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全自动半导体RCA清洗机
被引量:
6
1
作者
段成龙
祝福生
《清洗世界》
CAS
2013年第1期42-46,共5页
RCA清洗工艺是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,是去除硅片表面各类玷污的有效方法。本文介绍了RCA清洗工艺的原理、过程以及应用,并详细介绍了全自动半导体RCA清洗机的组成、各单元结构及功能。
关键词
rca
清洗工艺
化学清洗
清洗设备
全自动设备
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职称材料
半导体湿制程设备清洗技术对产品质量的影响
2
作者
张立军
马玉水
《计算机应用文摘》
2025年第13期256-257,260,共3页
随着半导体技术节点向3nm及以下制程演进,湿制程清洗技术已成为决定芯片良率、电学性能及长期可靠性的核心环节。文章系统分析了湿法清洗在晶圆制造全流程中的关键作用,结合RCA清洗、单片清洗等主流技术,揭示了清洗工艺对颗粒污染控制...
随着半导体技术节点向3nm及以下制程演进,湿制程清洗技术已成为决定芯片良率、电学性能及长期可靠性的核心环节。文章系统分析了湿法清洗在晶圆制造全流程中的关键作用,结合RCA清洗、单片清洗等主流技术,揭示了清洗工艺对颗粒污染控制、界面性能优化及晶体缺陷抑制的直接影响机制。研究结果表明,湿法清洗步骤占晶圆制造总工序的30%以上,清洗不彻底导致的纳米级颗粒残留可使良率下降15%~20%;通过优化SC1/SC2溶液配比及兆声波清洗参数,可使0.1μm级颗粒去除率达99.99%。
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关键词
湿制程清洗
纳米级颗粒
rca
工艺
SiC清洗
良率提升
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职称材料
通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究
被引量:
7
3
作者
黄绍春
刘新
+1 位作者
叶嗣荣
刘小芹
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期468-471,共4页
通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weib...
通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。
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关键词
rca
清洗法
湿法化学清洗
四甲基氢氧化铵(TMAH)
乙二胺四乙酸(EDTA)
原文传递
半导体晶圆自动清洗设备
被引量:
8
4
作者
王锐延
《电子工业专用设备》
2004年第9期8-12,共5页
主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的...
主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的清洗工艺中得到广泛使用,具有极大的社会经济效益。
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关键词
湿法化学
工艺模块
QDR
rca
清洗
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职称材料
题名
全自动半导体RCA清洗机
被引量:
6
1
作者
段成龙
祝福生
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《清洗世界》
CAS
2013年第1期42-46,共5页
文摘
RCA清洗工艺是一种在半导体制造过程中被广泛应用的工艺,是去除硅片表面各类玷污的有效方法。本文介绍了RCA清洗工艺的原理、过程以及应用,并详细介绍了全自动半导体RCA清洗机的组成、各单元结构及功能。
关键词
rca
清洗工艺
化学清洗
清洗设备
全自动设备
Keywords
rca clean process
chemic
clean
clean
equipment
auto equipment
分类号
TH6 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
半导体湿制程设备清洗技术对产品质量的影响
2
作者
张立军
马玉水
机构
聊城市海融电子商务有限公司
山东联盛电子设备有限公司
出处
《计算机应用文摘》
2025年第13期256-257,260,共3页
文摘
随着半导体技术节点向3nm及以下制程演进,湿制程清洗技术已成为决定芯片良率、电学性能及长期可靠性的核心环节。文章系统分析了湿法清洗在晶圆制造全流程中的关键作用,结合RCA清洗、单片清洗等主流技术,揭示了清洗工艺对颗粒污染控制、界面性能优化及晶体缺陷抑制的直接影响机制。研究结果表明,湿法清洗步骤占晶圆制造总工序的30%以上,清洗不彻底导致的纳米级颗粒残留可使良率下降15%~20%;通过优化SC1/SC2溶液配比及兆声波清洗参数,可使0.1μm级颗粒去除率达99.99%。
关键词
湿制程清洗
纳米级颗粒
rca
工艺
SiC清洗
良率提升
Keywords
wet
process
clean
ing
nanoscale particle
rca
process
SiC
clean
ing
yield enhancement
分类号
TH137 [机械工程—机械制造及自动化]
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职称材料
题名
通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究
被引量:
7
3
作者
黄绍春
刘新
叶嗣荣
刘小芹
机构
重庆光电技术研究所
重庆城市管理职业学院
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第3期468-471,共4页
文摘
通过在传统RCA清洗法所用的SC-1液中,添加表面活性剂四甲基氢氧化铵(TMAH)和/或螯合剂乙二胺四乙酸(EDTA),实验比较了不同清洗方法对颗粒粘污、金属粘污的去除效率;并测试了其对硅片表面粗糙度的影响。用MOS电容结构的击穿电场强度Weibull分布,评价了不同清洗方法所得氧化层的质量。结果表明,上述改进能够显著提高对颗粒粘污和金属粘污的去除效果,同时能省去RCA的SC-2清洗步骤,具有节省工时、化学试剂消耗量小的优势。
关键词
rca
清洗法
湿法化学清洗
四甲基氢氧化铵(TMAH)
乙二胺四乙酸(EDTA)
Keywords
rca
clean
ing
process
wet chemical
clean
ing
tetramethylammonium hydroxide(TMAH)
ethylenediaminetetraacetic acid(EDTA)
分类号
TN305.97 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
半导体晶圆自动清洗设备
被引量:
8
4
作者
王锐延
机构
北京七星华创电子股份有限公司
出处
《电子工业专用设备》
2004年第9期8-12,共5页
文摘
主要介绍了半导体晶圆RCA清洗工艺以及半导体晶圆自动清洗设备在生产中的结构设计和应用情况。在工艺模块和伺服机械传送方面体现了湿法化学的独创性和实用性。解决了晶圆清洗技术中晶圆清洗效果的一致性,在半导体IC、材料、器件领域的清洗工艺中得到广泛使用,具有极大的社会经济效益。
关键词
湿法化学
工艺模块
QDR
rca
清洗
Keywords
Wet bench
process
module
QDR(quick dump rinse)
rca
clean
recipe
分类号
TN305.97 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
全自动半导体RCA清洗机
段成龙
祝福生
《清洗世界》
CAS
2013
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
半导体湿制程设备清洗技术对产品质量的影响
张立军
马玉水
《计算机应用文摘》
2025
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
通过添加表面活性剂和螯合剂改进硅片化学清洗工艺的研究
黄绍春
刘新
叶嗣荣
刘小芹
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2014
7
原文传递
4
半导体晶圆自动清洗设备
王锐延
《电子工业专用设备》
2004
8
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职称材料
已选择
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