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RF/DC溅射316L/SiO_2复合膜力学性能与显微结构的研究 被引量:1
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作者 温伟祥 胡社军 +6 位作者 曾鹏 吴起白 谢光荣 黄拿灿 胡显奇 盛钢 盛忠 《真空》 CAS 北大核心 2001年第2期30-32,共3页
利用射频 /直流磁控溅射法制备了 316 L不锈钢 / Si O2 复合薄膜 ,并对其组织、相结构和力学性能进行了测试分析。结果表明 :直流磁控溅射 316 L不锈钢薄膜呈柱状晶结构 ,主要由 Fe- Cr和 - Fe相构成 ,在 Fe-Cr(110 )晶面出现明显择优... 利用射频 /直流磁控溅射法制备了 316 L不锈钢 / Si O2 复合薄膜 ,并对其组织、相结构和力学性能进行了测试分析。结果表明 :直流磁控溅射 316 L不锈钢薄膜呈柱状晶结构 ,主要由 Fe- Cr和 - Fe相构成 ,在 Fe-Cr(110 )晶面出现明显择优取向 ;由于 Si O2 的掺合 ,使 316 L不锈钢 / Si O2 复合薄膜柱状晶变细小 ,出现明显的二次柱状晶 ,Fe- Cr的 (110 )晶面择优取向消失 ,而 Fe- Cr的 (2 11)晶面衍射峰强度明显增强 ,316不锈钢膜硬度明显高于 316 L块体 ,掺入 Si O2 的金属 展开更多
关键词 rf/dc溅射 316L不锈钢 二氧化硅 金属基陶瓷增强复合膜 显微结构 力学性能
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Synthesis and Characterization of Copper Doped Zinc Oxide Thin Films Deposited by RF/DC Sputtering Technique
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作者 KHAN Mohibul ALAM Md.Shabaz AHMED Sk.Faruque 《Journal of Shanghai Jiaotong university(Science)》 EI 2023年第2期172-179,共8页
Undoped and copper(Cu)doped zinc oxide(Zn_(1-x)Cu_(x)O,where x=0-0.065)nano crystal thin films have been deposited on glass substrate via RF/DC reactive co-sputtering technique.The aim of this work is to investigate t... Undoped and copper(Cu)doped zinc oxide(Zn_(1-x)Cu_(x)O,where x=0-0.065)nano crystal thin films have been deposited on glass substrate via RF/DC reactive co-sputtering technique.The aim of this work is to investigate the crystal structure of ZnO and Cu doped ZnO thin films and also study the effect of Cu doping on optical band gap of ZnO thin films.The identification and confirmation of the crystallinity,film thickness and surface morphology of the nano range thin films are confirmed by using X-ray diffractometer(XRD),scanning electron microscope and atomic force microscope.The XRD peak at a diffractive angle of 34.44°and Miller indices at(002)confirms the ZnO thin films.Crystallite size of undoped ZnO thin films is 27 nm and decreases from 27 nm to 22 nm with increasing the atomic fraction of Cu(x_(Cu))in the ZnO thin films from 0 to 6.5%respectively,which is calculated from XRD(002)peaks.The different bonding information of all deposited films was investigated by Fourier transform infrared spectrometer in the range of wave number between 400 cm^(-1) to 4000 cm^(-1).Optical band gap energy of all deposited thin films was analyzed by ultraviolet visible spectrophotometer,which varies from 3.35 eV to 3.19 eV with the increase of x_(Cu) from 0 to 6.5%respectively.Urbach energy of the deposited thin films increases from 115 meV to 228 meV with the increase of x_(Cu) from 0 to 6.5% respectively. 展开更多
关键词 Cu-ZnO thin films rf/dc sputtering technique X-ray diffraction atomic force microscope optical property Urbach energy
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金刚石SBD及RF-DC电路应用研究
3
作者 马源辰 任泽阳 +5 位作者 李逸江 张金风 许琦辉 苏凯 张进成 郝跃 《固体电子学研究与进展》 2024年第6期547-551,共5页
采用微波等离子体化学气相沉积设备对单晶金刚石衬底进行氢等离子体处理,形成氢终端金刚石表面空穴电导,制备氢终端肖特基二极管。二极管采用金作为阴极金属,铝作为肖特基金属。接着通过金线键合技术制备了RF-DC电路。二极管表现出良好... 采用微波等离子体化学气相沉积设备对单晶金刚石衬底进行氢等离子体处理,形成氢终端金刚石表面空穴电导,制备氢终端肖特基二极管。二极管采用金作为阴极金属,铝作为肖特基金属。接着通过金线键合技术制备了RF-DC电路。二极管表现出良好的整流特性,在正向电压为-5 V时,电流大小为1.13 mA。RF-DC电路采用了双金刚石肖特基二极管,确保信号输入的全周期都能保持工作。在10 MHz频段下,成功将射频电压信号由7 V的交流电转变成平均电压为1.97 V的直流电,转换效率为13.3%,与仿真结果一致。实验结果表明了金刚石肖特基二极管应用于RF-DC电路的可行性。 展开更多
关键词 氢终端金刚石 肖特基二极管(SBD) rf-dc电路 整流特性
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Design of Dipoles for the RF Energy Harvesting System Dedicated to GSM Applications
