RFMD推出GaAs HBT驱动功率放大器

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《电子元器件应用》 2004年第7期61-61,共1页

关键词 rfmd公司 GAAS HBT 功率放大器 性能

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RFMD进军蜂窝手机收发器市场

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《电子元器件应用》 2004年第5期J001-J001,共1页

关键词 rfmd公司 蜂窝手机 收发器 市场 射频集成电路

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RFMD公司POLARIS收发器

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《电子产品世界》 2005年第11B期31-31,共1页

RF Micro Devices公司（简称RFMD）宣布该公司已发运1000万片POLARIS无线收发器。该公司最畅销的无线收发器是用于EDGE手机的POLARIS 2 TOTAL RADIO收发器。RFMD预计将向领先的收发器客户以及新的EDGE手持终端客户大批量供应更多的POLA... RF Micro Devices公司（简称RFMD）宣布该公司已发运1000万片POLARIS无线收发器。该公司最畅销的无线收发器是用于EDGE手机的POLARIS 2 TOTAL RADIO收发器。RFMD预计将向领先的收发器客户以及新的EDGE手持终端客户大批量供应更多的POLARIS射频模块。凭借当前及未来POLARISRF解决方案的性能、尺寸和成本优势，RFMD使手机制造商能够设计出外形更小、功能更丰富且更高级的手机。RFMD的POLARIS收发器产品系列由用于GSM／GPRS手机的POLARIS1收发器芯片组、用于GSM／GPRS／EDGE手机的POLARIS2收发器芯片组以及用于GSM／GPRS及GSM／GPRS／EDGE手机的整合度更高、尺寸更小POLARIS射频模块组成。该系列收发器采用了开环极化调制架构。 展开更多

关键词 rfmd公司 无线收发器 GSM/GPRS 手机制造商 Devices EDGE GPRS手机 射频模块 Micro

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RFMD为韩国CDMA手机制造商发运3×3毫米的CDMA PA

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《电子质量》 2004年第4期J029-J029,共1页

关键词 rfmd公司 RF3163 CDMA 功率放大器

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RFMD接到第一个PowerSmart率平台的生产订单

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《电子与电脑》 2011年第2期106-106,共1页

日前，设计与制造高性能射频元件及复合半导体技术RFMD公司（RFMicro Devices，Inc．）日前宣布，其PowerSmart功率平台接到第一个量产订单。该生产订单主要应用于某主要手机设备制造商将在2011年3月（第一季度）推出的备受期待的智能... 日前，设计与制造高性能射频元件及复合半导体技术RFMD公司（RFMicro Devices，Inc．）日前宣布，其PowerSmart功率平台接到第一个量产订单。该生产订单主要应用于某主要手机设备制造商将在2011年3月（第一季度）推出的备受期待的智能手机和平板电脑系列。 展开更多

关键词 PowerSmart 生产订单 平台 DEVICES 设备制造商 rfmd公司 智能手机 半导体技术

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RFMD的高效线性功率放大器

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作者 孙再吉 《半导体信息》 2009年第4期19-,共1页

关键词 线性功率放大器 rfmd DBM

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RFMD推出首款绿色GaN CATV放大器模块

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作者 韩潇 《半导体信息》 2009年第6期18-19,共2页

RF micro devices推出了行业第一款绿色GaN基CATV放大器模块。该模块设计用作现有的和下一代CATV基础设施应用中的功率倍增放大器。D10040200PL1和D10040230PL1是混合电路功率倍增放大器模块。

关键词 功率倍增放大器 rfmd CATV GaN CATV 模块 模件

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RFMD推出GaN PHEMT新品

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作者 孙再吉 《半导体信息》 2008年第1期30-30,共1页

关键词 PHEMT rfmd 频率范围 功率晶体管 军用通信 功率性能 倍频程

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RFMD推出单片集成前端模块RF3482

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作者 章从福 《半导体信息》 2010年第4期6-6,共1页

