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RF-MEMS的系统级封装 被引量:2
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作者 杨宇 蔡坚 +2 位作者 刘泽文 王水弟 贾松良 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第5期45-48,共4页
射频(RF)技术在现代通信领域正得到越来越广泛的应用,用MEMS方法制备的射频元件不仅尺寸小、成本低、功能强大,而且更利于系统集成。系统级封装(SIP)寄生效应小、集成度高的优点特别适合用来封装RF-MEMS系统。本文介绍了系统级封装的发... 射频(RF)技术在现代通信领域正得到越来越广泛的应用,用MEMS方法制备的射频元件不仅尺寸小、成本低、功能强大,而且更利于系统集成。系统级封装(SIP)寄生效应小、集成度高的优点特别适合用来封装RF-MEMS系统。本文介绍了系统级封装的发展现状特别是在射频领域的应用,同时重点分析了在RF-MEMS系统级封装中封装结构、元件集成、互连及封装材料等几个关键问题。 展开更多
关键词 系统级封装 射频技术 无线通信 微机电系统 无源器件集成 互连 rf-MEMS
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RF CMOS工艺片上MOM电容的宽频带建模与验证
2
作者 吴园园 刘军 +1 位作者 周文勇 李嵬 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第4期332-338,共7页
提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法。为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路。测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时... 提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法。为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路。测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时引入的各种寄生效应。互连线模型考虑了高频时的趋肤效应。通过解析提取的方法,在低频时提取测试结构引入的容性和阻性寄生参数。采用物理公式计算互连线的等效电感和电阻以及高频下互连线产生的趋肤效应参数初值。对于模型拓扑结构和参数提取方法,采用40 nm RF CMOS工艺上设计所得连带测试结构MOM电容数据进行验证。在0.25~110 GHz的频率范围内,可得测试和仿真的S参数精确吻合。 展开更多
关键词 rf CMOS技术 金属-氧化物-金属(MOM)电容 宽频带建模 互连线 趋肤效应 紧凑型模型
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一种基于SiP技术的射频开关矩阵设计 被引量:1
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作者 杨勋 张磊 +2 位作者 蒋明眼 周洋舟 程鹏 《压电与声光》 北大核心 2025年第4期716-720,共5页
针对新一代通信、雷达、卫星等领域对射频开关矩阵小型化、通用化的应用需求,设计了一种射频开关矩阵,采用基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺的系统级封装(SiP)技术,在仅18 mm×10.5 mm×3 mm尺寸下实现了3×2射频开关矩阵的高度... 针对新一代通信、雷达、卫星等领域对射频开关矩阵小型化、通用化的应用需求,设计了一种射频开关矩阵,采用基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺的系统级封装(SiP)技术,在仅18 mm×10.5 mm×3 mm尺寸下实现了3×2射频开关矩阵的高度集成,具有高隔离、低插损、体积小、成本低、可扩展性与复用性强等特点。经仿真计算与实物测试验证,该射频开关矩阵性能满足工程多样化应用场景的需求,具有较高的工程应用价值。 展开更多
关键词 射频开关矩阵 小型化 垂直互连
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超深亚微米集成电路中的互连问题——低k介质与Cu的互连集成技术 被引量:44
4
作者 王阳元 康晋锋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第11期1121-1134,共14页
