文中基于多种理论模型构建了4H-SiC SAM APD结构紫外光电探测器的基本物理模型。模拟研究了包括反向伏安特性、离化率、光谱响应在内的光电效应特性,并通过改变SAM结构各层厚度,得到了厚度与击穿电压、光谱响应的关系,从结果可以看出:减...文中基于多种理论模型构建了4H-SiC SAM APD结构紫外光电探测器的基本物理模型。模拟研究了包括反向伏安特性、离化率、光谱响应在内的光电效应特性,并通过改变SAM结构各层厚度,得到了厚度与击穿电压、光谱响应的关系,从结果可以看出:减小P+层厚度、增大N、N+层厚度可有效增大光电流,提高探测器性能。展开更多
文摘文中基于多种理论模型构建了4H-SiC SAM APD结构紫外光电探测器的基本物理模型。模拟研究了包括反向伏安特性、离化率、光谱响应在内的光电效应特性,并通过改变SAM结构各层厚度,得到了厚度与击穿电压、光谱响应的关系,从结果可以看出:减小P+层厚度、增大N、N+层厚度可有效增大光电流,提高探测器性能。
