文摘日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强Pow-erPAK?SC-70封装的新款-30 V、12 V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET——SiA453EDJ。该器件是2mm×2mm占位面积的-30 V器件,在-4.5 V和-2.5 V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。2014年4月29日发布的Vishay Siliconix这款-30 V VDS器件具有抵御过压尖峰所需的余量,其12 V VGS使器件在-3.7 V和-2.5
