期刊文献+
共找到755篇文章
< 1 2 38 >
每页显示 20 50 100
R.F.磁控溅射生成的氧化钨薄膜的性能 被引量:2
1
作者 李竹影 宋玉苏 +1 位作者 刘祖黎 姚凯伦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期1447-1449,共3页
由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性;发现它们在一定电压范围内(1.15V到2.8V)都可产生着色现象.着色后对光的吸... 由于薄膜沉积过程中缺乏氧气,溅射得到的是化学配比偏离WO3的氧化钨薄膜,本文详细研究了不同电压下,R.F磁控溅射生成的不同化学配比的氧化钨薄膜的伏安循环特性;发现它们在一定电压范围内(1.15V到2.8V)都可产生着色现象.着色后对光的吸收是一致的.光的透过率显示电压超过某一值后,膜的变色能力减弱并消失.XRD显示本文所得氧化钨薄膜主要是非晶态的结构. 展开更多
关键词 氧化钨薄膜 电致变色 r.f.磁控溅射
在线阅读 下载PDF
传统PECVD制备高品质氢化非晶硅工艺中的P_d/f_r匹配 被引量:1
2
作者 颜一凡 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期453-459,共7页
等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H... 等离子增强化学气相淀积 (PECVD)制备高品质氢化非晶硅 (HQ a- Si∶ H)工艺中 ,射频(rf)功率密度 / Si H4流速率匹配 (Pd/ fr)的研究已有许多报道 ,但至今并无明确的结论。文中根据传统的 Si H4辉光放电分解 (CPECVD)制备 HQ a- Si∶ H必须满足三个基本的化学物理要求 ,已经导出 Pdn/ fr(1<n<2 )的一个解析表示式 ,它是 Si H4气压 / Si H4流速率比 (Pr/ fr)、电极间距 (D)、Pd和 n的函数 ,而且还受到衬底温度 (Ts)的限制。这表示 ,在 CPECVD工艺中不存在独立的 Pd/ 展开更多
关键词 氢化非晶硅 等离子增强化学气相淀积 匹配 工艺
在线阅读 下载PDF
R.F.溅射Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3/RuO_2薄膜及其介电特性研究 被引量:2
3
作者 张柏顺 章天金 +1 位作者 江娟 刘江华 《光电子技术与信息》 2004年第2期19-22,共4页
用R.F.磁控溅射法在p—Si(100)衬底上沉积Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时,薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大.电容器InGa/BST/RuO2的介电特性由ε-V特性和I—V特性描述.... 用R.F.磁控溅射法在p—Si(100)衬底上沉积Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时,薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大.电容器InGa/BST/RuO2的介电特性由ε-V特性和I—V特性描述.薄膜在零偏压下ε=230、tgδ≈0.03.低电场条件下,薄膜的漏电流随电压呈饱和特性,属电子跳跃传导,且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流.高电场条件下,漏电流符合肖特基发射规律. 展开更多
关键词 BST薄膜 射频溅射 底电极 结晶度 介电特性
在线阅读 下载PDF
PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究 被引量:1
4
作者 刘雄飞 李幼真 肖剑荣 《微细加工技术》 2002年第4期40-44,共5页
采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a -C∶F ,研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系 ,测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数 ,并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分 ,发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关 。
关键词 pecvd 低介电常数 含氟碳膜 沉积速率 射频功率 超大规模集成电路
在线阅读 下载PDF
r.f.PCVD法制备c-BN膜的研究
5
作者 张晓玲 胡奈赛 何家文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期607-612,共6页
采用 F T I R、 T E M、 S E M 等技术, 对在渗硼层表面经rf P C V D 沉积的 B N 膜进行了研究试验证明, 与采用 N2 气和 H2 气相比, 以 Ar + 10vol% H2 作为载气, 所获得的膜层c B N... 采用 F T I R、 T E M、 S E M 等技术, 对在渗硼层表面经rf P C V D 沉积的 B N 膜进行了研究试验证明, 与采用 N2 气和 H2 气相比, 以 Ar + 10vol% H2 作为载气, 所获得的膜层c B N 含量最高, 膜厚最大, 可达46μm , 且膜基结合良好而以 N2 气或 H2 气为载气时, 前者会导致膜基结合力大大下降, 后者会引起沉积速度明显降低结果表明, 对于 P C V D 过程, 控制c B N 形成的主要因素是离子轰击能量的转移, 而不是氢的选择溅射过程试验获得的膜层由a B N 和c B N 组成, c B N的尺寸为20 展开更多
关键词 c-BN膜 PCVD 镀膜 制备
在线阅读 下载PDF
R.F.溅射Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜及其光学特性研究
6