半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之... 半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求 ,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战 ,其中 Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一 ,也是互连集成技术的解决方案之一 .在对互连集成技术中面临的技术与物理挑战的特点和可能的解决途径概括性介绍的基础上 ,重点介绍和评述了低 k介质和 Cu的互连集成技术及其所面临关键的技术问题 ,同时还对三维集成互连技术、RF互连技术和光互连技术等 展开更多
关键词 超深亚微米 集成电路 低K介质 互连集成技术 rf互连 光互连
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1~40 GHz硅基射频微系统无源互连结构PDK设计与验证
5
作者 殷子洲 刘德喜 +3 位作者 薛廷 史磊 刘亚威 景翠 《遥测遥控》 2025年第3期119-126,共8页
随着5G通信和毫米波技术的快速发展,射频微系统对高频无源互连结构的性能需求日益提升。针对传统设计流程中工艺数据分散、模型孤立导致的效率瓶颈,本文提出了一种1~40 GHz硅基无源互连结构工艺设计包(PDK)的自主开发方案。基于等效电... 随着5G通信和毫米波技术的快速发展,射频微系统对高频无源互连结构的性能需求日益提升。针对传统设计流程中工艺数据分散、模型孤立导致的效率瓶颈,本文提出了一种1~40 GHz硅基无源互连结构工艺设计包(PDK)的自主开发方案。基于等效电路模型与HFSS全波仿真数据融合校准方法,构建了接地共面波导(GCPW)、微凸点等核心结构的参数化模型,并通过梯度优化算法实现模型的高精度匹配。在Keysight ADS平台上完成了PDK开发,包含符号库、参数化单元、设计规则及验证流程。实验结果表明:所开发的PDK在1~40 GHz频段内S参数均方根误差低于10%。基于此PDK,完成了X频段射频微系统仿真设计,微系统满足指标要求,验证了PDK的有效性。该PDK为高频射频系统的高效设计与工艺协同提供了可靠支撑。 展开更多
关键词 硅基无源互连结构 工艺设计包(PDK) 等效电路模型 射频微系统
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BGA在微系统宽带射频互联中的应用 被引量:17
6
作者 向伟玮 张继帆 +2 位作者 董东 卢茜 王辉 《电子工艺技术》 2016年第2期71-73,93,共4页
针对微系统技术和产品发展的需求,通过模拟仿真设计保证了BGA在0.5~20.0 GHz范围内具有良好的宽带射频信号传输性能,并通过样件实测验证单个BGA的传输损耗和驻波比可以控制在0.5 d B和2以内。该结果可以为功能集成微系统提供一种高密度... 针对微系统技术和产品发展的需求,通过模拟仿真设计保证了BGA在0.5~20.0 GHz范围内具有良好的宽带射频信号传输性能,并通过样件实测验证单个BGA的传输损耗和驻波比可以控制在0.5 d B和2以内。该结果可以为功能集成微系统提供一种高密度宽带数模混合信号垂直传输解决方案,同时将改变微系统功能单元的集成和互联形态。 展开更多
关键词 BGA 宽带 射频 互联
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射频微系统关键技术进展及展望 被引量:19
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作者 徐锐敏 王欢鹏 徐跃杭 《微波学报》 CSCD 北大核心 2023年第5期70-78,共9页
文章简单介绍了微波集成电路的发展动态,综述了以美国DARPA为代表的国内外机构在射频微系统方面的重大研究计划及其水平,简述了射频微系统在通信、雷达、相控阵等领域的代表性应用,并总结了射频微系统互连、仿真与优化和集成架构设计等... 文章简单介绍了微波集成电路的发展动态,综述了以美国DARPA为代表的国内外机构在射频微系统方面的重大研究计划及其水平,简述了射频微系统在通信、雷达、相控阵等领域的代表性应用,并总结了射频微系统互连、仿真与优化和集成架构设计等三个关键技术及其进展情况,最后对射频微系统今后的发展趋势做出了展望。 展开更多
关键词 射频微系统 三维集成互连 多物理场仿真 三维集成架构
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毫米波射频互连微组装工艺优化研究 被引量:7
8
作者 任榕 卢绍英 +2 位作者 赵丹 解启林 邱颖霞 《电子与封装》 2013年第10期1-4,9,共5页
