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表面敏化TiO_2基复合薄膜的能带结构与光致电荷转移的研究 被引量：1
1
作者 董江舟 赵峻岩 +1 位作者 巢晖 曹亚安 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第23期2781-2786,共6页
采用离子束溅射方法制备出TiO2/ITO,Zr4+掺杂的TiO2(TiO2-Zr)/ITO和ZrO2/TiO2/ITO复合薄膜.利用表面敏化方法制备出(1,10-邻菲咯啉)2(3,4,5-三氟苯基)咪唑并[5,6-f]邻菲咯啉钌混配配合物[Rup2O](p=1,10-邻菲咯啉,O=(3,4,5-三氟苯基)咪唑... 采用离子束溅射方法制备出TiO2/ITO,Zr4+掺杂的TiO2(TiO2-Zr)/ITO和ZrO2/TiO2/ITO复合薄膜.利用表面敏化方法制备出(1,10-邻菲咯啉)2(3,4,5-三氟苯基)咪唑并[5,6-f]邻菲咯啉钌混配配合物[Rup2O](p=1,10-邻菲咯啉,O=(3,4,5-三氟苯基)咪唑并[5,6-f]邻菲咯啉)/TiO2/ITO,Rup2O/TiO2-Zr/ITO和Rup2O/ZrO2/TiO2/ITO表面敏化TiO2基复合薄膜.表面光电压谱(SPS)表明,表面敏化TiO2基复合薄膜在400～600和350 nm产生的SPS响应峰的峰高比与TiO2基复合薄膜的结构密切相关.利用电场诱导表面光电压谱(EFISPS)确定了复合薄膜的能带结构,其结果分析表明,400～600 nm的SPS响应峰主要源于Rup2O分子的中心离子Ru 4d能级到配体邻菲咯啉π1*和配体咪唑并邻菲咯啉π2*跃迁;TiO2禁带内Zr4+掺杂能级的存在减小了光生载流子的复合,增加导带光生电子的数量;ZrO2/TiO2异质结构的存在有利于光生电子向ITO表面的转移,从而导致400～600 nm和350 nm SPS响应峰的峰高比的增加,意味着光致电荷转移效率的提高. 展开更多
关键词 rup2o 表面敏化 TiO2-Zr/ITO ZrO2/TiO2/ITO 光致电荷转移
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