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基于ATE与结构分析的RRAM芯片测试技术研究 被引量：3
1
作者 奚留华 徐昊 +2 位作者 张凯虹 武乾文 王一伟 《电子与封装》 2024年第7期36-42,共7页
为了测试阻变存储器(RRAM)芯片,基于RRAM芯片的基本结构、接口定义、功能,分析并总结了其性能、工作模式和芯片时序。通过公式计算与实测技术相结合的方法,测定了RRAM芯片的容量。结果表明,基于结构分析的公式计算可依据RRAM存储单元的... 为了测试阻变存储器(RRAM)芯片,基于RRAM芯片的基本结构、接口定义、功能,分析并总结了其性能、工作模式和芯片时序。通过公式计算与实测技术相结合的方法,测定了RRAM芯片的容量。结果表明,基于结构分析的公式计算可依据RRAM存储单元的间距推导出RRAM芯片的容量。利用自动测试系统对RRAM芯片进行功能验证。同时,设计了1款RRAM芯片耐久性测试装置,全面评估了RRAM芯片的擦写性能。 展开更多
关键词 rram芯片 ATE 测试算法 结构分析
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基于石墨烯电极RRAM的混合型PUF指纹电路
2
作者 白创 张伟 +1 位作者 吕豪 米莲娜·朱卡诺维奇 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第4期508-513,550,共7页
该文提出了一种基于阻变存储器(RRAM)的混合型物理不可克隆函数(PUF)芯片指纹电路。RRAM器件采用石墨烯电极、对称山型结构实现,具有阻值分布宽、开关比大的特点;通过引入对称RRAM阻值偏差作为PUF单元的随机熵源,提升PUF的唯一性;采用R... 该文提出了一种基于阻变存储器(RRAM)的混合型物理不可克隆函数(PUF)芯片指纹电路。RRAM器件采用石墨烯电极、对称山型结构实现,具有阻值分布宽、开关比大的特点;通过引入对称RRAM阻值偏差作为PUF单元的随机熵源,提升PUF的唯一性;采用RRAM不同阻态阻值放大存储PUF单元初始偏差,提升PUF的稳定性;利用RRAM循环间随机性实现指纹ID的重构,提升PUF的安全性。混合型PUF芯片指纹电路在0.35μm CMOS工艺下设计实现。仿真结果表明,PUF输出具有良好的稳定性与唯一性,标准温度电压下片间汉明距离为49.95%,同时温度在−40℃~100℃,电源电压在4.6 V~5.4 V范围内变化时,PUF比特错误率为0。 展开更多
关键词 芯片指纹识别 硬件安全 物理不可克隆函数 阻变存储器
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