作者 张柏顺 章天金 +1 位作者 江娟 何军 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2005年第3期242-245,共4页
用R.F.磁控溅射法在石英衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为及其表面形貌.在550 ℃衬底温度下沉积的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀.应用双光束分光光度计,在200~900 nm的波长范围测量了薄膜的... 用R.F.磁控溅射法在石英衬底上沉积Ba0.65Sr0.35TiO3薄膜,应用XRD与SEM表征了BST薄膜的晶化行为及其表面形貌.在550 ℃衬底温度下沉积的薄膜,其表面光滑、晶粒大小分布均匀.应用双光束分光光度计,在200~900 nm的波长范围测量了薄膜的透射光谱,并根据'包络法'理论计算薄膜的折射指数.结果表明,随着辐射波长从650 nm减小到480 nm,薄膜的折射率从2.04增加到2.15;随着波长进一步降低,折射率急速上升,到420 nm时,折射率升至2.40,显示出典型的电子带间跃迁的色散曲线.由'包络法'和Tauc关系确定BST薄膜的光学能隙约为3.66 eV. 展开更多
关键词 BST薄膜 射频溅射 光学特性 极值包络法
在线阅读 下载PDF
超凡入圣的变迁——影响R.F.柯尔成才的因素分析
7
作者 杨新科 薛周录 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》 CAS 2005年第2期F002-F002,2,124,共3页
通过对1996年诺贝尔化学奖得主R F 柯尔(Robert F Curl Jr,1933 )成长经历的分析,总结出了影响人才成长的几点外部因素。
关键词 r.f.柯尔 诺贝尔化学奖 成长变迁史
在线阅读 下载PDF
飞利浦加速器P.R.F异常切换故障的排除
8
作者 钱安 《现代医学仪器与应用》 2000年第1期36-37,共2页
故障现象 常规治疗过程中,剂量率突然变低,在MCC上观察P.R.F由200Hz变为50Hz。并且钥匙开关处于“test”位时,P.R.F各挡出光正常;处于“treat位时,无论P.R.
关键词 飞利浦加速器 P.r.f 异常切换故障 排除
在线阅读 下载PDF
DBD-PECVD法制备高疏水性氟碳聚合物(a-C:F)薄膜的研究 被引量:1
9
作者 尹晔珺 李东明 +3 位作者 刘东平 谷建东 牛金海 冯志庆 《大连民族学院学报》 CAS 2009年第1期45-50,共6页
以C4F8为放电气体,利用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备了氟碳聚合物(a-C:F)薄膜。使用FTIR、AFM、接触角测量仪、台阶仪对a-C:F薄膜进行了表征,研究了放电压力及沉积时间对a-C:F薄膜的沉积速率、均方根表面粗糙度(RMS)和a-... 以C4F8为放电气体,利用介质阻挡放电化学气相沉积(DBD-PECVD)法制备了氟碳聚合物(a-C:F)薄膜。使用FTIR、AFM、接触角测量仪、台阶仪对a-C:F薄膜进行了表征,研究了放电压力及沉积时间对a-C:F薄膜的沉积速率、均方根表面粗糙度(RMS)和a-C:F薄膜疏水性的影响。实验结果表明,薄膜的沉积速率随放电压力的升高而增大,最大值为193 nm.min-1;当放电压力较低时,薄膜的RMS值小于1.0 nm;放电压力较高时,薄膜的RMS值大于100 nm。无论是改变放电压力还是沉积时间,a-C:F薄膜均表现出很强的疏水特性,最大接触角(以普通滤纸为基底)可达137°。a-C:F薄膜的表面粗糙度是影响a-C:F薄膜疏水性的重要因素。 展开更多
关键词 DBD--pecvd a—C:F C4F8 接触角 疏水特性
在线阅读 下载PDF
Preparation and characteristics of indium tin oxide (ITO) thin films at low temperature by r.f. magnetron sputtering 被引量:4
10
作者 REN Bingyan LIU Xiaoping WANG Minhua XU Ying 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第z1期137-140,共4页
Low resistivity and highly transparent ITO conducting films for solar cell applications were fabricated at low temperature by r.f. magnetron sputtering. ITO films were deposited on glass and silicon substrate. Electri... Low resistivity and highly transparent ITO conducting films for solar cell applications were fabricated at low temperature by r.f. magnetron sputtering. ITO films were deposited on glass and silicon substrate. Electrical, optical, structural and morphological properties of the ITO films were investigated in terms of the preparation conditions. The annealing treatment has improved the properties of the ITO films at different degree. The maximum transmittance of the obtained ITO films in the visible range is over 92%, and the low resistivity for the ITO films are about 3.85×10-4 Ω·cm at 80 ℃, 80 W after annealing. 展开更多