在毫米波产品的装配中,射频互连微组装工艺是影响产品性能的一个重要因素。采用三维电磁仿真软件对毫米波频段的组装缝隙宽度、金丝热超声楔焊跨距及拱高进行了建模仿真,分析了上述因素对驻波的影响。针对模拟仿真优化结果,给出了毫米... 在毫米波产品的装配中,射频互连微组装工艺是影响产品性能的一个重要因素。采用三维电磁仿真软件对毫米波频段的组装缝隙宽度、金丝热超声楔焊跨距及拱高进行了建模仿真,分析了上述因素对驻波的影响。针对模拟仿真优化结果,给出了毫米波射频互连装配精度控制、接地焊接效果优化、金丝热超声楔焊线型及键合参数优化等相应的工艺优化措施,从而达到毫米波射频互连微组装工艺优化的目的。 展开更多
关键词 毫米波射频互连 微组装工艺优化 装配精度 接地效果 金丝热超声楔焊
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基于弹性连接器的板级垂直互连技术 被引量:4
9
作者 王辉 徐榕青 +2 位作者 董乐 李阳阳 庞婷 《电子与封装》 2020年第12期22-25,共4页
垂直互连技术具有互连路径短、平面空间占用少等优点,是实现电子系统微型化的一种重要互连方式。设计了一种由导电硅橡胶和金属底盘组成的弹性连接器结构,它通过弹性压接方式直接实现基板与封装电路之间的信号传输。通过相应的试验测试... 垂直互连技术具有互连路径短、平面空间占用少等优点,是实现电子系统微型化的一种重要互连方式。设计了一种由导电硅橡胶和金属底盘组成的弹性连接器结构,它通过弹性压接方式直接实现基板与封装电路之间的信号传输。通过相应的试验测试,该弹性连接器在0~18 GHz频段内插损优于2 d B,在18~40 GHz频段内插损优于5 d B,且在0~40 GHz频段内驻波小于2,基本满足射频互连的使用要求。 展开更多
关键词 弹性连接器 垂直互连 3D封装 射频互连
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毫米波射频互联金丝热超声楔焊工艺优化研究 被引量:5
10
作者 任榕 卢绍英 +2 位作者 金家富 解启林 邱颖霞 《电子工艺技术》 2013年第4期239-242,共4页
金丝热超声楔焊是微波毫米波模块射频互联的关键手段。采用三维电磁仿真软件对毫米波频段的金丝热超声楔焊进行了建模仿真,分析了金丝跨距、拱高和角度等物理参量对驻波的影响。针对模拟仿真优化后的热超声楔焊金丝互连结构,给出了金丝... 金丝热超声楔焊是微波毫米波模块射频互联的关键手段。采用三维电磁仿真软件对毫米波频段的金丝热超声楔焊进行了建模仿真,分析了金丝跨距、拱高和角度等物理参量对驻波的影响。针对模拟仿真优化后的热超声楔焊金丝互连结构,给出了金丝热超声楔焊表面状态优化、线型控制参数优化以及键合参数优化等相应的工艺优化措施,从而达到热超声楔焊金丝性能优化的目的。 展开更多
关键词 金丝热超声楔焊 毫米波射频互联 工艺优化
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美国军用射频连接器的发展 被引量:4
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作者 黄正 《中国电子科学研究院学报》 2007年第2期197-205,共9页
通过描述美国军用小型射频连接器,特别是射频频率远高于1 GHz下工作的军用射频连接器的发展情况。给出的军用射频连接器有基本互连连接器、非常用互连连接器和精密测量连接器。重点介绍了SMA,K,BNC,N,APC-7 mm,SMB,SMC,W,V,3.5 mm,2.9 m... 通过描述美国军用小型射频连接器,特别是射频频率远高于1 GHz下工作的军用射频连接器的发展情况。给出的军用射频连接器有基本互连连接器、非常用互连连接器和精密测量连接器。重点介绍了SMA,K,BNC,N,APC-7 mm,SMB,SMC,W,V,3.5 mm,2.9 mm,1.85 mm和1.0 mm型射频连接器的发展。 展开更多
关键词 射频(rf) 基本互连 军用连接器 发展
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磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能 被引量:1
12
作者 张丛春 刘兴刚 +1 位作者 石金川 杨春生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第1期73-76,共4页
用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性。同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构... 用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性。同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能。结果发现,在退火温度不超过400℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ.cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升。低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600℃,薄膜电阻基本不变。 展开更多
