面向高功率密度电能变换器的功率半导体模块研究综述

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作者 罗毅飞 李子聪 +2 位作者 史泽南 马啸 肖飞 《国防科技大学学报》 北大核心 2025年第6期208-223,共16页

功率半导体模块是电能变换器的核心能量转换单元,其合理的设计可以有效提升电能变换器的功率密度。针对现有研究缺乏系统总结的问题,依次从材料、芯片、封装、栅极驱动四个层面较为系统地总结了提升变换器功率密度的方法,分别是:使用宽... 功率半导体模块是电能变换器的核心能量转换单元,其合理的设计可以有效提升电能变换器的功率密度。针对现有研究缺乏系统总结的问题,依次从材料、芯片、封装、栅极驱动四个层面较为系统地总结了提升变换器功率密度的方法,分别是:使用宽禁带材料、改进芯片结构、采用先进封装和改进驱动设计。总结了不同方法提升变换器功率密度的原理,并对基于功率半导体模块设计提升变换器功率密度的现有研究进行分类对比;梳理出现有研究的主要挑战,并对未来的发展趋势进行展望。 展开更多

关键词 功率半导体模块 功率密度 宽禁带材料 芯片结构 先进封装 驱动设计

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车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述 被引量：2

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作者 李尊 张政 +1 位作者 吴毅卓 王学耀 《汽车工程师》 2025年第4期1-9,共9页

针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/D... 针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MOSFET在电动汽车牵引逆变器、DC/DC电源变换器和车载充电机(OBC)应用场景下的特点,分析了目前车用SiC-MOSFET在成本、可靠性及散热方面的技术挑战,并探讨了其在微型化、先进封装、多芯片集成和成本方面的发展趋势。 展开更多

关键词 电动汽车 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 功率半导体芯片 导通损耗 转换效率

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续流二极管反向恢复电流峰值模型及其在结温预测中的应用研究

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作者 焦乾明 祝令瑜 +3 位作者 占草 刘占磊 王伟丞 汲胜昌 《电源学报》 北大核心 2025年第6期329-339,共11页

准确预测功率模块芯片结温对保证其正常可靠运行具有重要意义。目前对于续流二极管芯片结温预测的研究尚不充分,缺乏二极管的温敏电参数模型与机理研究。基于续流二极管关断过程推导二极管反向恢复电流峰值模型,建立反向恢复电流峰值与... 准确预测功率模块芯片结温对保证其正常可靠运行具有重要意义。目前对于续流二极管芯片结温预测的研究尚不充分,缺乏二极管的温敏电参数模型与机理研究。基于续流二极管关断过程推导二极管反向恢复电流峰值模型,建立反向恢复电流峰值与母线电压、负载电流和结温的关系。进而提出基于随机变异粒子群优化算法的反向恢复电流峰值模型参数辨识方法,利用双脉冲实验结果提取模型参数并对模型进行验证。为了避免载流子线性分布和线性变化带来的模型误差,进一步增加模型中负载电流及母线电压指数参数,实现了峰值电流预测的优化。最后基于优化后的模型提出功率模块续流二极管芯片结温预测方法,相较查表法具有更高的预测精度,满足续流二极管结温预测需求。 展开更多

关键词 功率模块 续流二极管芯片 结温预测 反向恢复电流 粒子群优化算法

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面向功率器件封装的纳米铜烧结连接技术研究进展 被引量：4

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作者 马立民 鲁子怡 +5 位作者 贾强 王乙舒 张宏强 周炜 邹贵生 郭福 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第1期296-320,共25页