关键词 ITO r.f. magnetron sputtering low temperature ANNEALING
在线阅读 下载PDF
Preparation and Characterization of CeO_2-TiO_2/SnO_2:Sb Films Deposited on Glass Substrates by R.F.Sputtering 被引量:6
11
作者 ZHAO Qingnan DONG Yuhong NI Jiamiao WANG Peng ZHAO Xiujian 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 2008年第4期443-447,共5页
CeO2-TiO2 films and CeO2-TiO/SnO2:Sb (6 mol%) double films were deposited on glass substrates by radio-frequency magnetron sputtering (R.F. Sputtering), using SnO2:Sb(6 mol%) target, and CeO2- TiO2 targets wit... CeO2-TiO2 films and CeO2-TiO/SnO2:Sb (6 mol%) double films were deposited on glass substrates by radio-frequency magnetron sputtering (R.F. Sputtering), using SnO2:Sb(6 mol%) target, and CeO2- TiO2 targets with different molar ratio of CeO2 to TiO2 (CeO2:TiO2-0:1.0; 0.1:0.9; 0.2:0.8; 0.3:0.7; 0.4:0.6; 0.5:0.5; 0.6:0.4; 0.7:0.3; 0.8:0.2; 0.9:0.1; 1.0:0). The films are characterized by UV-visible transmission and infrared reflection spectra, scanning electron microscopy (SEM), Raman spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and X-ray diffraction (XRD), respectively. The obtained results show that the amorphous phases composed of CeO2-TiO2 play an important role in absorbing UV, there are Ce^3-, Ce^4- and Ti^4- on the surface of the films; the glass substrates coated with CeO2-TiO2 (Ce/Ti=0.5:0.5; 0.6:0.4)/SnO2:Sb(6 mol%) double films show high absorbing UV(〉99), high visible light transmission (75%) and good infrared reflection (〉70%). The sheet resistance of the films is 30-50 Ω/□. The glass substrates coated with the double functional films can be used as window glass of buildings, automobile and so on. 展开更多
关键词 coating glass CeO2-TiO/SnO2:Sb double thin films absorbing UV IR reflection r.f. sputterin
在线阅读 下载PDF
a-C∶F∶H films prepared by PECVD
12
作者 刘雄飞 肖剑荣 +2 位作者 简献忠 王金斌 高金定 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2004年第3期426-429,共4页
Fluorinated amorphous hydrogenated a-C∶F∶H carbon thin films were deposited using radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) reactor with CF4 and CH4 as source gases and were annealed in a... Fluorinated amorphous hydrogenated a-C∶F∶H carbon thin films were deposited using radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(RF-PECVD) reactor with CF4 and CH4 as source gases and were annealed in a N2 atmosphere. The properties of these films were evaluated by FTIR spectrometry, UV-VIS spectrophotometry and single-wavelength spectroscopic ellipsometry. A correspondence relativity connection between the deposition rate and technology was found. The chemical bonding structures and the content of CHx and CFx in the films are transformed and the optical band gap decreases monotonically with increasing temperature after annealing. The dielectric constant is increased with decreasing content of F in the films and the optical band gap is decreased with decreasing the content of H in the film. 展开更多
