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RG-MOSFET的I_(DS)特性分析
1
作者 石广元 胡延年 王中文 《微处理机》 1998年第2期61-64,共4页
以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础，推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式，并对其物理机制进行了较详细的分析讨论。
关键词 RG--MOSFET 电流特性 I-V特性 场效应晶体管
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电阻栅MOSFET电流模型分析
2
作者 尹光 石广元 王中文 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第3期75-79,共5页
本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ—ＭＯＳ－ＦＥＴ一级近似下电流模型的解析表达式．并对其物理机制进行了分析讨论．
关键词 rg-mosfet 电流模型 电阻栅 场效应晶体管
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自组织临界性一维砂堆模型中微观态的等几率假设
3
作者 韩瑛 佟天波 刘天华 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第3期69-74,共6页
本文从一维砂堆模型出发，研究自组织临界性．对系统状态、跌落粒子数、扰动范围，进行计算机模拟计算．引入几率平均假设，所得结果与实验吻合，从而得出了一维砂堆模型的初步理论解释．进一步获得了一些理论上的结论．
关键词 自组织临界性 一维砂堆模型 微观态 等几率假设
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电阻栅MOSFET电流模型分析
4
作者 朱秀菊 《辽宁师专学报（自然科学版）》 2000年第3期25-28,共4页
以普通长沟道MOSFET的电流模型为基础 ,推导出RG—MOSFET一级近似下电流模型的解析表达式 .
关键词 rg-mosfet 电流模型 电阻栅 载流子 漂移速度 电位分布 场效应晶体管
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