随着第三代半导体SiC和GaN的快速发展,传统的Si基器件用封装材料已不能满足功率器件在高功率密度和高温环境下可靠服役的需求。纳米铜烧结连接技术不仅能够低温连接、高温服役,同时具有优异的导热、导电性能和相对于纳米银较低的成本,... 随着第三代半导体SiC和GaN的快速发展,传统的Si基器件用封装材料已不能满足功率器件在高功率密度和高温环境下可靠服役的需求。纳米铜烧结连接技术不仅能够低温连接、高温服役,同时具有优异的导热、导电性能和相对于纳米银较低的成本,在功率器件封装研究领域备受关注,纳米铜焊膏成为最有潜力的耐高温封装互连材料之一。本文从纳米铜焊膏的制备、影响烧结连接接头性能的因素以及接头的可靠性3个方面综述了当前纳米铜烧结连接技术的研究进展,阐明了纳米铜颗粒的氧化行为及对应措施,并重点论述了纳米铜烧结连接接头的高温服役可靠性与失效机理,旨在促进低成本的纳米铜烧结连接技术在高性能、高可靠功率器件封装中的应用。 展开更多

关键词 功率器件 第三代半导体 芯片封装 纳米铜颗粒 低温烧结连接 可靠性

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高功率半导体整流管芯片散热效率计算仿真 被引量：2

5

作者 王峰瀛 范晓波 《科学技术与工程》 北大核心 2018年第21期225-231,共7页

为了保证芯片性能,避免芯片受损,对高功率半导体整流管芯片散热效率进行计算和仿真研究。通过有限体积法进行热计算,利用质量守恒方程、能量守恒方程以及动量守恒方程对热传递问题进行描述,确定高功率半导体整流芯片边界条件,给出散热... 为了保证芯片性能,避免芯片受损,对高功率半导体整流管芯片散热效率进行计算和仿真研究。通过有限体积法进行热计算,利用质量守恒方程、能量守恒方程以及动量守恒方程对热传递问题进行描述,确定高功率半导体整流芯片边界条件,给出散热效率计算公式。在恒温室的防风罩中进行测试,依据模型和边界条件,通过ANSYS参数化编程语言APDL构建高功率半导体整流芯片三维有限元模型,分析芯片散热情况。研究平行排列微通道、正交网络结构、螺旋环绕结构和树枝分形结构微通道下芯片散热效率。向有限元模型整流管芯片主体施加热载荷,获取不同基板材料的温度分布情况,得到不同基板材料下芯片散热效率。结果表明,高功率半导体整流管芯片微通道应选用树型结构,基板材料应选择Cu/Si C复合基板。 展开更多

关键词 高功率 半导体 整流管芯片 散热效率 计算

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单片机的半导体激光器功率恒控制 被引量：2

6

作者 徐陶祎 康之讷 周鼎 《激光杂志》 北大核心 2017年第2期45-48,共4页

针对传统的半导体激光器功率恒控制方法一直存在控制精度低、效率差的问题,提出基于单片机的半导体激光器功率恒控制方法。首先,在分析半导体激光器结构的基础上,对半导体激光器功率控制原理进行详细分析;其次,以其原理为基础,对影响半... 针对传统的半导体激光器功率恒控制方法一直存在控制精度低、效率差的问题,提出基于单片机的半导体激光器功率恒控制方法。首先,在分析半导体激光器结构的基础上,对半导体激光器功率控制原理进行详细分析;其次,以其原理为基础,对影响半导体激光器功率控制的因素进行详细地分析;最后,在恒控制过程中加入单片机,增加半导体激光器功率恒控制的稳定性,实现半导体激光器功率恒控制的优化。实验结果证明,采用改进的半导体激光器功率恒控制方法,相比传统的控制方法,其控制精度高、稳定性好。 展开更多

关键词 半导体激光器 功率 恒定控制 单片机

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单片机稳恒控制半导体激光器功率研究 被引量：1

7

作者 张华 王海威 向瑛 《激光杂志》 CAS 北大核心 2023年第9期43-47,共5页

为了提高半导体激光器的整体性能,需要对其功率稳定性控制方法展开研究,提出一种利用单片机实现半导体激光器功率稳恒控制的方法,该方法设计了定功率闭环控制电路和定电压开环控制电路,在半导体激光器运行过程中利用上述电路实现闭、开... 为了提高半导体激光器的整体性能,需要对其功率稳定性控制方法展开研究,提出一种利用单片机实现半导体激光器功率稳恒控制的方法,该方法设计了定功率闭环控制电路和定电压开环控制电路,在半导体激光器运行过程中利用上述电路实现闭、开环控制,通过脉冲电源控制半导体激光器中的脉冲电流,在此基础上利用ATmega16单片机调整电路电流,划分半导体激光器的输出功率区域,在不同区域中利用PID控制器展开功率稳恒控制。实验结果表明,所提方法的激光功率稳定度高、抗干扰性强、功率控制效果好。 展开更多