关键词 a-C:F:H薄膜 pecvd 制备 电介质常数 ULSI 光学薄膜
在线阅读 下载PDF
Growth and Microstructure of r.f. Sputtered Fe/Ti Multilayers
13
作者 Wei WANG Shenyang National Laboratory for Materials Science, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Sciences, Shenyang 110016, China Lishi WEN Department of Surface Engineering of Materials, Institute of Metal Research, Chinese Academy of Science 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2001年第5期521-524,共4页
Fe/Ti multilayers with different modulation wavelengths (Lambda) prepared by r.f. sputtering has been investigated by using cross sectional transmission electron microscopy (XTEM). It was observed that the columnar st... Fe/Ti multilayers with different modulation wavelengths (Lambda) prepared by r.f. sputtering has been investigated by using cross sectional transmission electron microscopy (XTEM). It was observed that the columnar structure, interface morphology, and metastable phase presented at the interface of the multilayer system strongly depend on the bilayer thickness (Lambda). For high period multilayers, the waviness wavelength of interfaces is about two times broader than the column diameter. For a sample with Lambda =30 nm, its column width and waviness wavelength was about 80, and 190 nm, respectively. Both of them decreased with the reduction of Lambda, so as to nearly equal values of column diameter and waviness wavelength were obtained. The Fe and Ti grains of both 30 nm and 6 nm multilayers are polycrystalline, and have a textured structure. In short bilayer thickness (Lambda =6 nm), the intermetallic compound Fe2Ti was presented at the interfaces due to solid state reaction; for Lambda =2 nm, amorphous phase Ti-rich layer was formed at the interfaces, resulting in a sharp interface multilayer structure. 展开更多
关键词 TI Growth and Microstructure of r.f Sputtered Fe/Ti Multilayers FE
在线阅读 下载PDF
Characteristics of a R.F. Ion Source Used in an Electrostatic Accelerator
14
作者 詹福如 袁宏永 +6 位作者 胡纯栋 胡素华 陈斌 张束清 王绍虎 余增亮 李军 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2000年第1期167-170,共4页
A radio frequency (r.f.) ion source used in the electrostatic accelerator was designed and built for the study on the ion beam bioengineering. The extracting characteristics were determined by experiments, from whic... A radio frequency (r.f.) ion source used in the electrostatic accelerator was designed and built for the study on the ion beam bioengineering. The extracting characteristics were determined by experiments, from which the results showed that a maximal beam current is obtained under the condition of the extracting voltage 1700V and the gas pressure in the range of (4~ 8)× 10-4 Pa. And the diameter of the ion beam was measured as well. 展开更多
