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聚硅氧烷连接RBSiC陶瓷 被引量:9
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作者 刘洪丽 李树杰 陈志军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期134-137,共4页
采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅(RBSiC)陶瓷。研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响。通过正交优选实验,确定了最佳工艺参数:连接温度为1300℃,连接压力为25kPa,保温时间为120min。在此工艺... 采用陶瓷先驱体有机聚合物聚硅氧烷连接反应烧结碳化硅(RBSiC)陶瓷。研究了连接温度、连接压力、保温时间对连接强度的影响。通过正交优选实验,确定了最佳工艺参数:连接温度为1300℃,连接压力为25kPa,保温时间为120min。在此工艺条件下制备的连接件经3次浸渍/裂解增强处理,其抗弯强度达132.6MPa,连接件断口表面粘有大量从母材剥离下来的SiC。XRD研究表明,在1100℃~1400℃的试验范围之内,随着连接温度的逐步升高,聚硅氧烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。这种转变对连接强度有显著影响。扫描电镜(SEM)及能谱(EDX)分析显示,连接层厚度为3μm左右,结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好。 展开更多
关键词 特种连接 陶瓷连接 陶瓷先驱体 聚硅氧烷 反应烧结碳化硅(rbsic)
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采用SiC/Si_3N_4陶瓷先驱体连接反应烧结SiC 被引量:16
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作者 刘洪丽 李树杰 +1 位作者 张听 陈志军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1469-1472,共4页
采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响。结果表明:在1100℃~1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度... 采用SiC/Si3N4陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结碳化硅陶瓷,研究了连接温度、连接压力、浸渍/裂解增强处理对连接强度的影响。结果表明:在1100℃~1400℃温度范围内,连接强度先升高后降低;连接过程中施加适当的轴向压力可提高连接层致密度;浸渍/裂解增强处理可大幅度提高接头强度。当连接温度为1300℃,连接压力为15kPa,经3次增强处理的连接件抗弯强度达最大值169.1MPa。这种连接件的断口表面粘有大量SiC母材。由XRD研究表明,随着温度的逐步升高,聚硅氮烷的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。微观结构及成分分析显示:连接层为厚度2μm^3μm的SiCN无定形陶瓷,其结构较为均匀致密;连接层与基体间界面接合良好。 展开更多
关键词 陶瓷连接 SiC/Si3N4陶瓷先驱体 聚硅氮烷 反应烧结碳化硅(rbsic)
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PVD Si涂层用于SiC陶瓷的表面改性研究 被引量:6
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作者 唐惠东 谭寿洪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第16期68-70,共3页
为了获得高质量的光学表面,采用RF磁控溅射法在RB SiC和SSiC陶瓷表面涂覆一层结构致密的PVDSi涂层。采用XRD、AFM和表面轮廓仪对抛光后的PVDSi涂层进行了表征,并在可见光波长范围内测量了涂层的反射率。结果表明,当RB SiC和SSiC陶瓷表... 为了获得高质量的光学表面,采用RF磁控溅射法在RB SiC和SSiC陶瓷表面涂覆一层结构致密的PVDSi涂层。采用XRD、AFM和表面轮廓仪对抛光后的PVDSi涂层进行了表征,并在可见光波长范围内测量了涂层的反射率。结果表明,当RB SiC和SSiC陶瓷表面涂覆PVDSi涂层后,抛光后其表面缺陷明显减少,表面粗糙度的均方根RMS可达埃级,反射率提升幅度明显。并简单分析了反射率提高的主要原因。 展开更多
关键词 PVDSi涂层 rbsic SSiC 表面粗糙度均方根RMS 反射率
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纳米Ni粉填料对聚硅氮烷连接SiC陶瓷接头性能的影响 被引量:1
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作者 刘洪丽 李树杰 李星国 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1905-1908,共4页
研究了活性填料纳米Ni粉对陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结SiC陶瓷接头性能的影响,同时与惰性填料纳米SiC粉及活性填料微米Ni粉进行了对比,指出填料的种类及颗粒度对连接强度均有较大影响。活性填料纳米Ni粉的加入可减少连接层内的孔隙... 研究了活性填料纳米Ni粉对陶瓷先驱体聚硅氮烷连接反应烧结SiC陶瓷接头性能的影响,同时与惰性填料纳米SiC粉及活性填料微米Ni粉进行了对比,指出填料的种类及颗粒度对连接强度均有较大影响。活性填料纳米Ni粉的加入可减少连接层内的孔隙和裂纹,同时还可以与聚硅氮烷的裂解产物及母材发生反应,促进聚硅氮烷的裂解,从而降低连接温度,提高连接强度。当连接温度为1200℃时,其最大抗弯强度达到251.6MPa。微观研究表明,连接层结构较为均匀致密,且与母材间界面结合良好。惰性填料纳米SiC粉对连接强度没有明显改善。微米Ni粉因不能与先驱体形成均匀的连接层而导致连接强度降低。 展开更多
关键词 特种连接 陶瓷连接 纳米Ni粉 陶瓷先驱体 反应烧结碳化硅(rbsic)
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成型压力对反应烧结碳化硅显微结构与性能的影响 被引量:3
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作者 杨新领 章潇 +1 位作者 贾马龙 李芳妮 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2015年第2期536-537,567,共3页
研究了不同成型压力对反应烧结碳化硅显微结构与性能的影响。结果表明:随着成型压力的增加,反应烧结碳化硅材料的密度和强度呈现出先增后减的趋势。当压力为25MPa时,材料具有最高密度和强度,分别为密度3.074g/cm3、抗弯强度401 MPa、抗... 研究了不同成型压力对反应烧结碳化硅显微结构与性能的影响。结果表明:随着成型压力的增加,反应烧结碳化硅材料的密度和强度呈现出先增后减的趋势。当压力为25MPa时,材料具有最高密度和强度,分别为密度3.074g/cm3、抗弯强度401 MPa、抗压强度2211 MPa。同时,烧结体中各相分布均匀,游离硅尺寸较小。 展开更多
关键词 压力 反应烧结碳化硅 显微结构 力学性能
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Fabrication and test of reaction bond silicon carbide for optical applications
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作者 姚旺 张宇民 +1 位作者 韩杰才 左洪波 《中国有色金属学会会刊:英文版》 EI CSCD 2006年第2期409-413,共5页
A reaction bonding fabrication process using various grain size of SiC powder was investigated. The properties such as mechanical, thermal and physic property were tested and analyzed. RBSiC produced using this proces... A reaction bonding fabrication process using various grain size of SiC powder was investigated. The properties such as mechanical, thermal and physic property were tested and analyzed. RBSiC produced using this process is a polycrystalline material and has high specific stiffness (density of 3.09 g/cm3 with elastic modulus of 362.39 GPa), strength (269.64 MPa) and hardness (19.43 GPa). At room temperature its low CTE (3.47×10?6/K), combined with relatively high thermal conductivity (161.14 W/mK) and specific heat capacity (593.86 J/kg.K) can minimize the bothersome thermal distortion. This advantage is outstanding even at higher temperature of test range. Two d 250 mm RBSiC mirror were polished. Surface roughness value less than 5 nm was obtained. Results prove that this reaction bonding process is a feasible method to produced high quality RBSiC optical mirror. 展开更多
关键词 碳化硅 应用光学 制备 测试
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