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尺寸可变的65nm多叉指射频CMOS器件模型提取与优化
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作者 任铮 李曦 +3 位作者 彭兴伟 胡少坚 石艳玲 赵宇航 《电子器件》 CAS 2011年第5期489-493,共5页
通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法。与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方... 通过对CMOS PSP直流核心模型进行STI参数的修正、探针电阻的引入和提取以及尺寸可变的源漏寄生电阻表达式的引入,呈现了一个尺寸可变的65 nm多叉指射频CMOS器件模型及其提取和优化方法。与实验数据比较结果表明,该模型及其提取和优化方法能够在14 GHz以内精确地预测器件性能。 展开更多
关键词 rfmosfet PSP模型 射频 65nm
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