关键词 单片机 半导体激光器 功率稳恒控制 闭、开环控制 PID控制器

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第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状 被引量：36

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作者 蔡蔚 孙东阳 +2 位作者 周铭浩 郭庆波 高晗璎 《科技导报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第14期42-55,共14页

近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体... 近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链。 展开更多

关键词 第三代宽禁带功率半导体 碳化硅 氮化镓 芯片与封装技术 半导体应用与市场 碳化硅控制器和逆变器

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绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术 被引量：1

9

作者 张龙 刘斯扬 +5 位作者 孙伟锋 马杰 盘成务 何乃龙 张森 苏巍 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期514-526,共13页

利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集... 利用单芯片集成技术制造的智能功率芯片具有体积小、寄生小、损耗低等方面的优势,其技术难度远高于传统的多芯片、单封装形式的智能功率模块.本文首先介绍了单片智能功率芯片的架构与技术需求;然后,探讨了绝缘体上硅功率半导体单芯片集成的工艺流程和器件类型;接着,总结了高压横向IGBT器件技术、续流二极管器件技术、LDMOS器件技术的特征和效果;此外,还讨论了单片智能功率芯片的相关可靠性问题,包括高压互连线效应和低温雪崩不稳定.本课题组在功率半导体集成型器件的电流能力、关断速度、短路承受能力、反向恢复峰值电流、安全工作区、高压互连线屏蔽、低温可靠性等关键特性优化或可靠性提升方面进行了自主创新,构建了基于绝缘体上硅的功率半导体单芯片集成技术,并成功研制了单片智能功率芯片. 展开更多

关键词 功率半导体 绝缘体上硅 单片集成 功率集成电路 功率器件

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HPS整流管芯片散热效率计算仿真研究 被引量：1

10

作者 皮小林 李瑞林 王乐平 《计算机仿真》 北大核心 2020年第1期66-69,共4页

针对传统散热效率计算方法存在计算时间过长、计算效率过低以及计算误差偏高等问题,提出了一种新的散热效率计算方法———基于傅里叶导热方程的散热效率计算方法。通过对高功率半导体整流管芯片进行分析,引用傅里叶导热方程计算出整流... 针对传统散热效率计算方法存在计算时间过长、计算效率过低以及计算误差偏高等问题,提出了一种新的散热效率计算方法———基于傅里叶导热方程的散热效率计算方法。通过对高功率半导体整流管芯片进行分析,引用傅里叶导热方程计算出整流管芯片的传热热阻,根据传热热阻随着温度的变化,获取高功率半导体整流管芯片散热系数。根据高功率半导体整流管芯片散热系数,构建高功率半导体整流管芯片散热模型,利用建立的模型分析转速、冷气流入口的压力和速度以及冷却孔的分布等对转子温度场的以及散热效率的影响,优化散热路径,完成高功率半导体整流管芯片散热计算。实验结果表明,所提方法有效减少了计算时间,提高了计算效率,与此同时,降低了计算误差,使计算结果更为准确。 展开更多

关键词 高功率半导体 整流管芯片 散热效率计算

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基于模拟预失真的2.4 GHz CMOS功率放大器设计 被引量：2

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作者 徐乐 陶李 +1 位作者 刘宏 田彤 《传感器与微系统》 CSCD 2019年第3期63-66,共4页

基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高... 基于65 nm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,设计一种2. 4 GHz的两级全差分功率放大器。通过采用片上变压器实现单端信号和差分信号之间的转换和输入输出阻抗匹配和将驱动级作为预失真器的模拟预失真技术提高线性度,从而实现高增益、高集成度和高线性度的功率放大器芯片。芯片面积为1. 08 mm×1. 37 mm。仿真结果表明:在2. 4 GHz的工作频点,功率放大器的-1 d B输出功率为22. 9 d Bm,功率附加效率为23. 5%,小信号增益为27. 2 d B,三阶交调失真为-35. 6 d Bc。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体功率放大器 片上变压器 模拟预失真 高线性度

