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长波QWIP-LED量子阱红外探测器杜瓦研制 被引量:1
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作者 陈俊林 王小坤 +4 位作者 曾智江 孙闻 张冬冬 甄红楼 李雪 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2020年第7期846-850,共5页
在用于封装长波QWIP-LED量子阱探测器的杜瓦研制中,详细阐明了一种用于封装长波QWIP-LED量子阱红外探测器的结构,结构采用侧罩式设计,光信号从红外窗口进入,近红外窗口透出,提出了一种探测器胶接在管座上,管座整体再螺接在冷头的方法,... 在用于封装长波QWIP-LED量子阱探测器的杜瓦研制中,详细阐明了一种用于封装长波QWIP-LED量子阱红外探测器的结构,结构采用侧罩式设计,光信号从红外窗口进入,近红外窗口透出,提出了一种探测器胶接在管座上,管座整体再螺接在冷头的方法,提高探测器的互换性,通过热适配设计,降低低温应力对探测器影响,选择低冷损的TC4材料,降低杜瓦漏热,基本解决了长波QWIP-LED量子阱探测器杜瓦组件的关键技术,性能指标达标,成像效果良好,达到工程封装要求。 展开更多
关键词 红外焦平面探测器 杜瓦组件 qwip-led 红外上转换
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用PCS提高QWIP-LED光提取效率的仿真研究
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作者 侯义合 张冬冬 《红外》 CAS 2014年第4期13-17,44,共6页
量子阱红外探测器发光二极管(Quantum Well Infrared Photodetector Light Emitting Diode,QWIP-LED)是一种新型红外上转换器件,配合电荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)能够实现中波红外成像探测。与常规红外成像器件相比,QWIP-LE... 量子阱红外探测器发光二极管(Quantum Well Infrared Photodetector Light Emitting Diode,QWIP-LED)是一种新型红外上转换器件,配合电荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)能够实现中波红外成像探测。与常规红外成像器件相比,QWIP-LED最大的优势在于成本低。然而,QWIP-LED较低的光提取效率(约2%)严重制约了该器件的广泛应用。以提高QWIP-LED的光提取效率为目标,在LED表面引入二维光子晶体薄膜(Photonic Crystal Slab,PCS)结构,采用时域有限差分法(Finite-Difference Time-Domain,FDTD)计算了其对光提取效率的改善效果,并对PCS的结构参数进行了优化。仿真结果表明,优化的PCS可以使QWIP-LED的光提取效率提高2.32倍。最后,基于PCS的能带理论以及等效介质理论,对PCS结构提高器件光提取效率的机理进行了分析。 展开更多
关键词 qwip-led 二维光子晶体薄膜 光提取效率
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Study on the p-type QWIP-LED device 被引量:1
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作者 ZHEN Honglou XIONG Dayuan +3 位作者 ZHOU Xuchang LI Ning SHAO Jun LU Wei 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2006年第4期401-410,共10页
A p-type quantum well infrared photodetector(QWIP)integrated with a light-emitting diode(LED)(named QWIP-LED)was fabricated and studied.The infrared photo-response spectrum was obtained from the device resistance vari... A p-type quantum well infrared photodetector(QWIP)integrated with a light-emitting diode(LED)(named QWIP-LED)was fabricated and studied.The infrared photo-response spectrum was obtained from the device resistance variation and the near-infrared photo-emission intensity variation.A good agreement between these two spectra was observed,which demonstrates that the long-wavelength infrared radiation around 7.5μm has been transferred to the near-infrared light at 0.8μm by the photo-electronic process in the QWIP-LED structure.Moreover,the experimentally observed infrared response wavelength is in good agreement with the theoretical calculation value of 7.7μm.The results on the upconversion of the infrared radiation will be very useful for the new infrared focal plane array technology. 展开更多
关键词 p-type qwip-led upconversion device photo-response spectrum light-emitting spectrum frequency response.
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