关键词 铜互连 TaN阻挡层 磁控溅射 热稳定性
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用于Cu互连的Ta/Ti-Al集成薄膜的结构和阻挡性能 被引量:2
13
作者 任国强 邢金柱 +4 位作者 李晓红 郭建新 代秀红 杨保柱 赵庆勋 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期462-464,共3页
应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/... 应用射频磁控溅射法在(001)Si衬底上制备了Cu(120nm)/Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)/Si异质结,借助原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和四探针测试仪(FPP)等方法研究了Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta(5nm)/Ti-Al(5nm)集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。 展开更多
关键词 CU互连 阻挡层 Ta/Ti-Al 射频磁控溅射
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磁控溅射法制备用作铜互连阻挡层的钛-铝薄膜 被引量:1
14
作者 邢金柱 刘保亭 +6 位作者 霍骥川 周阳 李晓红 李丽 张湘义 彭英才 王侠 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期83-86,共4页
采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400~800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探... 采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上首先沉积了厚度40nm的非晶钛-铝薄膜,然后在其上又原位生长了厚度100nm的铜薄膜,制备了铜膜/钛-铝膜/硅试样;对试样分别在400~800℃内进行真空退火处理,用原子力显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪对试样的表面形貌、结晶状态及方块电阻进行了分析。结果表明:当退火温度低于750℃时,试样表面平整,表面粗糙度和方块电阻均较小且基本不随退火温度的升高而改变,此时,非晶钛-铝薄膜能够起到阻挡铜向硅中扩散的作用;当退火温度在800℃时,试样的表面粗糙度和方块电阻急剧增大,此时,非晶钛-铝薄膜已经不能起到阻挡层的作用。 展开更多
关键词 铜互连 阻挡层 钛-铝薄膜 射频磁控溅射
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Ka频段八波束接收组件的设计与实现 被引量:8
15
作者 石海然 张涛 +2 位作者 薛欣 张橹 范占春 《太赫兹科学与电子信息学报》 北大核心 2019年第2期252-257,共6页
介绍了一种Ka频段八波束接收组件的设计方法和关键技术。为实现八波束及1.6 GHz瞬时带宽的要求,在接收组件中集成了实时延时芯片,并提出了射频组件三维垂直互联与射频信号交叉传输的方法,同时采用多芯片组装技术、多功能芯片技术等高密... 介绍了一种Ka频段八波束接收组件的设计方法和关键技术。为实现八波束及1.6 GHz瞬时带宽的要求,在接收组件中集成了实时延时芯片,并提出了射频组件三维垂直互联与射频信号交叉传输的方法,同时采用多芯片组装技术、多功能芯片技术等高密度集成方法实现组件装配。研制的接收组件具有高集成度,噪声系数等关键指标在10dB的数控衰减下小于3.5dB,较传统组件在尺寸、质量及波束数量上具有较大优势。 展开更多
关键词 八波束 KA频段 接收组件 垂直互联 交叉传输 高密度装配
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系统级封装的S频段射频收发模块研制 被引量:2
16
作者 武红玉 厉志强 汪江涛 《电讯技术》 北大核心 2016年第5期581-584,共4页