关键词 Characteristics of a r.f Ion Source Used in an Electrostatic Accelerator
在线阅读 下载PDF
ICA现任主席——D.R.F.泰勒
15
作者 罗丁 《地图》 北大核心 1989年第1期10-10,共1页
泰勒(Taylor)博士出生于苏格兰,1966年移居加拿大。现为加拿大渥太华卡尔登(Carleton)大学地理学和国际事务教授兼研究生院学术副院长。泰勒毕业于英国爱丁堡大学,并在伦敦大学进行教育学研究生学习。他在地图学方面的研究兴趣为机助地... 泰勒(Taylor)博士出生于苏格兰,1966年移居加拿大。现为加拿大渥太华卡尔登(Carleton)大学地理学和国际事务教授兼研究生院学术副院长。泰勒毕业于英国爱丁堡大学,并在伦敦大学进行教育学研究生学习。他在地图学方面的研究兴趣为机助地图学的应用与地图学教育。近年的研究集中在应用微机设计与制作地图。他热衷于发展“新地图学”的理论与实践,对第三世界的发展与地图学在空间规划中的应用也深感兴趣。 展开更多
关键词 图学教育 现任主席 加拿大渥太华 D.r.f ICA 教育学研究 空间规划 伦敦大学 理论与实践 爱丁堡大学
在线阅读 下载PDF
弥漫性大B细胞淋巴瘤基因变异特征与^(18)F-FDG PET/CT SUV_(max)的关系解析及其临床意义
16
作者 田田 陈晨 +7 位作者 魏然 包龙龙 顾丙新 张群岭 曹军宁 于宝华 李小秋 周晓燕 《中国癌症杂志》 北大核心 2025年第6期531-542,共12页
背景与目的:弥漫性大B细胞淋巴瘤(diffuse large B cell lymphoma,DLBCL)分子遗传学特征和患者治疗前^(18)F-FDG PET/CT检查评估的SUV_(max)值均与患者预后密切相关,但两者的关系及其与R-CHOP治疗方案治疗反应的相关性尚不清楚。本研究... 背景与目的:弥漫性大B细胞淋巴瘤(diffuse large B cell lymphoma,DLBCL)分子遗传学特征和患者治疗前^(18)F-FDG PET/CT检查评估的SUV_(max)值均与患者预后密切相关,但两者的关系及其与R-CHOP治疗方案治疗反应的相关性尚不清楚。本研究旨在分析DLBCL分子遗传学特征与治疗前经^(18)F-FDG PET/CT检测的SUV_(max)值的关系及其与临床病理学特征、R-CHOP治疗反应的相关性。方法:回顾性收集复旦大学附属肿瘤医院2022-2023年同时经淋巴瘤481基因DNA panel二代测序(next-generation sequencing,NGS)和治疗前经PET/CT检查的DLBCL患者225例,本研究通过复旦大学附属肿瘤医院医学伦理委员会的审查(伦理批号:050432-4-2307E)并获得患者知情同意;除基因突变特征外,同时收集荧光原位杂交法检测的BCL2、BCL6和MYC基因易位情况;另收集该组病例的临床病理学参数以及经R-CHOP治疗后的PET/CT检查结果。结果:总计191例DLBCL患者纳入最终分析,重要基因MYD88突变、TP53突变、CDKN2A/2B拷贝数异常、CD79B突变发生率分别为24.6%、27.2%、32.5%和16.8%。治疗前SUV_(max)值范围是5.10~63.10(24.44±10.70,中位22.80)。MYD88L265P突变型DLBCL的治疗前SUV_(max)值显著高于MYD88野生型DLBCL(P=0.039),SUV_(max)值与DLBCL其他基因变异类型包括TP53突变、CDKN2A/B拷贝数减少、CD79B突变、KMT2D突变、TNFAIP3突变、B2M突变、EZH2突变、BTG1/2突变、CREBBP突变、MYC、BCL2、BCL6基因重排之间无显著的相关性。治疗前高SUV_(max)值与高血清乳酸脱氢酶(lactate dehydrogenase,LDH)水平(P=0.012)及非生发中心(non-germinal center B-cell-like,non-GCB)亚型显著相关(P=0.040),但与R-CHOP治疗反应无显著的相关性(P=0.714)。DLBCL中TP53基因突变与R-CHOP治疗反应差显著相关(P=0.001),是R-CHOP治疗后非完全代谢缓解的独立预测因子。联合TP53基因突变、Ann Arbor分期、国际预后指数(International Prognostic Index,IPI)及血清LDH水平能够更好地预测患者对R-CHOP治疗的反应。结论:在DLBCL中,MYD88L265P突变型患者具有较高的治疗前SUV_(max)值。DLBCL治疗前SUV_(max)值与R-CHOP治疗反应无关,而TP53基因突变与R-CHOP治疗反应差显著相关,并且是独立预测因子。TP53基因突变联合临床病理学参数可更好地预测R-CHOP治疗反应。关于各基因变异特征及SUV_(max)值与患者预后的关系尚需作进一步随访研究。 展开更多
关键词 弥漫性大B细胞淋巴瘤 基因变异特征 ^(18)F-FDG PET/CT SUV_(max) R-CHOP 治疗反应
暂未订购
用魔法打败魔法的VTR1000
17
作者 董澄 《摩托车》 2025年第10期68-75,共8页
1988年,首届世界超级摩托车锦标赛(WSBK)鸣锣开赛。与GP比赛不同,超级摩托车锦标赛的参赛车型必须以市售跑车为基本平台,在此基础上,严格按比赛规则做有限的改装。对此,本田摩拳擦掌、跃跃欲试,他们以市售跑车VFR750F为平台,向市场推出... 1988年,首届世界超级摩托车锦标赛(WSBK)鸣锣开赛。与GP比赛不同,超级摩托车锦标赛的参赛车型必须以市售跑车为基本平台,在此基础上,严格按比赛规则做有限的改装。对此,本田摩拳擦掌、跃跃欲试,他们以市售跑车VFR750F为平台,向市场推出了超级摩托车定位的VFR750R(又名RC30)。作为竞逐首届世界超级摩托车锦标赛的基本车型,VFR750R由本田赛车部门设计,具有很强赛车性能,武装了精密的悬挂系统和高刚性双梁铝合金车架,同时V型四缸安装了钛合金连杆、镁合金气门罩,具有更加兴奋的高转速性能。装配上赛车组件后的VFR750R比VFR750F生猛了许多,能够输出110k W的最大功率。 展开更多