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大电流窄脉冲激光器驱动芯片设计 被引量：3

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作者 王立晶 赵柏秦 杨仕轩 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2021年第11期161-166,共6页

脉冲式半导体激光器的出光质量直接影响探测精度。针对激光探测系统小型化的需求,设计一款面积小、集成度高的激光器驱动芯片。该芯片使用新型3D堆叠式封装技术将栅极驱动管芯与功率场效应晶体管管芯集成,并在中间添加双面覆铜陶瓷基板... 脉冲式半导体激光器的出光质量直接影响探测精度。针对激光探测系统小型化的需求,设计一款面积小、集成度高的激光器驱动芯片。该芯片使用新型3D堆叠式封装技术将栅极驱动管芯与功率场效应晶体管管芯集成,并在中间添加双面覆铜陶瓷基板实现两管芯互连。该封装形式既提高了芯片的散热能力,又增强了过流能力。首先对激光探测发射模块现状进行详细介绍,引出了激光器驱动芯片的设计思路与方法,并给出了具体的封装设计流程。对栅极驱动电路与版图进行设计,使用0.25μm BCD工艺制造栅极驱动芯片。在完成激光器驱动芯片封装后,搭建外围电路进行测试,使该芯片驱动860 nm激光器,芯片供电电压为12 V时,输入电平为3.3 V、频率为10 kHz的PWM信号,芯片输出脉冲宽度为180 ns的窄脉冲,其上升、下降时间小于30 ns,峰值电流高达15 A,可以使激光器正常出光,满足探测需求。芯片具有超小面积,约为5 mm×5 mm,解决了传统激光器驱动电路采用多芯片模块造成探测系统内部空间拥挤的问题,为小型化提供新思路。 展开更多

关键词 半导体激光器 驱动芯片 小型化 3D封装 功率MOSFET

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轨道交通用功率半导体器件应用技术的研究 被引量：8

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作者 漆宇 窦泽春 丁荣军 《机车电传动》 北大核心 2020年第1期1-8,共8页

大功率变流技术发展的核心在于功率半导体技术,传统硅基功率半导体器件不断迭代优化以及新型宽禁带材料半导体器件逐渐成熟,持续为轨道交通产业的发展贡献"源动力"。文章围绕功率半导体芯片技术,系统性地分析了模块封装、组... 大功率变流技术发展的核心在于功率半导体技术,传统硅基功率半导体器件不断迭代优化以及新型宽禁带材料半导体器件逐渐成熟,持续为轨道交通产业的发展贡献"源动力"。文章围绕功率半导体芯片技术,系统性地分析了模块封装、组件集成、冷却散热和电磁兼容等变流应用技术的最新发展成果。功率半导体器件应用技术研究的不断深入是促进轨道交通牵引装备朝着更大功率密度、更高能量转换效率和更高可靠性等方向发展的关键。 展开更多

关键词 变流技术 功率半导体 轨道交通 芯片技术 模块封装 冷却散热 电磁兼容

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拜登对华半导体政策:竞争认知、遏制路径与效果制约 被引量：21

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作者 戚凯 李燕 《国际论坛》 CSSCI 北大核心 2022年第6期64-83,158,共21页