研制了一种小体积的S频段射频收发系统级封装(SIP)模块,内部集成了基于多种工艺的器件。模块接收通道一次变频,发射通道二次变频,内部集成中频和射频本振信号源。模块采用双腔结构,不同腔体之间通过绝缘子进行垂直互连,大大减小了模块体... 研制了一种小体积的S频段射频收发系统级封装(SIP)模块,内部集成了基于多种工艺的器件。模块接收通道一次变频,发射通道二次变频,内部集成中频和射频本振信号源。模块采用双腔结构,不同腔体之间通过绝缘子进行垂直互连,大大减小了模块体积,模块体积为40 mm×40 mm×10 mm。模块采用正向设计,其主要指标的测试结果为:接收通道动态范围-100^-40 d Bm,输出信号0~2 d Bm,噪声系数小于等于2.8 d B,带外抑制大于等于50 d Bc;发射通道输出信号大于等于2d Bm,二次、三次谐波抑制大于等于60 d Bc,杂波抑制大于等于55 d Bc,相位噪声在1 k Hz和10 k Hz处分别小于等于-82 d Bc/Hz和-91 d Bc/Hz。实测结果与仿真结果基本一致。 展开更多
关键词 S频段 射频收发系统 系统级封装 本振信号源 垂直互连结构
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芯片级集成射频垂直互连技术 被引量:5
17
作者 王辉 向伟玮 +1 位作者 陆吟泉 刘志辉 《电子工艺技术》 2016年第6期320-322,326,共4页
随着电子装备向小型化、轻量化和多功能化方向发展,其内部电子部件/组件集成密度要求不断提升,传统的2D集成密度已接近极限,2.5D/3D集成必将成为新一代电子部件/组件的主流形态。射频垂直互连技术是2.5D/3D集成射频系统的关键技术之一... 随着电子装备向小型化、轻量化和多功能化方向发展,其内部电子部件/组件集成密度要求不断提升,传统的2D集成密度已接近极限,2.5D/3D集成必将成为新一代电子部件/组件的主流形态。射频垂直互连技术是2.5D/3D集成射频系统的关键技术之一。对芯片级集成射频垂直互连技术的发展动态及应用前景进行了综述。 展开更多
关键词 2.5D/3D集成 芯片级集成 射频互连 垂直互连
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系统级集成射频垂直互连技术 被引量:9
18
作者 廖承举 王辉 +1 位作者 向伟玮 赵鸣霄 《电子工艺技术》 2017年第6期319-322,共4页
随着电子装备朝着多功能、高性能方向发展的同时,硬件还要变轻、变小,成本还要更低,其内部模块/组件集成密度要求不断提升,传统的平面混合集成密度已接近极限,三维异质异构集成必将成为新一代电子功能单元的主流形态。系统级集成射频垂... 随着电子装备朝着多功能、高性能方向发展的同时,硬件还要变轻、变小,成本还要更低,其内部模块/组件集成密度要求不断提升,传统的平面混合集成密度已接近极限,三维异质异构集成必将成为新一代电子功能单元的主流形态。系统级集成射频垂直互连技术是三维异质异构集成系统的关键技术之一,对系统级集成射频垂直互连技术的发展动态及应用前景进行了综述。 展开更多
关键词 三维异质异构集成 系统级集成 射频互连 垂直互连
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体硅CMOS射频集成电路中高Q值在片集成电感的实现 被引量:3
19
作者 张志勇 海潮和 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期15-18,共4页
 制作高Q值在片集成电感一直是体硅CMOS射频集成电路工艺中的一大难点,文章讨论和分析了体硅RFIC工艺中提高在片集成电感Q值的几种常用方法,这些方法都与CMOS工艺兼容。
关键词 在片集成电感 射频集成电路 品质因素 钢互连 低K介质 体硅CMOS
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一种多路射频电连接器的结构设计
20
作者 石承伟 陈侃 程德帅 《科技创新与应用》 2019年第32期96-98,共3页
随着军用电子装备的发展,整机设备中的集成度越来越高,集束多路射频电连接器作为快速互联元器件,逐渐成为整机装备需求的热点之一。文章以某机载雷达项目的使用需求作为依托,针对多路射频电连接器小体积、多功能化、可单路更换调试的使... 随着军用电子装备的发展,整机设备中的集成度越来越高,集束多路射频电连接器作为快速互联元器件,逐渐成为整机装备需求的热点之一。文章以某机载雷达项目的使用需求作为依托,针对多路射频电连接器小体积、多功能化、可单路更换调试的使用要求,设计出一种结构新颖的可互联互换多路射频电连接器,通过理论计算和ANSYS软件仿真,对产品进行设计和优化,验证结构的合理性。 展开更多
关键词 集束多路 射频连接器 互联互换 模块化 ANSYS仿真
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