期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
射频前端RFFE总线的IP设计与应用 被引量：1
1
作者 石丙寅 郑建宏 《单片机与嵌入式系统应用》 2013年第12期34-37,共4页
MIPI射频前端控制接口(RFFE)是一种总线接口的标准,是最近两年多才发展起来的一门新兴技术,与I2 C、SPI总线相比有许多优点,可以使射频芯片更好地控制前端设备,更能满足未来无线移动系统的需求。本文首先对MIPI RFFE进行概述,然后具体... MIPI射频前端控制接口(RFFE)是一种总线接口的标准,是最近两年多才发展起来的一门新兴技术,与I2 C、SPI总线相比有许多优点,可以使射频芯片更好地控制前端设备,更能满足未来无线移动系统的需求。本文首先对MIPI RFFE进行概述,然后具体分析了该RFFE总线IP的实现思路和结构,最后用Verilog语言通过VCS进行仿真验证。该IP控制简单,易于实现,适于在挂载多个射频设备的接口中使用。 展开更多
关键词 rffe VERILOG语言 MIPI 接口
在线阅读 下载PDF
应用于2.4 GHz WIFI的高线性功率放大器的设计
2
作者 陈睿源 陈磊 《电子设计工程》 2025年第4期21-24,共4页
为满足2.4 GHz频段的WIFI射频前端芯片的需要,设计了一种基于SAIC HG工艺的高线性、高功率射频Ⅲ-Ⅴ族功率放大器(PA)。该PA采用了二级放大架构,实现了29 dBm的饱和输出功率。在2.4~2.5 GHz工作频段内增益达到28.8 dB。使用ADS热电子仿... 为满足2.4 GHz频段的WIFI射频前端芯片的需要,设计了一种基于SAIC HG工艺的高线性、高功率射频Ⅲ-Ⅴ族功率放大器(PA)。该PA采用了二级放大架构,实现了29 dBm的饱和输出功率。在2.4~2.5 GHz工作频段内增益达到28.8 dB。使用ADS热电子仿真在版图层面对PA的输出级功率单元布局进行优化,同时基于标准QFN封装对芯片进行了完整的封装体建模联合仿真。该PA在802.11ax MCS11 bandwidth 40 MHz 1024QAM调制下,线性功率为20 dBm@DEVM=-43 dB. 展开更多
关键词 射频前端 高线性 功率放大器 WIFI 热电子仿真 封装体仿真
在线阅读 下载PDF
大规模量产射频前端芯片的MIPI
3
作者 胡信伟 《今日制造与升级》 2023年第4期101-103,共3页
文章介绍了一种应用于大规模量产射频自动测试机与射频前端模组通过RFFE MIPI进行高速通信的有效方法。通过这种方法,量产测试机可以真正在较远距离下保证测试机与芯片之间的通信,执行测试机对芯片运行状态的控制,从而完成高速的量产测... 文章介绍了一种应用于大规模量产射频自动测试机与射频前端模组通过RFFE MIPI进行高速通信的有效方法。通过这种方法,量产测试机可以真正在较远距离下保证测试机与芯片之间的通信,执行测试机对芯片运行状态的控制,从而完成高速的量产测试的需求。 展开更多
关键词 MIPI rffe 高速数字通信 信号完整性分析
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部