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作者 Abdoul Karim Mbodji Mohamed El Moctar +1 位作者 Malang Kambaye Ousmane Dieme 《Energy and Power Engineering》 2025年第1期1-12,共12页
Nowadays, we are witnessing an era marked by the autonomy of wireless devices and sensor networks without the aid of batteries. RF energy harvesting therefore becomes a promising alternative for battery dependence. Th... Nowadays, we are witnessing an era marked by the autonomy of wireless devices and sensor networks without the aid of batteries. RF energy harvesting therefore becomes a promising alternative for battery dependence. This work presents the design of an RF energy harvesting system consisting mainly of a rectenna (antenna and rectification circuit) and an adaptation circuit. First of all, we designed two dipole type antennas. One operates in the GSM 900 MHz band and the other in the GSM 1800 MHz band. The performances of the proposed antennas are provided by the ANSYS HFSS software. Secondly, we proposed two rectification circuits in order to obtain conversion efficiencies at 0 dBm of 64% for the system operating at the frequency of 900 MHz and 37% for the system at the frequency of 1800 MHz RF-DC. The rectifiers used are based on Schottky diodes. For maximum transfer of power between the antenna and the rectification circuit, L-type matching circuits have been proposed. This rectifier offers DC voltage values of 806 mV for the circuit at the frequency of 900 MHz and 616 mV for the circuit at the frequency of 1800 MHz. The adaptation circuits are obtained by carrying out simulations on the ADS (Advanced Design System) software. 展开更多
关键词 RECTENNA ANTENNA rf-dc Conversion Schottky Diode Efficiency rf Energy Harvesting
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Correlation between the whole small recess offset and electrical performance of InP-based HEMTs
5
作者 GONG Hang ZHOU Fu-Gui +5 位作者 FENG Rui-Ze FENG Zhi-Yu LIU Tong SHI Jing-Yuan SU Yong-Bo JIN Zhi 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第1期40-45,共6页
In this work,we investigate the impact of the whole small recess offset on DC and RF characteristics of InP high electron mobility transistors(HEMTs).L_(g)=80 nm HEMTs are fabricated with a double-recessed gate proces... In this work,we investigate the impact of the whole small recess offset on DC and RF characteristics of InP high electron mobility transistors(HEMTs).L_(g)=80 nm HEMTs are fabricated with a double-recessed gate process.We focus on their DC and RF responses,including the maximum transconductance(g_(m_max)),ON-resistance(R_(ON)),current-gain cutoff frequency(f_(T)),and maximum oscillation frequency(f_(max)).The devices have almost same RON.The g_(m_max) improves as the whole small recess moves toward the source.However,a small gate to source capacitance(C_(gs))and a small drain output conductance(g_(ds))lead to the largest f_(T),although the whole small gate recess moves toward the drain leads to the smaller g_(m_max).According to the small-signal modeling,the device with the whole small recess toward drain exhibits an excellent RF characteristics,such as f_(T)=372 GHz and f_(max)=394 GHz.This result is achieved by paying attention to adjust resistive and capacitive parasitics,which play a key role in high-frequency response. 展开更多
关键词 InP high-electron-mobility transistor(InP HEMT) INGAAS/INALAS dc/rf characteristic smallsignal modeling double-recessed gate process
