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题名一种互补肖特基势垒源可重置的场效应晶体管
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作者
赵贺
靳晓诗
王冰
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机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《微处理机》
2025年第1期12-15,共4页
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文摘
针对器件尺寸微缩导致的短沟道效应和漏电流增加问题,提出一种基于互补肖特基势垒源的可重置场效应晶体管(CSBS-RFET)。研究了该器件在不同栅极电压下的可重置输出电流、能带和载流子浓度分布,并通过Silvaco TCAD仿真验证。实验表明采用无掺杂半导体与Er和Pt金属形成低肖特基势垒的设计可有效提高正向导通电流,同时显著降低关断电流和功耗。该器件在快速信息处理芯片领域具有良好的应用前景。
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关键词
肖特基势垒
XNOR逻辑门
可重置场效应晶体管
互补场效应晶体管
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Keywords
Schottky barrier
XNOR
rfet
CFET
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名基于互补掺杂源漏的双向高集成晶体管研究
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作者
张中山
靳晓诗
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机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《微处理机》
2025年第6期7-11,共5页
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基金
辽宁省教育厅面上项目“适用于人工智能专用芯片的高集成可重置逻辑门研究”(项目编号:JYTMS20231212)。
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文摘
针对具有双栅结构、源漏互补掺杂的可重构场效应晶体管(RFET)在双向应用中存在的局限性,以及其控制栅与编程栅需同时供电的复杂操作问题,提出一种采用三栅及浮栅结构、源漏互补掺杂的双向高集成可重构场效应晶体管。该器件的三栅结构优化了其双向应用的对称性,且在制备过程中,三栅结构无需像双栅结构那样过于关注控制栅形成时的严格自对准问题。浮动编程栅实现了器件的单栅供电操作,同时,浮栅存储电荷的非易失性特性有效降低了器件的静态功耗。在集成度方面,该器件采用U型结构设计,提高了集成度。
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关键词
可重构场效应晶体管
三栅
浮动编程栅
双向
高集成
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Keywords
rfet
tri-gate
floating programmable gate
bidirectional
high integration
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名一种非易失可重置单栅场效应晶体管
被引量：2
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作者
张瀚爽
刘溪
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机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《微处理机》
2023年第5期6-8,共3页
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文摘
针对常规可重置型场效应晶体管(RFET)操作复杂、集成度低和反向泄漏电流较高等问题,提出了一种非易失可重置单栅场效应晶体管(NV-RFET)。新设计利用在漏电极和源电极之间施加电势差对可重置浮栅进行重置,对比现有技术,在断电情况下依然可以长时间记录保持器件的导电类型,无需额外供电的编程栅电极,实现了较低的静态功耗和反向漏电流。对器件的开关控制功能仅通过单个栅电极即可实现,由此简化单元结构的复杂度,易于单元结构互连和集成度的提升。
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关键词
场效应管
可重置型晶体管
非易失性
可重置浮栅
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Keywords
Field-effect transistors
rfet
Non-volatile
Reconfigurable floating gates
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名一种非易失性可重构场效应晶体管研究
被引量：1
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作者
连丹纯
刘溪
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机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《微处理机》
2022年第4期14-17,共4页
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文摘
在传统可重构场效应晶体管基础上进行改进,提出一种非易失性浮动可编程栅极可重构场效应晶体管。设计引入非易失性电荷存储层作为浮动程序门,通过给浮动程序门加入一定的电荷,进一步促进正向导通并同时减小反向漏电流,在正常情况下只需要一个独立供电的控制门即可完成可重构要求。通过对比实验,分析电荷数量对转移特性的影响,获得正常工作下最理想电荷量。与传统器件相比,新设计实现了较低的亚阈值摆幅,在减小反向漏电时不会影响正向电流的大小,在实际应用中具有一定优势。
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关键词
可重构场效应晶体管
非易失性
浮动程序门
MOSFET器件
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Keywords
rfet
Non-volatile
Floating program gate
MOSFETs
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管研究
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作者
王妍
靳晓诗
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机构
沈阳工业大学信息科学与工程学院
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出处
《微处理机》
2022年第4期18-21,共4页
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文摘
为在现有RFET产品基础上寻求改进,设计提出一种高集成的双肖特基势垒型异或非可重构场效应晶体管(BSBRFET),不同于传统异或非门电路,只用单个晶体管即可实现异或非逻辑门功能。采用完全肖特基接触,屏蔽掉热电子发射电流,以带带隧穿电流作为正向导通机制;引入浮动源极来存储、积累电荷。遵循BSBRFET工作原理和输出特性一致性,在实验中对其异或非功能做出验证。与传统RFET相比,此器件能实现更低的亚阈值摆幅、更小的反向偏置电流、更高的开关电流比,在能够实现NXOR逻辑功能同时,对于提高输出特性一致性也具有优势。
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关键词
可重构场效应晶体管
双肖特基势垒
异或非
带带隧穿
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Keywords
rfet
Bilayer Schottky barrier
XNOR
Band-to-band tunneling
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分类号
TN386.3
[电子电信—物理电子学]
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