两种常用碳化硅反射镜基底表面改性的研究 被引量：7

1

作者 申振峰 高劲松 +4 位作者 陈红 王彤彤 王笑夷 郑宣鸣 范镝 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期21-24,共4页

利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法,分别在反应烧结碳化硅(RB-SiC)和常压烧结碳化硅(Sintered SiC,S-SiC)基底材料上制备了Si改性膜层,并进行了相关性能测试和分析。经过表面改性,两种基底的表面粗糙度(rms)大幅地降低,镀银后的反射率... 利用霍尔离子源辅助电子束蒸发方法,分别在反应烧结碳化硅(RB-SiC)和常压烧结碳化硅(Sintered SiC,S-SiC)基底材料上制备了Si改性膜层,并进行了相关性能测试和分析。经过表面改性,两种基底的表面粗糙度(rms)大幅地降低,镀银后的反射率有较大地提高,基底表面光学质量已满足工程应用要求。在相同工艺条件下,S-SiC基底改性后效果好于RB-SiC基底的情况,主要是因为Si膜在两种基底表面生长情况不同所致。 展开更多

关键词 RB-SIC s-sic 表面改性 粗糙度 散射 Si膜

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SiCp／Al－Li复合材料的微观结构性能、及断裂特征 被引量：2

2

作者 马宗义 毕敬 +2 位作者 吕毓雄 申红伟 高荫轩 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期43-47,共5页

本文对粉末冶金法制备的ＳｉＣｐ／Ａｌ－Ｌｉ复合材料进行了不同温度的拉伸试验和透射电镜分析，结果表明，该复合材料具有高的室温强度和低的延伸率。在复合材料基体晶界和ＳｉＣ颗粒界面处均存在一定宽度的无沉淀带。微裂纹常在基体... 本文对粉末冶金法制备的ＳｉＣｐ／Ａｌ－Ｌｉ复合材料进行了不同温度的拉伸试验和透射电镜分析，结果表明，该复合材料具有高的室温强度和低的延伸率。在复合材料基体晶界和ＳｉＣ颗粒界面处均存在一定宽度的无沉淀带。微裂纹常在基体晶界和ＳｉＣ颗粒界面处形成。复合材料的断裂形貌为韧窝加沿晶断裂。 展开更多

关键词 复合材料 铝 锂 结构 性能

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S波段脉冲大功率SiC MESFET 被引量：6

3

作者 杨霏 潘宏菽 +3 位作者 霍玉柱 商庆杰 默江辉 闫锐 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第1期12-14,20,共4页

采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功... 采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 展开更多

关键词 碳化硅 金属-肖特基势垒场效应晶体管(MESFET) S波段 脉冲 大功率

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高温超高压条件对Si中介结合的聚晶金刚石（PCD）组织与耐磨性的影响 被引量：8

4

作者 王艳辉 王明智 李宝余 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期57-61,共5页

本文在一系列不同高温（１１００～１６５０℃）超高压（４．５～６．２５ＧＦａ）条件下制备了Ｓｉ中介结合的聚晶金刚石，并用ＸＲＤ分析，ＳＥＭ观察及磨耗比测定对其组织与耐磨性进行了研究，结果表明：在ＰＣＤ组织的Ｐ－Ｔ图上，... 本文在一系列不同高温（１１００～１６５０℃）超高压（４．５～６．２５ＧＦａ）条件下制备了Ｓｉ中介结合的聚晶金刚石，并用ＸＲＤ分析，ＳＥＭ观察及磨耗比测定对其组织与耐磨性进行了研究，结果表明：在ＰＣＤ组织的Ｐ－Ｔ图上，有三类组织特征，其中对应最佳磨耗比的组织由金刚石和ＳｉＣ组成。在较低压力、温度下有游离Ｓｉ存在；高温低压条件下，金刚石发生石墨化转变，均使ＰＣＤ的耐磨性降低。对获得金刚石和ＳｉＣ相组织的压力、温度条件进行了分析讨论。 展开更多

