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宇航环境下基于RHBD的SRAM抗双节点翻转研究综述
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作者 帅威 蔡烁 +4 位作者 陈俊伊 陈俊哲 梁鑫杰 黄珠 魏懋萱 《集成电路与嵌入式系统》 2026年第3期20-33,共14页
在宇航等高可靠性应用环境中,由辐射引发的多节点翻转已成为影响静态随机存储器稳定性的关键因素。近年来,针对双节点翻转问题,基于辐射加固设计策略的多种抗干扰结构被提出并得到广泛研究,典型的如S8P8N、QUCCE12T、SARP12T、HRLP16T、... 在宇航等高可靠性应用环境中,由辐射引发的多节点翻转已成为影响静态随机存储器稳定性的关键因素。近年来,针对双节点翻转问题,基于辐射加固设计策略的多种抗干扰结构被提出并得到广泛研究,典型的如S8P8N、QUCCE12T、SARP12T、HRLP16T、RH20T、S6P8N与RH14T等。文中系统回顾了现有RHBD型SRAM结构在DNU容错方面的设计理念与关键性能指标,梳理其在可靠性、功耗、面积、访问速度及静态稳定性等方面的优势与局限,并对比分析不同设计策略的适用场景。最后,指出当前RHBD结构在细粒度容错控制与综合性能平衡方面仍面临的挑战,未来设计可在电荷传播路径抑制、反馈机制优化等方向进一步突破。 展开更多
关键词 SRAM RHBD 双节点翻转 加固结构 S8P8N QUCCE12T SARP12T HRLP16T rh20t S6P8N RH14T
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