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RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发
被引量：
2
1
作者
刘军
孙玲玲
徐晓俊
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期131-137,共7页
在EKVv2·6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOSRFICCAD的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET...
在EKVv2·6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOSRFICCAD的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(CharteredSemiconductorManufactureLtd)0·25μmRF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0·24μm,宽W=9·58μm)n-MOSFET建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.
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关键词
低压低功耗
rf.mosfet
建模
EKVv2.6
射频寄生
解析提取
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职称材料
题名
RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发
被引量：
2
1
作者
刘军
孙玲玲
徐晓俊
机构
杭州电子科技大学微电子CAD所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期131-137,共7页
基金
国防科技重点实验室基金(No.51491010105DZ0401)
浙江省重大国际合作(No.2004C14004)资助项目~~
文摘
在EKVv2·6本征模型基础上发展出一种新的、可用于低压低功耗CMOSRFICCAD的RF-MOSFET模型,模型对栅氧化层寄生电阻以及有损基底损耗进行了考虑.在对晶体管零偏和线性工作态下等效电路进行分析的基础上,开发出新的解析提取RF-MOSFET器件射频寄生参数的算法.模型最终应用到采用CSM(CharteredSemiconductorManufactureLtd)0·25μmRF-CMOS工艺制造的一共源连接、8栅指(每指尺寸长L=0·24μm,宽W=9·58μm)n-MOSFET建模中,DC高达40GHz测量和仿真所得S参数对比结果验证了模型的良好精度.
关键词
低压低功耗
rf.mosfet
建模
EKVv2.6
射频寄生
解析提取
Keywords
low voltage low power
RF-MOSFET
modeling
EKVv2.6
RF parasitic
analytical extraction
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
RF-CMOS建模:面向低功耗应用的RF-MOSFET模型开发
刘军
孙玲玲
徐晓俊
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
2
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