RFMD宣布推出RF3482前端模块(FEM)。RFMD这款高度集成RF3482单片FEM集成了一单极WiFi功率放大器和一个在2.4 GHz到2.5 Ghz的ISM频段应用的单刀三掷开关(SP3T)。通过集成完整开关功能,RF3482能将WiFi和Bluetooth(R)收到或传达的信号路由... RFMD宣布推出RF3482前端模块(FEM)。RFMD这款高度集成RF3482单片FEM集成了一单极WiFi功率放大器和一个在2.4 GHz到2.5 Ghz的ISM频段应用的单刀三掷开关(SP3T)。通过集成完整开关功能,RF3482能将WiFi和Bluetooth(R)收到或传达的信号路由给二个晶片系统(SOC)的收发器,其典型的结构设计可在高性能家电和手机或者掌上型的WiFi中应用。另外。 展开更多

关键词 前端模块 RF3482 rfmd 收发器 BLUETOOTH 掌上型 开关功能 结构设计 能将 分流器

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RFMD携手ATMEL为智能能源推出ZigBee解决方案

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作者 马莉雅 《半导体信息》 2011年第4期19-19,共1页

RFMD新推出的RF6575 ZigBee前端模块(FEM)被同Atmel ATmega128RFA1单芯片解决方案相结合,由此创造出ATmega128RFA1参考设计。这款基于ZigBee的高性能解决方案为公共事业和消费领域在监控和节省能源方面提供更多控制。该解决方案主要针对... RFMD新推出的RF6575 ZigBee前端模块(FEM)被同Atmel ATmega128RFA1单芯片解决方案相结合,由此创造出ATmega128RFA1参考设计。这款基于ZigBee的高性能解决方案为公共事业和消费领域在监控和节省能源方面提供更多控制。该解决方案主要针对2.4 GHz至2.5GHz 展开更多

关键词 前端模块 ATMEL rfmd 芯片解决方案 参考设计 ATMEL 产品部 收发器 分立器件 整合度

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RFMD增加投资扩大GaAs圆片生产

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作者 孙再吉 《半导体信息》 2005年第3期8-9,共2页

据《Compound Smiconductor & Display Tech》2005年第3期报道,RF Mi- cro Devices(RFMD)增加投资7500万美元扩充其在北卡罗来纳州的GaAs 6英寸圆片的生产能力。 RFMD新投入的资金2500万美元用于洁净厂房建设。

关键词 圆片 rfmd 北卡罗来纳州 洁净厂房 诺基亚公司 其在 手机应用 生产周期

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RFMD推出为AMI和ISM波段设计的前端模块

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作者 孙再吉 《半导体信息》 2010年第6期8-8,共1页

关键词 前端模块 AMI ISM波 rfmd 可携式 封装尺寸 低插入损耗 整体组装 双刀 筛检

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RFMD公司推出高集成发射组件

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作者 陈裕权 《半导体信息》 2005年第1期14-15,共2页

美国RF Micro Devices公司推出了一种四波段全球移动通信系统/通用分组无线业务 (GSM/QPRS)蜂窝手机用高集成发射组件(TXM)。这种型号为RF3177的发射组件具有从手机功率放大器到手机天线各项发射机功能。 RF3177的尺寸为9×10×... 美国RF Micro Devices公司推出了一种四波段全球移动通信系统/通用分组无线业务 (GSM/QPRS)蜂窝手机用高集成发射组件(TXM)。这种型号为RF3177的发射组件具有从手机功率放大器到手机天线各项发射机功能。 RF3177的尺寸为9×10×1.5mm,薄片式封装,成本低。它有一个四波段GaAs 展开更多

关键词 rfmd 功率控制 片式 PHEMT 检波二极管 批量生产 匹配设计 接收端 辅助程序 工程技术人员

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RFMD新推出的RFCA3302高性能InGaP HBT MMIC放大器

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作者 吴琪乐 《半导体信息》 2012年第4期8-8,共1页