关键词 硅 碳化硅 金刚石 合成 耐磨性

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SiC纤维／LAS复合材料的TG－DTA－MS研究 被引量：2

5

作者 陆昌伟 张玉峰 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期38-42,共5页

本文首次用ＴＧ－ＤＴＡ－ＭＳ联用技术对ＳｉＣ纤维／ＬＡＳ微晶玻璃复合材料的热分解过程、机制及其与晶化的关系进行了研究。提出了该复合材料界面形成碳层的热力学和质谱分析判别依据，并对晶化前后的复合材料的热分解行为作了实验... 本文首次用ＴＧ－ＤＴＡ－ＭＳ联用技术对ＳｉＣ纤维／ＬＡＳ微晶玻璃复合材料的热分解过程、机制及其与晶化的关系进行了研究。提出了该复合材料界面形成碳层的热力学和质谱分析判别依据，并对晶化前后的复合材料的热分解行为作了实验对比和理论分析。 展开更多

关键词 铝硅酸锂 碳化硅纤维 复合材料

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用粉碎法制备SiC板晶 被引量：1

6

作者 卢迪芬 陈楷 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1996年第3期16-22,共7页

通过对ＳｉＣ的细磨、超细分级与按形状分离的方法，探讨了用粉碎法制备ＳｉＣ板晶的可行性。本实验采用了行星磨、振动磨、球磨、瓷瓶磨等四种不同的粉磨设备，在不同的实验条件下粉磨工业ＳｉＣ原块至平均粒径为１．５μｍ。通过对粉... 通过对ＳｉＣ的细磨、超细分级与按形状分离的方法，探讨了用粉碎法制备ＳｉＣ板晶的可行性。本实验采用了行星磨、振动磨、球磨、瓷瓶磨等四种不同的粉磨设备，在不同的实验条件下粉磨工业ＳｉＣ原块至平均粒径为１．５μｍ。通过对粉磨产品的粒度分布、平均粒径的测定，和ＳＥＭ、ＴＥＭ电镜观测，发现粉磨产品的形貌及板晶的含量与磨机种类、作用方式及操作条件有关。利用不同粒径颗粒在介质中沉降速度的差异，把ＳｉＣ粉末分成若干个粒级，找出不同粒级与板晶含量的关系，并对同一粒级的颗粒再进行按形状分离，使板状晶体含量达到３０％以上。 展开更多

关键词 SiC板晶 粉碎法 重力沉降法 颗粒分级 按形状分离

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碳化硅晶须和颗粒增强铝基复合材料的时效行为 被引量：4

7

作者 董尚利 杨德庄 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期45-48,共4页

综述了近年来碳化硅晶须（ＳｉＣｗ）和碳化硅颗粒（ＳｉＣｐ）增强铝基复合材料（ＳｉＣｗ（ｐ）／Ａｌ）时效行为的研究发展状况。主要包括碳化硅晶须与颗粒对基体时效硬化动力学、基体沉淀脱溶过程的影响规律和作用机制，以及影响Ｓ... 综述了近年来碳化硅晶须（ＳｉＣｗ）和碳化硅颗粒（ＳｉＣｐ）增强铝基复合材料（ＳｉＣｗ（ｐ）／Ａｌ）时效行为的研究发展状况。主要包括碳化硅晶须与颗粒对基体时效硬化动力学、基体沉淀脱溶过程的影响规律和作用机制，以及影响ＳｉＣｗ（ｐ）／Ａｌ复合材料时效特性的因素。 展开更多

关键词 铝基 复合材料 晶须 颗粒 时效 碳化硅

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C/SiC材料疲劳试验加载频率的数值研究 被引量：3

8

作者 周亚东 费庆国 +1 位作者 吴邵庆 谭志勇 《振动工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第6期985-991,共7页