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DC~30GHz并联接触式RF MEMS开关的设计与制造 被引量:6
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作者 侯智昊 刘泽文 李志坚 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1922-1927,共6页
对适用于DC~30GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究。利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触。使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上... 对适用于DC~30GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究。利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触。使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗。所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60V,上下电极的接触电阻为0.1Ω。插入损耗为-0.03dB@1GH,-0.13dB@10GHz和-0.19dB@20GHz,在DC~30GHz的插入损耗都<-0.5dB;隔离度为-47dB@1GHz,-30dB@10GHz和-25dB@20GHz,在DC~30GHz的隔高度都>-23dB。测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC~30GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关。 展开更多
关键词 微机电系统 rf MEMS开关 并联接触
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无线电力传输接收系统RF-DC转换模块的设计 被引量:2
7
作者 陈莉 张晨阳 +1 位作者 王秉森 刘宝航 《电子技术应用》 2018年第5期33-35,38,共4页
传统桥式全波RF-DC变换电路在设计过程中忽略了二极管导通损耗,从而影响系统效率。采用了E类零电压开关(Zero Voltage Switching,ZVS)RF-DC变换电路,设计了谐振频率为8 MHz,输入功率为1.21 W的无线电力传输系统接收模块。并利用multisi... 传统桥式全波RF-DC变换电路在设计过程中忽略了二极管导通损耗,从而影响系统效率。采用了E类零电压开关(Zero Voltage Switching,ZVS)RF-DC变换电路,设计了谐振频率为8 MHz,输入功率为1.21 W的无线电力传输系统接收模块。并利用multisim软件进行了仿真。结果表明,该设计方法降低了二极管导通损耗,有效避免了传统桥式全波RF-DC变换电路存在的缺陷,效率可达92%。 展开更多
关键词 无线电能传输 E类零电压开关 rf-dc变换
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基于GaAs STATZ模型的RF MOSFET DC建模技术 被引量:2
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作者 程加力 韩波 +2 位作者 李寿林 翟国华 高建军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期591-594,603,共5页
STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻... STATZ模型是表征GaAsMESFET特性的常用模型,具有表达式简洁、参数少的优点。通过尝试将STATZ模型用于表征射频MOSFET的直流特性,提取并在ADS软件中优化了STATZ直流模型的参数。为了提高仿真精度,模型必须考虑晶体管漏极与源极的寄生电阻,根据MOSFET处于强反型区且漏-源电压为零时的等效电路模型提取了晶体管的漏极和源极的寄生电阻。在ADS软件中利用STATZ模型对MOSFET的直流特性进行了仿真,测量的MOSFET直流曲线与仿真曲线一致性很好,验证了模型的良好的精确度,证明了GaAs STATZ模型可以用于表征射频MOSFET的直流特性。晶体管采用中芯国际的0.13μm RF CMOS工艺制作。 展开更多
关键词 等效电路模型 参数提取 射频MOSFET GAAS STATZ模型 直流模型
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DC-RF混合等离子体温度及流场的数值计算
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作者 陈文波 冯军 +2 位作者 陈伦江 阳璞琼 刘川东 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期1191-1197,共7页
直流-射频(DC-RF)混合等离子体在材料合成领域有着较大的优势。为了对这种混合等离子体的特性进行分析,本文采用基于磁流体力学方程的DC-RF等离子体模型,数值分析了操作参数的改变对混合等离子体流场的影响效应。计算结果表明,直流电弧... 直流-射频(DC-RF)混合等离子体在材料合成领域有着较大的优势。为了对这种混合等离子体的特性进行分析,本文采用基于磁流体力学方程的DC-RF等离子体模型,数值分析了操作参数的改变对混合等离子体流场的影响效应。计算结果表明,直流电弧电流及工作气体流量的增加,主要使反应室中心区域处的混合等离子体轴向速度增加,并改变该区域内的温度及流场分布。但对反应室出口位置处的速度及温度分布影响不大。因此,可以通过调节直流电弧电流及工作气体流量的大小来改变混合等离子体的流场分布,从而满足特定材料处理工艺的需要。 展开更多
关键词 直流-射频 混合等离子体 温度分布 流场分布
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基于湍流模型的DC-RF混合等离子体流动及传热特性研究
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作者 陈文波 李自军 +2 位作者 陈伦江 冯军 阳璞琼 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期38-46,共9页
直流-射频(Direct Current-Radio Frequency,DC-RF)混合等离子体具有高温、高化学活性等特点,在核用超细粉末材料制备领域有着广阔的应用前景。对这种混合等离子体的特性进行研究,可以为等离子体发生器装置的设计及稳定运行提供参考。... 直流-射频(Direct Current-Radio Frequency,DC-RF)混合等离子体具有高温、高化学活性等特点,在核用超细粉末材料制备领域有着广阔的应用前景。对这种混合等离子体的特性进行研究,可以为等离子体发生器装置的设计及稳定运行提供参考。本文采用k-ε湍流模型,对DC-RF混合等离子体发生器内的热等离子体的温度及流场空间分布进行模拟,并在此基础上分析了各工作参数对混合等离子体流动及传热特性的影响。模拟结果表明:提高DC弧电流、增大反应气及冷却气流量均能减弱混合等离子体发生器入口处的回流效应;提升RF线圈电流则能增加RF线圈附近的等离子体温度及高温弧区面积,但过大的气流量及过高的线圈电流会对发生器装置的正常工作产生不利影响。因此,需要合理调节各种工作参数来改变混合等离子体的流场分布,从而在保证装置稳定运行的前提下满足不同材料处理的需求。 展开更多