关键词 RC30 VFR750F VFR750R 超级摩托车锦标赛 赛车性能
在线阅读 下载PDF
基于LKS32MC081C8T的电机控制器硬件设计
18
作者 刘洪平 冉夫军 刘国兵 《价值工程》 2025年第21期4-6,共3页
基于LKS32MC081C8T的电机控制器具有控制三相异步减速电机的正反转、调速功能(频率30Hz~60Hz)、母线电压检测功能、U相V相W相电流检测、过压过流保护电路、6路PWM控制信号、输入欠压保护、输出短路保护、输出缺相保护、模块高温保护等... 基于LKS32MC081C8T的电机控制器具有控制三相异步减速电机的正反转、调速功能(频率30Hz~60Hz)、母线电压检测功能、U相V相W相电流检测、过压过流保护电路、6路PWM控制信号、输入欠压保护、输出短路保护、输出缺相保护、模块高温保护等功能。 展开更多
关键词 硬件过压保护 PWM驱动 驱动模块SP15R12F6
在线阅读 下载PDF
Dynamical system approach of interacting dark energy models in f(R,T^(φ))gravity
19
作者 Amit Samaddar S Surendra Singh +1 位作者 Shah Muhammad Euaggelos E Zotos 《Communications in Theoretical Physics》 2025年第4期117-128,共12页
We have examined an isotropic and homogeneous cosmological model in f(R,T^(φ))gravity,where R represents the Ricci scalar and T^(φ)exhibits the energy momentum tensor's trace.We examine the stability criteria by... We have examined an isotropic and homogeneous cosmological model in f(R,T^(φ))gravity,where R represents the Ricci scalar and T^(φ)exhibits the energy momentum tensor's trace.We examine the stability criteria by performing the dynamical system analysis for our model f(R,T^(φ))=R+2(a T^(φ)+b),where a and b are the constants.We derive a set of autonomous equations and find their solutions by assuming a flat potential V0.We assess the equilibrium points from these equations and find the eigenvalues.We analyze the physical interpretation of the phase space for this system.We obtain three stable equilibrium points.We also examine the interaction between the scalar field and dark energy,represented by Q=ψH_(ρde)and determine the equilibrium points for this interaction.We identify four stable equilibrium points for this interaction.We calculate the values of the physical parameters for both scenarios at each equilibrium point,indicating the Universe's accelerated expansion. 展开更多
关键词 f(R T^(φ))gravity field equations phase space analysis interaction
原文传递
掺硅类金刚石薄膜的制备与表征 被引量:7
20
作者 赵飞 李红轩 +3 位作者 吉利 权伟龙 周惠娣 陈建敏 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期11-14,共4页
利用射频等离子增强化学气相沉积(R.F.PECVD)与非平衡磁控溅射相结合的技术,通过调节甲烷与氩气的比例,在不锈钢基底上制备了一系列硅含量不同的掺硅类金刚石(Si–DLC)薄膜。通过XPS谱图获得了各Si–DLC薄膜的化学组成及Si元素的相对含... 利用射频等离子增强化学气相沉积(R.F.PECVD)与非平衡磁控溅射相结合的技术,通过调节甲烷与氩气的比例,在不锈钢基底上制备了一系列硅含量不同的掺硅类金刚石(Si–DLC)薄膜。通过XPS谱图获得了各Si–DLC薄膜的化学组成及Si元素的相对含量。采用非接触式三维轮廓仪测量了薄膜的表面形貌、粗糙度和厚度。采用纳米压痕技术获得了各薄膜的纳米硬度。在UMT–2MT摩擦试验机采用划痕法评价了各薄膜的结合强度,并在CSM摩擦试验机上考察了各薄膜在空气及水环境下的摩擦学性能。结果表明,各薄膜的纳米硬度和结合强度有相似的变化规律,其最佳值均出现在CH4/Ar=5/6处;而当CH4/Ar=7/6时,薄膜在水环境下的摩擦学性能能得到显著提高,摩擦因数仅为0.012。 展开更多
关键词 r.f.pecvd 掺硅类金刚石薄膜 水环境 结合强度 摩擦因数
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 38 下一页 到第
使用帮助 返回顶部