大国权力,特别是经济权力突出表现为产业权力。历经约半个世纪的演变,美国的半导体产业权力受到了较大程度的影响,绝对霸主的地位出现了动摇。在信息科技迅猛发展叠加中美战略竞争态势加剧的时代大背景之下,半导体产业权力成为两国关系... 大国权力,特别是经济权力突出表现为产业权力。历经约半个世纪的演变,美国的半导体产业权力受到了较大程度的影响,绝对霸主的地位出现了动摇。在信息科技迅猛发展叠加中美战略竞争态势加剧的时代大背景之下,半导体产业权力成为两国关系中的关键性议题之一。拜登政府上台以来,将半导体产业权力议题推向对华政策的焦点位置,积极推动所谓的“产业安全审查”,对中美半导体产业现状形成了一套带有强烈竞争性、敌视性的认知。在此基础上,拜登政府以全面遏制中国半导体产业发展为核心目标,以推进《芯片与科学法》为主要抓手,对内协调政府与社会力量加大对半导体行业的投资,加强半导体供应链弹性建设,追求本土半导体产业复苏;对外联合盟友对华进行全方位、全环节封锁,力求实现对华半导体强势遏制。拜登政府的政策虽然短期内对华形成一定冲击,但其本质上违背产业发展规律、忽视科技发展趋势,而且在内政外交诸多层面面临着多种限制,政策效果存在高度不确定性。 展开更多

关键词 半导体 拜登政府 《芯片与科学法》 产业权力 中美关系

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半导体技术发展趋势探究——以射频功率放大器为例 被引量：1

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作者 胡单辉 林倩 +3 位作者 邬海峰 陈思维 王晓政 贾立宁 《桂林电子科技大学学报》 2023年第4期271-281,共11页

在分析射频功率放大器(RF PA)的半导体材料、芯片研究现状基础上,总结了半导体技术的发展趋势。通过对半导体材料的特性和PA芯片的性能指标进行分析,发现三代半导体材料皆有优缺点,可根据需要将其分别应用在不同场景,实现共同进步、协... 在分析射频功率放大器(RF PA)的半导体材料、芯片研究现状基础上,总结了半导体技术的发展趋势。通过对半导体材料的特性和PA芯片的性能指标进行分析,发现三代半导体材料皆有优缺点,可根据需要将其分别应用在不同场景,实现共同进步、协调发展。随着PA芯片面积逐渐减小、频率不断增大,对第三代半导体材料和硅基合成材料功放的研究将是未来的热点。为了进一步加快PA的研究进程,通过文献调研总结了半导体技术的5个发展趋势,为RF PA的性能提升和技术发展提供了重要参考,可为我国突破国外厂商壁垒,进一步提升在电子信息、芯片研发领域的核心竞争力奠定一定基础。 展开更多

关键词 半导体技术 射频功率放大器 半导体材料 半导体芯片

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IGBT内部热电耦合分析方法

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作者 魏秀琴 金星 《企业技术开发》 2014年第11期9-10,25,共3页

铁路以牵引动力大、重量轻、体积小、可靠性高、运行成本低及速度快等特点为发展方向,决定了机车传动系统采用先进的交流传动系统已成为必然。随着IGBT功率等级和开关频率的提高,IGBT的工作性能和寿命的受热影响会越来越大。将IGBT细胞... 铁路以牵引动力大、重量轻、体积小、可靠性高、运行成本低及速度快等特点为发展方向,决定了机车传动系统采用先进的交流传动系统已成为必然。随着IGBT功率等级和开关频率的提高,IGBT的工作性能和寿命的受热影响会越来越大。将IGBT细胞元的边界条件与半导体的基本方程结合起来求解出其内部的温度场,知道在芯片内部温度比较高的区域,并且找出影响温度分布的因素,从而找出降低温度的办法。 展开更多

关键词 牵引力 半导体 IGBT 芯片 温度分布

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新型电力电子模块的发展趋势

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作者 Peter Beckedahl Aseem Wahi 《变频器世界》 2005年第6期6-8,共3页

本文论述了新型IGBT模块的需求和发展状况,介绍了SEMIX新型模块系列和SEMIX产品开发平台,并给出了相应的图片和数据。

关键词 功率半导体模块 产品开发平台 半导体芯片

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780 nm宽区高效率半导体激光器温度特性研究

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作者 郑显达 刘亚楠 +2 位作者 佟存柱 汪丽杰 郭英俊 《中国激光》 北大核心 2025年第3期25-32,共8页