材料S-N曲线和结构动应力响应是声疲劳寿命评估的两个要素,而热结构材料C/SiC的S-N曲线具有强的频率依赖性。为得到典型C/SiC材料热结构声疲劳寿命评估可用的S-N曲线,分析了随机信号的水平穿越问题,导出随机信号的正斜率穿越率计算公式... 材料S-N曲线和结构动应力响应是声疲劳寿命评估的两个要素,而热结构材料C/SiC的S-N曲线具有强的频率依赖性。为得到典型C/SiC材料热结构声疲劳寿命评估可用的S-N曲线,分析了随机信号的水平穿越问题,导出随机信号的正斜率穿越率计算公式。论证了随机信号的正斜率零穿越率表征了信号的统计平均频率,且可直接由功率谱密度函数计算得到。对一C/SiC加筋壁板在声压载荷下的随机动响应进行数值仿真,在声载荷下壁板3个典型部位动应力响应的平均频率的最大值为532Hz,数值算例验证了正斜率零穿越率与随机信号在单位时间内的循环次数近似相等。因此在对该结构寿命评估前,测定材料S-N曲线应使试验加载频率尽可能接近532Hz。 展开更多

关键词 声疲劳 C/SiC材料 SN曲线 频率依赖性 加载频率

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SiC_p－Si_3N_4基复合材料及其力学性能

9

作者 苏雪筠 陈楷 林小莲 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1996年第3期7-10,共4页

研究了ＳｉＣ片晶（ＳｉＣｐ）强化Ｓｉ３Ｎ４基复合材料及其力学性能和增韧机理。研究结果表明，加入ＳｉＣｐ使Ｓｉ３Ｎ４材料的强度明显提高，并在ＳｉＣｐ含量（ＳｉＣｐ）＝０．２０（ＳｉＣｐ的体积分数）时有一峰值，ＳｉＣｐ加... 研究了ＳｉＣ片晶（ＳｉＣｐ）强化Ｓｉ３Ｎ４基复合材料及其力学性能和增韧机理。研究结果表明，加入ＳｉＣｐ使Ｓｉ３Ｎ４材料的强度明显提高，并在ＳｉＣｐ含量（ＳｉＣｐ）＝０．２０（ＳｉＣｐ的体积分数）时有一峰值，ＳｉＣｐ加入量进一步增加使强度有较大降低。ＳＥＭ观察表明，裂纹偏转、片晶桥接是主要增韧机理，片晶拔出、基体细化等亦对断裂韧性的增加作出贡献，其作用与晶须增韧的机理相似。 展开更多

关键词 SiC片晶 复合材料 强化 增韧 断裂韧性 力学性能

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流变铸造法制备SiC_p／Zn基复合材料的研究 被引量：3

10

作者 陶杰 崔益华 +1 位作者 肖军 李顺林 《兵器材料科学与工程》 CSCD 北大核心 1996年第6期15-21,共7页

采用流变铸造法制备了ＳｉＣｐ／Ｚｎ基复合材料，对该材料进行了弯曲强度、冲击韧性、压缩强度、硬度及耐磨性等性能试验，结果表明：ＳｉＣｐ的加入，使锌合金的压缩强度、室温和高温硬度以及耐磨性明显提高，其弯曲强度略有降低，而... 采用流变铸造法制备了ＳｉＣｐ／Ｚｎ基复合材料，对该材料进行了弯曲强度、冲击韧性、压缩强度、硬度及耐磨性等性能试验，结果表明：ＳｉＣｐ的加入，使锌合金的压缩强度、室温和高温硬度以及耐磨性明显提高，其弯曲强度略有降低，而其冲击韧性下降３～５倍。最后还讨论了颗粒含量、颗粒直径以及基体特性对该复合材料性能的影响。 展开更多

关键词 金属基复合材料 锌合金 流变铸造法

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表面碳化的硅纳米孔柱阵列的H2S室温电容传感特性

11

作者 王海燕 王伶俐 +1 位作者 胡青飞 李新建 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期1-5,共5页