关键词 直流-射频混合等离子体 湍流模型 温度 流场 数值模拟
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移动通信信号对射频能量采集系统中RF-DC整流电路的影响分析 被引量:3
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作者 王忠川 秦卫平 《通信技术》 2018年第12期3006-3013,共8页
随着无线技术的飞速发展,无线技术传递信息的同时也可以进行能量的传递。空间环境中遍布各种无线信号,特别是移动通信信号,这些信号能量的收集技术已成为科学研究领域的研究热点。随着传感器等微型化、低功耗电子器件的普及,从周围环境... 随着无线技术的飞速发展,无线技术传递信息的同时也可以进行能量的传递。空间环境中遍布各种无线信号,特别是移动通信信号,这些信号能量的收集技术已成为科学研究领域的研究热点。随着传感器等微型化、低功耗电子器件的普及,从周围环境中收集能量为其供电已成为可能。因此,首先介绍射频能量收集系统的各部分组成,分析系统中能量转化效率;其次,介绍射频整流电路;最后,分析移动通信中2G和3G信号,分别是GSM信号、WCDMA信号和CDMA2000信号的特点,以及正弦信号对系统能量转化效率的影响。 展开更多
关键词 射频能量收集 无线能量转化 整流电路 能量转化效率 移动通信信号
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A One-Dimensional Hybrid Simulation of DC/RF Combined Driven Capacitive Plasma 被引量:1
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作者 WANG Shuai XU Xiang WANG Younian 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第1期32-36,共5页
We developed a one-dimensional hybrid model to simulate the DC/RF combined driven capacitively coupled plasma for argon discharges. The numerical results are used to analyze the influence of the DC source on the plasm... We developed a one-dimensional hybrid model to simulate the DC/RF combined driven capacitively coupled plasma for argon discharges. The numerical results are used to analyze the influence of the DC source on the plasma density distribution, ion energy distributions (IEDs) and ion angle distributions (IADs) on both the RF and DC electrodes. The increase in DC voltage drives more high-energy ions to the electrode applied to the DC source, which makes the IEDs at the DC electrode shift towards higher energy, and the peaks in the IADs shift towards small angle regions. At the same time, it also decreases the ion energy at the RF electrode and enlarges the incident angles of the ions, which strike the RF electrode. 展开更多
关键词 capacitively coupled plasmas dc/rf combined driven hybrid model IEDs IADs
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Comparison of Surface Modification of CR-39 Polymer Film Using RF and DC Glow Discharges Plasma
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作者 Mohamed Hassouba Nagia Dawood 《Journal of Modern Physics》 2017年第12期2021-2033,共13页
Surfaces of optical elements are deposited by antireflection coatings (ARCs) to decrease the reflection of light. Surface needs treatment before depositing the ARC one of treatment processes by plasma for adhesion imp... Surfaces of optical elements are deposited by antireflection coatings (ARCs) to decrease the reflection of light. Surface needs treatment before depositing the ARC one of treatment processes by plasma for adhesion improvement and surface hardening. A comparison of RF and DC glow discharges treated CR-39 polymer films gives insight into the mechanism of these surface processes. The surface properties of the plasma-treated samples are examined by microscopy techniques include contact angle measurements, scanning electron microscopy (SEM), atomic force microscopy (AFM), infrared (IR) spectroscopy and refractive index measurements. Results show that the plasma treatment modifies the polymer surface in both composition and morphology. It is found that the surface wettability is enhanced after plasma treatment. It is found that, RF plasma is more effective than DC plasma in CR-39 surface modification, as it implants more oxygen atoms into the surface and makes the contact angle declining to a lower level. 展开更多
