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用于RF-LDMOS的分布式电热耦合模型
1
作者
孙晓红
张晓东
+2 位作者
胡善文
戴文华
高怀
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期831-834,共4页
为建立精确的RF-LDMOS大信号模型,提出分布式电热耦合模型.通过采用三维镜像法简单计算单指条的温度分布,进一步使用叠加原理计算得到多指条温度的横向分布,此模型的解析式使用热矩阵方程来表示,通过对计算结果的拟合提取热模型参数.与...
为建立精确的RF-LDMOS大信号模型,提出分布式电热耦合模型.通过采用三维镜像法简单计算单指条的温度分布,进一步使用叠加原理计算得到多指条温度的横向分布,此模型的解析式使用热矩阵方程来表示,通过对计算结果的拟合提取热模型参数.与传统热模型相比,此热模型通过使用指条之间的互热阻表征横向热流的相互作用,同时以分布的热RC网络为多指条建模,代替平均热电阻网络模型.计算结果表明,使用分布式电热耦合模型不仅能更精确反映温度的分布效应,而且可用于等比例缩放时更准确的预测平均热电阻.
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关键词
rf-ldmos
热模型
镜像法
热电阻
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职称材料
RF-LDMOS器件宏模型研究
2
作者
顾新艳
孙陈超
刘斯扬
《电子器件》
CAS
北大核心
2015年第6期1262-1267,共6页
射频器件模型是射频电路仿真的基本要素之一。为了解决射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管(RF-LDMOS)缺乏准确SPICE模型的问题。此处提出了一种适用于带封装结构的RF-LDMOS器件宏模型建模及提模方法,并采用MBP软件进行验证分析。结...
射频器件模型是射频电路仿真的基本要素之一。为了解决射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管(RF-LDMOS)缺乏准确SPICE模型的问题。此处提出了一种适用于带封装结构的RF-LDMOS器件宏模型建模及提模方法,并采用MBP软件进行验证分析。结果表明该宏模型建模方法能够很好的实现数据拟合,直流特性和射频特性的误差均在5%范围内,能够准确地反映器件的电学特性。
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关键词
封装
rf-ldmos
宏模型
MBP
电学特性
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职称材料
RF-LDMOS射频功率器件内匹配电路设计
被引量：
2
3
作者
杨光林
丛密芳
杜寰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期716-718,736,共4页
介绍了一种RF-LDMOS功率器件内匹配电路的设计方法。首先通过ADS/De-Embed提取管芯的S参数,得到其输入阻抗;然后建立LC内匹配电路,确定电容值、电感值以及提升的目标阻抗值;最后在HFSS中建立金丝键合线模型,确定金丝键合线的长度及根数...
介绍了一种RF-LDMOS功率器件内匹配电路的设计方法。首先通过ADS/De-Embed提取管芯的S参数,得到其输入阻抗;然后建立LC内匹配电路,确定电容值、电感值以及提升的目标阻抗值;最后在HFSS中建立金丝键合线模型,确定金丝键合线的长度及根数,完成内匹配电路的设计。该内匹配电路设计的目的是将管芯的输入阻抗提升为较大的阻值,使得在PCB上进行外匹配设计更为方便。设计仿真结果表明,通过在管壳内加入合适的内匹配电路,在目标频率1.2GHz时,将管芯的输入阻抗从0.8Ω提升到12.4Ω,S11小于-46dB,符合设计要求。为LDMOS功率器件设计者提供了一种有效的内匹配设计方法。
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关键词
rf-ldmos
内匹配电路
HFSS
ADS
原文传递
评估RF-LDMOS器件重要参数解析
4
作者
李树琪
《电子测试》
2015年第10期116-118,共3页
RF-LDMOS器件作为射频功率器件在目前的高频放大领域占据了很大的市场,从而评估这种器件的参数也变得非常重要。其作为场效应管的直流特性参数,电容特性参数以及高频应用领域的射频性能参数直接关系到对于RF-LDMOS器件是否优良的判断以...
RF-LDMOS器件作为射频功率器件在目前的高频放大领域占据了很大的市场,从而评估这种器件的参数也变得非常重要。其作为场效应管的直流特性参数,电容特性参数以及高频应用领域的射频性能参数直接关系到对于RF-LDMOS器件是否优良的判断以及是否能够在高频应用场合胜任的重要参考。
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关键词
rf-ldmos
器件
直流特性
电容特性
射频性能
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职称材料
射频功率放大器稳定性的分析与设计
被引量：
5
5
作者
韩月
丛密芳
+1 位作者
李科
杜寰
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第10期72-74,79,共4页
射频功率放大器的稳定性极大的影响了通信系统性能的可靠性,是通信系统中的重要组件.基于自主研发的RF-LDMOS器件,利用ADS软件设计了一款射频功率放大器,并研究了其稳定性.采用在栅极增加R-C并联电路的方法,改善功率放大器在100~200MHz...
射频功率放大器的稳定性极大的影响了通信系统性能的可靠性,是通信系统中的重要组件.基于自主研发的RF-LDMOS器件,利用ADS软件设计了一款射频功率放大器,并研究了其稳定性.采用在栅极增加R-C并联电路的方法,改善功率放大器在100~200MHz之间的稳定性.实验结果表明,R-C并联网络的阻抗在低于转折频率时为电阻型,高于转折频率时为电容型,因此在低频可以降低不需要的增益,而对工作频带内的增益和驻波性能没有明显影响.改善后的功率放大器在100~200MHz频段增益达到17.4dB以上,可稳定输出37.4dBm以上功率.