RFMD新推出的RFCA3302是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器,无需外部降压电阻器即可在+5 V单电源下工作。该组件具有高增益、高线性度和低失真的特点,且可在40 MHz至1008 MHz的频率范围下工作,因此非常适合于宽带电缆应用。集成的偏置电... RFMD新推出的RFCA3302是一款高性能InGaP HBT MMIC放大器,无需外部降压电阻器即可在+5 V单电源下工作。该组件具有高增益、高线性度和低失真的特点,且可在40 MHz至1008 MHz的频率范围下工作,因此非常适合于宽带电缆应用。集成的偏置电路可确保为其提供稳定的增益(在各种温度和工艺条件下)。该器件采用小型SOT-89封装,符合RoHS标准。特点:高增益,21 dB;高线性度;低失真。o 40 dBm IP3;o-65 dBc CSO;o-83 展开更多

关键词 高线性度 偏置电路 工艺条件 INGAP HBT MMIC RFCA3302 rfmd 单电源 频率范围 前置放大器 住宅单元

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RFMD推出新款超高效率4G LTE功率放大器

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作者 郑冬冬 《半导体信息》 2012年第2期15-15,共1页

日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布扩展其超高效率功率放大器(PA)产品系列,新加入六款4G LTE功率放大器。

关键词 LTE rfmd 复合半导体 全球领导者 技术设计 数据传输速率 电流消耗 线性性 功率管理 电池寿命

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RFMD开发出效率高达65%的75 W氮化镓功率晶体管

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作者 章从福 《半导体信息》 2011年第1期5-5,共1页

日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦... 日前,高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RF Micro Devices,Inc.宣布已通过并生产RF3932,这种无与伦比的75瓦特高效率氮化镓(GaN)射频功率晶体管(UPT)比砷化镓和硅工艺技术的性能更出色。RF3932是继最近140瓦特RF3934推出之后的续推产品,RF3934是RFMD的UPT系列中输出功率最高的器件。RFMD计划在2011年第一季度推出第三个氮化镓UPT器件,以扩大其氮化镓功率晶体管系列。 展开更多

关键词 功率晶体管 rfmd 氮化镓 全球领导者 复合半导体 砷化镓 技术设计 无线基础设施 功率密度 输出功率

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RFMD用于65V操作的GaN功率半导体工艺技术通过认证,可提供代工服务

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作者 江兴 《半导体信息》 2011年第3期19-20,共2页

RFMicro Devices,Inc.日前宣布,其用于65 V操作的GaN1功率半导体处理技术已通过认证。这种高可靠性的功率半导体工艺技术支持RFMD基于GaN的功率半导体产品设计,代工客户可通过RFMD代工服务业务部门获得该技术。

关键词 功率半导体 GAN rfmd 工艺技术 产品设计 设计功率 雷达应用 平均无故障时间 片芯 市场产品

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RFMD推出最新氮化镓工艺技术

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作者 吴琪乐 《半导体信息》 2012年第5期33-34,共2页

高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicro Devices日前宣布,扩展其RFMD业界领先的氮化镓工艺技术,包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。RFMD推出的最新氮化镓工艺技术一rGaN-HV<sup>... 高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicro Devices日前宣布,扩展其RFMD业界领先的氮化镓工艺技术,包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。RFMD推出的最新氮化镓工艺技术一rGaN-HV^TM-可在功率转换应用（1至50KW）中大幅度降低系统成本和能量消耗。RFMD推出的rGaN-HV^TM技术可为器件实现高达900伏特的击穿电压。 展开更多

关键词 氮化镓 rfmd 工艺技术 击穿电压 复合半导体 全球领导者 技术设计 功率转换 能量消耗 峰值电流

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RFMD开发出新型GaN宽带脉冲功率放大器

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作者 马莉雅 《半导体信息》 2011年第5期16-16,共1页

RFMD开发出的新型RFIIAl020是一款50 V 280 W的大功率分立放大器,专用于L波段脉冲雷达,空中交通管制和监督以及通用宽带放大器应用。RFHAl020是匹配高终端阻抗的功率晶体管,可实现280

关键词 GAN rfmd 宽带放大器 漏极 空中交通管制 带脉冲 功率晶体管 陶瓷封装 匹配网络 网络宽带

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RFMD宣布开发出四波段功放组件

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作者 陈裕权 《半导体信息》 2007年第5期20-21,共2页

关键词 rfmd 收发机 功率控制 系统演进 数据速率 多模手机 全球移动通信 最小移频键控 封装尺寸 数字通信系统

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