关键词 Surface MODIFICATION by PLASMA rf DISCHARGE dc DISCHARGE CR-39 Polymer FILM
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毫米波串联接触式RF MEMS开关的设计与制造 被引量:6
14
作者 侯智昊 朱锋 +1 位作者 郁元卫 朱健 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期141-144,共4页
设计了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关。为了在毫米波波段获得较高的隔离度,通过使用短截线结构,以降低输入输出端口的耦合电容。为了获得可靠的金属接触,设计了一种改进型的"蟹形"桥结构。测试结果显示,在30G... 设计了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关。为了在毫米波波段获得较高的隔离度,通过使用短截线结构,以降低输入输出端口的耦合电容。为了获得可靠的金属接触,设计了一种改进型的"蟹形"桥结构。测试结果显示,在30GHz,插入损耗为-0.3dB,隔离度为-20dB。在DC~40GHz的频率范围内,插入损耗优于-0.5dB,隔离度优于-20dB。所设计的串联接触式RF MEMS开关,可应用于20~40GHz的频率范围内。 展开更多
关键词 射频微机电系统开关 串联接触式 毫米波
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带有DCOC结构的中频可编程增益放大器 被引量:2
15
作者 陈曦 王自强 +1 位作者 张春 王志华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1041-1045,共5页
介绍了一种用于射频识别接收机、能有效消除直流失调的中频可编程增益放大器。单级放大器的仿真结果可提供-10~20dB的增益控制范围,增益步长为2dB,增益误差小于0.3dB。通过在直流失调消除环路中增加一级滤波器的方法,有效地降低了直流... 介绍了一种用于射频识别接收机、能有效消除直流失调的中频可编程增益放大器。单级放大器的仿真结果可提供-10~20dB的增益控制范围,增益步长为2dB,增益误差小于0.3dB。通过在直流失调消除环路中增加一级滤波器的方法,有效地降低了直流失调和低频噪声,在40kHz工作频率下等效输入噪声电压38.04nV/Hz,直流失调消除电路可将输出直流失调量抑制在输入失调量的2%范围以内。电路采用0.18μm1P6MCMOS工艺实现。 展开更多
关键词 增益可编程放大器 直流失调消除环路 低噪声 射频识别
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Enslavement of Wireless Sensor Network to an RF Energy Harvesting System
16
作者 Alex Mouapi Nadir Hakem 《Open Journal of Antennas and Propagation》 2017年第2期63-82,共20页
The abundance of telecommunications systems makes it possible to have somewhat significant quantity of radiofrequency energy in the environment. This energy can be recycled to power ultra-low-power devices such as Wir... The abundance of telecommunications systems makes it possible to have somewhat significant quantity of radiofrequency energy in the environment. This energy can be recycled to power ultra-low-power devices such as Wireless Sensor Network (WSN). In this paper, the performance of a miniature RF/DC converter is evaluated in order to enslave a WSN’s per-formance to the amount of the recovered energy. More precisely, a highly sensitive and efficient rectifier is designed to achieve optimum performance in the GSM band. The design method relies on a judicious choice of the rectifying diode which is the basis of most losses in a rectifying antenna (rectenna). Optimum performance is achieved by using the gradient method search proposed in the Advanced Design System (ADS) software. A rectifier based on Schottky diodes HSMS 2850 used in a voltage doubler topology is thus obtained. A maximum RF/DC conversion efficiency of 36% is reached for an RF input power level of 10 dBm. An energy budget of a sensor node in a WSN having an equitable distribution of network loads is then defined and used to evaluate the performance of the WSN regarding the distance at which the Base Station (BS) can be located. The Low Energy Adaptive Clustering Hierarchy (LEACH) protocol is used for this purpose. The distance separating the WSN from the BS is used as the enslavement parameter. Our analysis shows that increasing the duration of each round results in an increase in the range of the WSN. As an example, a network with 100 nodes distributed over an area of may be located at 1.3 km from the base station when each node of the WSN must perform measurements every 1 min. 展开更多
关键词 WSN RECTENNA HSMS 2850 DIODE rf/dc Efficiency LEACH Protocol
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低驱动电压两端固定“桥”式RF MEMS开关的研制