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关键词
射频功率放大器
rf-ldmos
稳定性
R-C并联电路
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职称材料
题名
用于RF-LDMOS的分布式电热耦合模型
1
作者
孙晓红
张晓东
胡善文
戴文华
高怀
机构
东南大学国家ASIC系统工程中心
苏州英诺迅科技有限公司
东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心
Infineon Technologies North America Corp
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第5期831-834,共4页
文摘
为建立精确的RF-LDMOS大信号模型,提出分布式电热耦合模型.通过采用三维镜像法简单计算单指条的温度分布,进一步使用叠加原理计算得到多指条温度的横向分布,此模型的解析式使用热矩阵方程来表示,通过对计算结果的拟合提取热模型参数.与传统热模型相比,此热模型通过使用指条之间的互热阻表征横向热流的相互作用,同时以分布的热RC网络为多指条建模,代替平均热电阻网络模型.计算结果表明,使用分布式电热耦合模型不仅能更精确反映温度的分布效应,而且可用于等比例缩放时更准确的预测平均热电阻.
关键词
rf-ldmos
热模型
镜像法
热电阻
Keywords
rf-ldmos
thermal model
image method
thermal resistance
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
RF-LDMOS器件宏模型研究
2
作者
顾新艳
孙陈超
刘斯扬
机构
南京工程学院汽车与轨道交通学院
东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心
出处
《电子器件》
CAS
北大核心
2015年第6期1262-1267,共6页
基金
国家自然科学基金项目(51405221)
文摘
射频器件模型是射频电路仿真的基本要素之一。为了解决射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管(RF-LDMOS)缺乏准确SPICE模型的问题。此处提出了一种适用于带封装结构的RF-LDMOS器件宏模型建模及提模方法,并采用MBP软件进行验证分析。结果表明该宏模型建模方法能够很好的实现数据拟合,直流特性和射频特性的误差均在5%范围内,能够准确地反映器件的电学特性。
关键词
封装
rf-ldmos
宏模型
MBP
电学特性
Keywords
packaged
rf-ldmos
macro model
MBP
electrical characteristics
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
RF-LDMOS射频功率器件内匹配电路设计
被引量：
2
3
作者
杨光林
丛密芳
杜寰
机构
中国科学院微电子研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第5期716-718,736,共4页
文摘
介绍了一种RF-LDMOS功率器件内匹配电路的设计方法。首先通过ADS/De-Embed提取管芯的S参数,得到其输入阻抗;然后建立LC内匹配电路,确定电容值、电感值以及提升的目标阻抗值;最后在HFSS中建立金丝键合线模型,确定金丝键合线的长度及根数,完成内匹配电路的设计。该内匹配电路设计的目的是将管芯的输入阻抗提升为较大的阻值,使得在PCB上进行外匹配设计更为方便。设计仿真结果表明,通过在管壳内加入合适的内匹配电路,在目标频率1.2GHz时,将管芯的输入阻抗从0.8Ω提升到12.4Ω,S11小于-46dB,符合设计要求。为LDMOS功率器件设计者提供了一种有效的内匹配设计方法。
关键词
rf-ldmos
内匹配电路
HFSS
ADS
Keywords
rf-ldmos
Inner matching circuit
HFSS
ADS
分类号
TN433 [电子电信—微电子学与固体电子学]
原文传递
题名
评估RF-LDMOS器件重要参数解析
4
作者
李树琪
机构
苏州远创达科技有限公司
出处
《电子测试》
2015年第10期116-118,共3页
文摘
RF-LDMOS器件作为射频功率器件在目前的高频放大领域占据了很大的市场,从而评估这种器件的参数也变得非常重要。其作为场效应管的直流特性参数,电容特性参数以及高频应用领域的射频性能参数直接关系到对于RF-LDMOS器件是否优良的判断以及是否能够在高频应用场合胜任的重要参考。
关键词
rf-ldmos
器件
直流特性
电容特性
射频性能
Keywords
rf-ldmos
device
DC characteristic
Capacitance characteristic
RF performance
分类号
TN929.5 [电子电信—通信与信息系统]
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
射频功率放大器稳定性的分析与设计
被引量：
5
5
作者
韩月
丛密芳
李科
杜寰
机构
中国科学院微电子研究所新技术开发部
中国科学院大学
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第10期72-74,79,共4页
文摘
射频功率放大器的稳定性极大的影响了通信系统性能的可靠性,是通信系统中的重要组件.基于自主研发的RF-LDMOS器件,利用ADS软件设计了一款射频功率放大器,并研究了其稳定性.采用在栅极增加R-C并联电路的方法,改善功率放大器在100~200MHz之间的稳定性.实验结果表明,R-C并联网络的阻抗在低于转折频率时为电阻型,高于转折频率时为电容型,因此在低频可以降低不需要的增益,而对工作频带内的增益和驻波性能没有明显影响.改善后的功率放大器在100~200MHz频段增益达到17.4dB以上,可稳定输出37.4dBm以上功率.
关键词
射频功率放大器
rf-ldmos
稳定性
R-C并联电路
Keywords
RF power amplifier
RF LDMOS
stability
The R-C parallel circuit
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于RF-LDMOS的分布式电热耦合模型
孙晓红
张晓东
胡善文
戴文华
高怀
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
RF-LDMOS器件宏模型研究
顾新艳
孙陈超
刘斯扬
《电子器件》
CAS
北大核心
2015
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
RF-LDMOS射频功率器件内匹配电路设计
杨光林
丛密芳
杜寰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2013
2
原文传递
4
评估RF-LDMOS器件重要参数解析
李树琪
《电子测试》
2015
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
射频功率放大器稳定性的分析与设计
韩月
丛密芳
李科
杜寰
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018
5
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职称材料
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