(sheepβ-defensin-2,SBD-2)基因的表达量变化。[结果]与对照组相比较,G1和雌激素共同作用6 h后,绵羊输卵管上皮细胞中SBD-2基因的表达量极显著升高(P<0.01),同时还具有明显的时间效应。[结论]雌激素上调绵羊输卵管上皮细胞内SBD-2基因表达的膜受体途径是由GPR30介导的。 展开更多
关键词 G蛋白偶联受体30 雌激素 输卵管上皮细胞 Β-防御素-2 雌激素膜受体途径
在线阅读 下载PDF
超宽禁带半导体α-Ga_(2)O_(3)肖特基二极管仿真研究 被引量:3
11
作者 贾晓萍 宁平凡 +2 位作者 杨邻峰 李雄杰 牛萍娟 《电子器件》 CAS 北大核心 2022年第4期855-859,共5页
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga_(2)O_(3)的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga_(2)O_(3)的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明,在选取HfO作为α-Ga_(2)O_(3)垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1100 V,对于现实中制备α-Ga_(2)O_(3)SBD具有非常重要的参考意义。 展开更多
关键词 α-Ga_(2)O_(3) 垂直型肖特基二极管(SBD) 场板 击穿电压
在线阅读 下载PDF
阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管击穿特性 被引量:1
12
作者 郭艳敏 杨玉章 +3 位作者 冯志红 王元刚 刘宏宇 韩静文 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第5期375-379,共5页
提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga_(2)O_(3)材料制备了Ga_(2)O_(3)纵向SBD。在完成阳极制备后,对阳极以外的Ga_(2)O_(3)漂移区进行了不同深度的刻蚀,... 提出了一种采用阳极刻蚀提升Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)击穿特性的新方法。基于氢化物气相外延(HVPE)法生长的Ga_(2)O_(3)材料制备了Ga_(2)O_(3)纵向SBD。在完成阳极制备后,对阳极以外的Ga_(2)O_(3)漂移区进行了不同深度的刻蚀,刻蚀完成后,在器件表面生长了SiO2介质层,随后制备了场板结构。测试结果显示,刻蚀后器件的比导通电阻小幅上升,而反向击穿电压均大幅提升。刻蚀深度为300 nm的β-Ga_(2)O_(3)SBD具有最优特性,其比导通电阻(Ron,sp)为2.5 mΩ·cm^(2),击穿电压(Vbr)为1410 V,功率品质因子(FOM)为795 MW/cm^(2)。该研究为高性能Ga_(2)O_(3)SBD的制备提供了一种新方法。 展开更多
关键词 氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 刻蚀 击穿电压 功率品质因子(FOM)
原文传递
氧化镓肖特基二极管硼离子注入终端技术研究
13
作者 沈睿 郁鑫鑫 +7 位作者 李忠辉 陈端阳 赛青林 谯兵 周立坤 董鑫 齐红基 陈堂胜 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期524-529,共6页
β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,... β-Ga_(2)O_(3)具有禁带宽度大和击穿场强高等优异的物理特性,被认为是制作新一代大功率、高效率电力电子器件的理想半导体材料。然而,无终端的Ga_(2)O_(3)肖特基势垒二极管(SBD)容易在肖特基电极边缘产生高峰值电场,导致器件过早击穿,影响其耐压特性。因此,本文提出通过对器件肖特基金属边缘进行硼(B)离子选区注入来构建埋层高阻终端,从而调控电极边缘的电场分布,以达到提升击穿电压的效果。B离子注入的能量和剂量分别为60 keV和7×1014 cm^(-2),通过仿真估算注入深度约为200 nm。采用B离子注入终端后,Ga_(2)O_(3)SBD器件的导通特性未发生明显变化,比导通电阻仍为2.5 mΩ·cm^(2)左右,而击穿电压则从429 V大幅度提升至1402 V,增幅达226%,对应的功率优值从74 MW/cm^(2)提升至767 MW/cm^(2)。通过仿真研究了器件电场分布,发现采用B注入终端后,肖特金属电极边缘的电场峰值得到显著抑制,且随着注入深度的增大而逐步下降。本工作为高性能Ga_(2)O_(3)功率器件终端结构的设计提供了新的研究思路。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3) 肖特基二极管 硼离子注入 边缘终端 击穿电压
在线阅读 下载PDF
氧化镓基肖特基势垒二极管的研究进展 被引量:2
14
作者 王歌 杨帆 +3 位作者 王方圆 杜浩毓 王晓龙 檀柏梅 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第12期946-955,共10页
Ga_(2)O_(3)是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm,Baliga优值超过3000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga_(2)O_(3)是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广... Ga_(2)O_(3)是一种新型宽禁带半导体材料,禁带宽度约为4.8 eV,临界击穿电场理论上可高达8 MV/cm,Baliga优值超过3000,因此在制作功率器件方面有很大的潜力。Ga_(2)O_(3)是继SiC和GaN之后制作高性能半导体器件的优选材料,近年来受到了广泛的关注。介绍了Ga_(2)O_(3)材料的基本物理性质,分析了Ga_(2)O_(3)基肖特基势垒二极管(SBD)的优势及存在的问题。重点从器件工艺、结构和边缘终端技术等角度评述了优化Ga_(2)O_(3)基SBD性能的方法,并对Ga_(2)O_(3)基SBD的进一步发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 氧化镓(Ga_(2)O_(3)) 肖特基势垒二极管(SBD) 外延 边缘终端 场板
原文传递
β-Ga_(2)O_(3)SBD器件的解析模型与仿真研究
15
作者 张弘鹏 郭亮良 +7 位作者 陈铖颖 贾仁需 元磊 彭博 张玉明 栾苏珍 张宏怡 张义门 《中国科学:物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2023年第7期123-131,共9页
本文设计了不同电场调节策略的Ga_(2)O_(3)SBD器件,通过研究器件结构、钝化层方案下器件电学特性,分析不同终端结构(场板结构FP、边缘终端结构ET、沟槽型Trench、高K钝化)下Ga_(2)O_(3)SBD的结构设计.此外本文结合理论分析和实验数据拟... 本文设计了不同电场调节策略的Ga_(2)O_(3)SBD器件,通过研究器件结构、钝化层方案下器件电学特性,分析不同终端结构(场板结构FP、边缘终端结构ET、沟槽型Trench、高K钝化)下Ga_(2)O_(3)SBD的结构设计.此外本文结合理论分析和实验数据拟合,完善了Ga_(2)O_(3)材料和器件模型,通过对比实验数据验证了模型的正确性.研究发现:(1)高K钝化(κ>100)结合场板结构可有效舒缓表面电场并提升结终端效率,2μm Ga_(2)O_(3)SBD采用BaTiO_(3)钝化场板可实现终端效率91.4%,V_(br)=1.43 kV,巴利加优值BFOM=1.62 GW/cm^(2),七倍于Al2O_(3)FP SBD;(2)采用BaTiO_(3)钝化的FP&ET复合终端可实现终端效率93.6%,V_(br)=1.46 kV,BFOM=0.41 GW/cm^(2);(3)相较FP设计,SiO_(2),Al2O_(3),HfO_(2)钝化的FP&Trench SBD更适于改善SBD导通电阻Ron,sp,V_(br)及BFOMs.上述研究为优化Ga_(2)O_(3)功率器件性能提供了理论依据和参考. 展开更多
关键词 氧化镓 Ga_(2)O_(3) SBD 器件仿真 功率器件
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部