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作者 孙建海 崔大付 张璐璐 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2009年第10期81-82,共2页
文中介绍了一低驱动电压接触式RF-MEMS开关,开关采取了两端固定的"桥式"结构,在桥与支撑点间采用折叠弯曲的铰链结构,而且紧靠中央信号线的旁边各有一个较大面积的电极,这些措施降低了开关的驱动电压。整个工艺采用表面微加工工艺。... 文中介绍了一低驱动电压接触式RF-MEMS开关,开关采取了两端固定的"桥式"结构,在桥与支撑点间采用折叠弯曲的铰链结构,而且紧靠中央信号线的旁边各有一个较大面积的电极,这些措施降低了开关的驱动电压。整个工艺采用表面微加工工艺。由实验测试可知:开关驱动电压11 V左右,与ANSYS模拟的值12 V基本一致,开关的S参数,在的范围内,插入损耗要小于-1 dB,在频段(≤5 GHz),开关的隔离度要优于-30 dB,在频段5~10 GHz,隔离度也要高于-20 dB. 展开更多
关键词 rf-MEMS开关 驱动电压 隔离度
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基于PCA-RF直流炉中间点温度预测控制 被引量:2
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作者 梁伟平 鲍鹏凯 《仪器仪表用户》 2021年第7期86-89,79,共5页
针对直流炉中间点温度难预测的问题,提出了一种基于PCA(主成分分析)-RF(随机森林)的直流锅炉中间点温度预测的方法。基于某电厂的一段DCS系统运行数据,通过数据预处理采集到与之相关的8个因素,以预测的相对误差为评价指标,构建了PCA-RF... 针对直流炉中间点温度难预测的问题,提出了一种基于PCA(主成分分析)-RF(随机森林)的直流锅炉中间点温度预测的方法。基于某电厂的一段DCS系统运行数据,通过数据预处理采集到与之相关的8个因素,以预测的相对误差为评价指标,构建了PCA-RF预测模型,预测了直流锅炉中间点温度,同时与其它预测模型的仿真曲线对比,结果表明该模型的预测精度高一些,对于中间点温度的预测具有一定的有效性。 展开更多
关键词 直流锅炉 中间点温度 PCA(主成分分析) rf(随机森林)
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Energy Factor and Mathematical Modeling for Power DC/DC Converters
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作者 罗方林 HongYE 《电工电能新技术》 CSCD 2004年第3期6-12,54,共8页
Mathematical modelling for power DC/DC converters is a historical problem accompanying DC/DC conversion technology since 1940’s. The traditional mathematical modelling is not available for complex structure converter... Mathematical modelling for power DC/DC converters is a historical problem accompanying DC/DC conversion technology since 1940’s. The traditional mathematical modelling is not available for complex structure converters since the differential equation order increases very high. We have to search other way to establish mathematical modelling for power DC/DC converters.We have theoretically defined a new concept-Energy Factor (EF) in this paper and researched the relations between EF and the mathematical modelling for power DC/DC converters. EF is a new concept in power DC/DC conversion technology, which thoroughly differs from the traditional concepts such as power factor (PF), power transfer efficiency (η), total harmonic distortion (THD) and ripple factor (RF). EF and the subsequential EFV (and EFVD) can illustrate the system stability, reference response and interference recovery. This investigation is very helpful for system design and DC/DC converters characteristics foreseeing. Two DC/DC converters: Buck converter and Super-Lift Luo-Converter as the samples are analysed in this paper to demonstrate the applications of EF, EFV (and EFVD), PE, SE, VE (and VED), time constant τ and damping time constant τd. 展开更多
关键词 dc/dc 变换器 THD rf CDM
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用于射频能量收集的低阈值CMOS整流电路设计
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作者 徐雷钧 孙鑫 +1 位作者 白雪 陈建锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期365-372,共8页
基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低... 基于TSMC 180 nm工艺,设计了一款高效率低阈值整流电路。在传统差分输入交叉耦合整流电路的基础上,提出源极与衬底之间增加双PMOS对称辅助晶体管配合缓冲电容的改进结构,对整流晶体管进行阈值补偿。有效缓解了MOS管的衬底偏置效应,降低了整流电路的开启阈值电压,针对较低输入信号功率,提高了整流电路的功率转换效率(PCE)。同时将低阈值整流电路三级级联以提高输出电压。测试结果显示,在输入信号功率为-14 dBm@915 MHz时,三级级联低阈值整流电路实现了升压功能,能稳定输出1.2 V电压,峰值PCE约为71.32%。相较于传统结构,该低阈值整流电路更适合用于射频能量收集。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(CMOS) 射频能量收集 低阈值电压 rf-dc整流电路 差分输入交叉耦合整流电路
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