通过将硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系。对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为～200 nm。SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA... 通过将硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系。对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为～200 nm。SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA原有的柱状阵列结构特征。对浓度介于0～1 200×10-6的H2S气体的室温传感性能测试表明,SiC/Si-NPA对H2S气体的电容响应灵敏度可高达790%,而其对400×10-6浓度H2S气体的响应和恢复时间则分别为170 s和200 s,元件具有较好的测量重复性和稳定性。SiC/Si-NPA可能是一种室温条件下较为理想的H2S气体传感材料。 展开更多

关键词 H2S气体传感器 SIC 硅纳米孔柱阵列 高温碳化

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真空热压烧结SiC_p/Al复合材料的界面元素扩散及增强断裂机理 被引量：3

12

作者 胡锐 袁秦鲁 +1 位作者 李金山 吕振林 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2004年第10期1198-1200,共3页

采用真空热压粉末冶金烧结工艺制备了含SiC颗粒体积分数分别为 5 %、15 %和 2 5 %的SiC颗粒增强铝基复合材料 ,结合其力学性能、扫描电镜和界面微区能谱分析结果 ,分析了SiC/Al复合材料的真空烧结过程中的界面现象 ,以及材料增强和断裂... 采用真空热压粉末冶金烧结工艺制备了含SiC颗粒体积分数分别为 5 %、15 %和 2 5 %的SiC颗粒增强铝基复合材料 ,结合其力学性能、扫描电镜和界面微区能谱分析结果 ,分析了SiC/Al复合材料的真空烧结过程中的界面现象 ,以及材料增强和断裂机理。结果表明 ,真空烧结过程中出现了界面反应 ,改善了界面结合强度 ,断裂破坏主要在基体上进行。随着SiC粒子体积分数的增加 ,SiCp/Al复合材料的抗拉强度增加 ,弹性模量显著增加 ,延伸率降低 ,材料脆性增加。 展开更多

关键词 颗粒增强 铝基复合材料 强化机理

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颗粒级配对固相烧结碳化硅陶瓷的影响 被引量：8

13

作者 邢媛媛 吴海波 +1 位作者 刘学建 黄政仁 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1167-1172,共6页

通过粗细碳化硅粉体的颗粒级配实现了致密固相烧结碳化硅(S-SiC)陶瓷的增强增韧,系统研究了粗粉(～4.6μm)加入量对烧结试样的致密化、微结构与力学特性的影响。结果表明:当粗粉加入量不超过75wt%时,可制备出相对密度≥98.3%的致密S-Si... 通过粗细碳化硅粉体的颗粒级配实现了致密固相烧结碳化硅(S-SiC)陶瓷的增强增韧,系统研究了粗粉(～4.6μm)加入量对烧结试样的致密化、微结构与力学特性的影响。结果表明:当粗粉加入量不超过75wt%时,可制备出相对密度≥98.3%的致密S-SiC陶瓷,烧结收缩率低至14.5%;引入的粗粉颗粒产生钉扎作用,显著抑制了S-SiC陶瓷中异常晶粒生长,形成细小的等轴晶粒,进而提高了S-SiC陶瓷的抗弯强度。同时,粗粉颗粒的引入导致S-SiC陶瓷的断裂方式由穿晶断裂转变为穿晶-沿晶复合断裂,使得S-SiC陶瓷的断裂韧性增强。对于粗粉引入量为65wt%的S-SiC陶瓷,抗弯强度与断裂韧性分别为(440±35) MPa与(4.92±0.24) MPa×m^(1/2),相比于未添加粗粉的S-SiC陶瓷,分别提升了14.0%与17.1%。 展开更多

关键词 固相烧结碳化硅 颗粒级配 微结构 抗弯强度 断裂韧性

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S型B_4C-SiC/C功能梯度材料的设计和制备

14

作者 沈卫平 吴波中 +1 位作者 李江涛 葛昌纯 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期166-169,共4页

