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MOS管选通的硅通孔键合前测试
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作者 窦贤锐 梁华国 +3 位作者 黄正峰 鲁迎春 陈田 刘军 《电子与信息学报》 北大核心 2025年第9期3286-3291,共6页
在集成芯片的制造过程中,硅通孔(TSV)中可能会出现许多缺陷,这些缺陷会影响通过硅通孔信号的完整性,因此在早期生产阶段检测这些缺陷至关重要。现有的测试方法存在测试面积和时间开销大、测试精度低的问题。该文选择N型金属氧化物半导... 在集成芯片的制造过程中,硅通孔(TSV)中可能会出现许多缺陷,这些缺陷会影响通过硅通孔信号的完整性,因此在早期生产阶段检测这些缺陷至关重要。现有的测试方法存在测试面积和时间开销大、测试精度低的问题。该文选择N型金属氧化物半导体场效应管(NMOS)和P型金属氧化物半导体场效应管(PMOS)作为选通门,以减小共享测试的面积开销;采用两级电压比较器放大测试TSV和参考电容的电压差,可以检测大于等于50Ω的电阻性开路缺陷和小于等于9 MΩ的泄漏缺陷。与其他方案对比,该方案具有电阻性开路缺陷检测精度高、最小的测试面积和时间开销的优点。 展开更多
关键词 集成芯片 硅通孔 键合前测试 比较器
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基于环形振荡器的绑定前硅通孔测试 被引量：5
2
作者 张鹰 梁华国 +2 位作者 常郝 刘永 李黄褀 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第11期2177-2183,共7页
硅通孔(TSV)的电阻开路故障和泄漏故障会降低三维集成电路的良率和可靠性,为在制造流中尽早排除故障TSV,提出一种基于环形振荡器的绑定前TSV测试方法.首先将环形振荡器的TSV接收器分为一般反相器和施密特触发器,并比较这2种环形振荡器... 硅通孔(TSV)的电阻开路故障和泄漏故障会降低三维集成电路的良率和可靠性,为在制造流中尽早排除故障TSV,提出一种基于环形振荡器的绑定前TSV测试方法.首先将环形振荡器的TSV接收器分为一般反相器和施密特触发器,并比较这2种环形振荡器的测试分辨率;然后把施密特触发器作为TSV接收器引入绑定前TSV测试;为防止误测或误诊断,采用多个低电压测试TSV.基于45 nm PTM CMOS工艺的HSPICE模拟结果表明,与现有同类方法相比,该方法具有更高的测试分辨率,且能测试大电容TSV和同时存在电阻开路故障和泄漏故障的TSV. 展开更多
关键词 三维集成电路 硅通孔 绑定前测试 电阻开路故障 泄漏故障
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一种基于仲裁器的键合前硅通孔测试方法 被引量：1
3
作者 刘永 李黄祺 +1 位作者 黄正峰 常郝 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期863-868,共6页
硅通孔(TSV)故障严重降低了三维集成电路的良率和可靠性。为了在制造流程中尽早精确地排除TSV故障,提出了一种基于仲裁器的键合前TSV测试方法。由于高电平信号通过故障TSV的延迟时间小于无故障TSV,比较被测TSV与无故障TSV的延迟时间,即... 硅通孔(TSV)故障严重降低了三维集成电路的良率和可靠性。为了在制造流程中尽早精确地排除TSV故障,提出了一种基于仲裁器的键合前TSV测试方法。由于高电平信号通过故障TSV的延迟时间小于无故障TSV,比较被测TSV与无故障TSV的延迟时间,即可判断被测TSV是否存在故障,比较结果由仲裁器给出。依次将被测TSV的延迟时间与不同的延迟时间相比,可对其延迟进行区间定位,实现TSV故障分级。实验结果表明,该方案能够检测出开路电阻大于281Ω的电阻开路故障、泄漏电阻小于223 MΩ的泄漏故障,有效解决了两种TSV故障共存的检测问题。与现有同类方法相比,该方法提高了测试精度,增加了可检测故障范围,并且可以进行故障分级。 展开更多
关键词 三维集成电路 硅通孔 键合前测试 测试精度 故障分级
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