对（ｌ－×）（８０％Ｂ４ＣＣ－２０％ＳｉＣ）／ｘ Ｃ（体积分数）功能梯度材料的 ×＝０． ２， ０．４， ０．６， ０．８的各层 分别在２０００℃，２０ＭＰａ进行了热压，测定了各层的密度，线膨胀系数，弹性模量和抗弯... 对（ｌ－×）（８０％Ｂ４ＣＣ－２０％ＳｉＣ）／ｘ Ｃ（体积分数）功能梯度材料的 ×＝０． ２， ０．４， ０．６， ０．８的各层 分别在２０００℃，２０ＭＰａ进行了热压，测定了各层的密度，线膨胀系数，弹性模量和抗弯强度等． 按线性成分分布函数的６层和１１层梯度材料热压后都出现了裂纹．采用了不同于幂函数的Ｓ 型成分分布函数设计，热压了１１层（×＝０．２～１．０）的功能梯度材料，其抗弯强度为２１６ＭＰａ，抗热震 性＞５００℃． 展开更多

关键词 功能梯度材料 碳化硼 碳化硅 设计 制备 碳

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质子化g-C3N4/β-SiC复合材料的制备及光催化降解茜素红性能 被引量：2

15

作者 吴之强 刘万毅 +6 位作者 王刚 蔡威 岳晓菲 詹海鹃 毕淑娴 孟哲 马保军 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期2178-2185,共8页

分别采用热解法和溶胶-凝胶-碳热还原法合成了石墨相氮化碳(g-C3N4)和纳米级碳化硅(β-Si C),通过浸渍-热处理法将两者复合并通过浓盐酸质子化,分别制备了g-C3N4/β-Si C和质子化g-C3N4/β-Si C(P-g-C3N4/β-Si C)复合光催化剂.利用X射... 分别采用热解法和溶胶-凝胶-碳热还原法合成了石墨相氮化碳(g-C3N4)和纳米级碳化硅(β-Si C),通过浸渍-热处理法将两者复合并通过浓盐酸质子化,分别制备了g-C3N4/β-Si C和质子化g-C3N4/β-Si C(P-g-C3N4/β-Si C)复合光催化剂.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis-DRS)和光致发光光谱(PL)等对样品进行了表征.结果表明,P-g-C3N4/β-Si C复合材料的比表面积增大,光生电子-空穴对的复合几率降低,光催化性能明显提高.在光催化降解染料茜素红(ARS)研究中,样品的可见光催化活性顺序为P-g-C3N4/β-Si C>g-C3N4/β-Si C>P-g-C3N4>g-C3N4>β-Si C.其中P-g-C3N4/β-Si C在60 min内对ARS的降解效率高达99.9%,符合准一阶动力学模型,速率常数为0.0967 min-1,且循环使用9次后,光催化降解效率仍保持97.5%以上. 展开更多

关键词 g-C3N4/β-SiC 质子化 光催化降解 高效循环 茜素红

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环己烯分离塔回流泵故障分析及处理措施

16

作者 孙春良 《通用机械》 2017年第7期50-51,55,共3页

环己烯分离塔回流泵为大连海密梯克泵业有限公司生产的CNF型屏蔽泵,因其能实现"零泄漏",所以被广泛用于输送有腐蚀性、有毒、易燃和易爆等液体介质。就唐山中浩化工有限公司屏蔽泵零部件磨损的故障原因分析、处理情况及预防... 环己烯分离塔回流泵为大连海密梯克泵业有限公司生产的CNF型屏蔽泵,因其能实现"零泄漏",所以被广泛用于输送有腐蚀性、有毒、易燃和易爆等液体介质。就唐山中浩化工有限公司屏蔽泵零部件磨损的故障原因分析、处理情况及预防措施进行了简要论述。 展开更多

关键词 CNF型屏蔽泵 零部件磨损 故障原因 s-sic特性 处理情况 预防措施

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杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响

17

作者 王巍 代作海 +3 位作者 王晓磊 唐政维 徐洋 王平 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第9期67-69,73,共4页

研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进... 研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大。在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。 展开更多

关键词 金属-绝缘体-碳化硅 杂质离化 泊松方程 Pool-Frenkel效应 气体传感器

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3D-C/SiC复合材料热震损伤行为 被引量：7

18

作者 任伟华 乔生儒 敖强 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期26-28,共3页

用3D-C/SiC和重结晶SiC陶瓷材料在光辐射热震试验机上进行了两种温度落差(ΔΤ=600℃,800℃)和不同应力的热震试验。3D-C/SiC用弹性模量和电阻表征的热震损伤曲线有相似的规律,即都大致由三阶段构成,首先是损伤急剧增加阶段,紧接着是损... 用3D-C/SiC和重结晶SiC陶瓷材料在光辐射热震试验机上进行了两种温度落差(ΔΤ=600℃,800℃)和不同应力的热震试验。3D-C/SiC用弹性模量和电阻表征的热震损伤曲线有相似的规律,即都大致由三阶段构成,首先是损伤急剧增加阶段,紧接着是损伤缓慢增加阶段,最后为损伤短暂的急剧增加阶段。个别电阻表征的热震损伤曲线仅在初始阶段损伤有下降现象。3D-C/SiC复合材料的抗热震性能明显优于重结晶SiC陶瓷材料;三种界面层的3D-C/SiC中,以热解碳沉积时间为20h获得的界面层复合材料热震寿命最长。 展开更多

关键词 3D-C/SIC复合材料 重结晶SiC陶瓷材料 弹性模量 热震损伤

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SiC_W/Al 复合材料时效行为的研究

19

作者 刘秋云 费维栋 姚忠凯 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 1997年第3期27-33,共7页

研究了６０６１Ａｌ合金和ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料在１７０℃、１９０℃和２２０℃三种温度下的时效析出行为，分析了峰时效温度对６０６１Ａｌ合金和ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料拉伸性能的影响。研究结果表明，６０６１Ａ... 研究了６０６１Ａｌ合金和ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料在１７０℃、１９０℃和２２０℃三种温度下的时效析出行为，分析了峰时效温度对６０６１Ａｌ合金和ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料拉伸性能的影响。研究结果表明，６０６１Ａｌ合金弹性模量不随峰时效温度的提高而发生变化，屈服强度和抗拉强度随峰时效温度的提高而略有下降；ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料的弹性模量则随峰时效温度的提高而略有下降，ＳｉＣＷ／６０６１Ａｌ复合材料屈服强度和抗拉强度随峰时效温度的提高而明显降低。 展开更多

关键词 复合材料 时效 弹性模量 屈服强度 碳化硅

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双沟4H-SiC MESFET优化结构的解析模型及性能 被引量：1

20

作者 游娜 张现军 《计算物理》 CSCD 北大核心 2014年第1期103-108,共6页

优化双沟4H-SiC MESFET结构,通过求解一维和二维泊松方程,建立优化结构的解析模型,分析这种结构的直流和交流特性.结果表明,饱和电流密度的计算结果与实验一致,结构优化后4H-SiC MESFET的饱和电流密度和击穿电压分别为420μA·μm-1... 优化双沟4H-SiC MESFET结构,通过求解一维和二维泊松方程,建立优化结构的解析模型,分析这种结构的直流和交流特性.结果表明,饱和电流密度的计算结果与实验一致,结构优化后4H-SiC MESFET的饱和电流密度和击穿电压分别为420μA·μm-1和155 V,明显高于优化前的275μA·μm-1和141 V;最高输出功率密度为7.4 W·mm-1,比优化前提高约64%;截止频率和最高振荡频率比优化前略微提高.双沟结构经优化后其交流小信号特性未退化而功率特性获得明显改善. 展开更多

关键词 4H—SiC MESFETS 泊松方程

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