7xx nm波段高功率半导体激光器是碱金属激光器和固体激光器的核心泵源,具有广阔的应用前景。然而,7xx nm半导体激光器由于光子能量高、损耗大,在实现高功率和高效率方面面临较大的挑战。设计并制备了780 nm波长的高功率半导体外延结构,... 7xx nm波段高功率半导体激光器是碱金属激光器和固体激光器的核心泵源,具有广阔的应用前景。然而,7xx nm半导体激光器由于光子能量高、损耗大,在实现高功率和高效率方面面临较大的挑战。设计并制备了780 nm波长的高功率半导体外延结构,采用GaAsP无铝量子阱及高带隙的AlGaAs波导改善了载流子限制问题,并采用双非对称波导大光腔设计降低了内部损耗和电阻。制备的200μm条宽激光器在25℃下的连续和准连续输出功率分别可达13 W和16.3 W,相应电光转换效率分别为66%和69%。系统研究了激光器在不同温度下的功率、阈值电流、激射波长及侧向远场发散角等特性,并分析计算了器件的特征温度及热阻,结果表明器件外延结构具有较好的温度特性。 展开更多

关键词 半导体激光芯片 高功率 转换效率 特征温度

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高效率高功率976 nm半导体激光芯片设计与制备 被引量：4

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作者 付鹏 张艳春 +4 位作者 赵涛 赵勇明 唐松 李颖 韩沈丹 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期211-216,共6页

976 nm高功率半导体激光芯片是光纤激光器的核心部件,具有极为重要的产业价值。报道了课题组在高效率高功率半导体激光芯片的设计、制作与测试方面的研究成果。为了最大限度地提高器件的功率转换效率,同时满足苛刻的寿命要求,在设计上... 976 nm高功率半导体激光芯片是光纤激光器的核心部件,具有极为重要的产业价值。报道了课题组在高效率高功率半导体激光芯片的设计、制作与测试方面的研究成果。为了最大限度地提高器件的功率转换效率,同时满足苛刻的寿命要求,在设计上采用双非对称大光腔波导结构,同时对量子阱结构、波导结构、掺杂以及器件结构进行了优化;在外延生长方面,系统地优化了生长工艺参数,确保了外延材料具有极高的内量子效率及低内损耗。大量测试表明:所制作的器件(腔长为5 mm、发光条宽为200μm的芯片)在室温、连续波(CW)测试条件下,阈值电流约为1 A,斜率效率为1.14 W/A;当电流为9 A时,最高功率转换效率高达72.4%;当电流为30 A时,输出功率达到29.4 W,功率转换效率为61.3%;对应于95%光场能量的水平远场发散角低至8.7°。上述参数性能已经达到了国际同类产品的先进水平。 展开更多

关键词 激光器 半导体激光芯片 高功率转换效率 高功率 低水平远场发散角 976 nm

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解析美国的半导体产业霸权:产业权力的政治经济学分析 被引量：87

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作者 李巍 李玙译 《外交评论（外交学院学报）》 CSSCI 北大核心 2022年第1期22-58,I0002,I0003,共39页

20世纪中期,美国出于军工需要孕育产生了最早的半导体产业,并长期执世界之牛耳。从20世纪80年代开始,随着半导体技术逐渐向全球扩散,日本、韩国和中国台湾等东亚经济体先后在该领域崭露头角,半导体产业的全球发展格局也从"一枝独秀... 20世纪中期,美国出于军工需要孕育产生了最早的半导体产业,并长期执世界之牛耳。从20世纪80年代开始,随着半导体技术逐渐向全球扩散,日本、韩国和中国台湾等东亚经济体先后在该领域崭露头角,半导体产业的全球发展格局也从"一枝独秀"转变为"百花齐放"。然而,近年来美国在半导体领域对中国高科技企业尤其是对华为的强力打压表明,尽管半导体的产业分工已高度全球化,而且美国本土的半导体生产和制造也确实相对衰落,但美国在该产业仍拥有十分强悍的霸权地位,且主要体现在其产业控制力而非产业竞争力上。美国对中国发动的规模空前的"芯片战争",不仅对相关企业的发展产生了显著的负面影响,而且对整个中国信息与通讯产业的升级都构成了严重阻碍,彰显了美国巨大的产业权力。美国这种产业权力源于其对半导体产业在技术链、金融链和消费链三个方面所拥有的强大控制能力,这种产业控制力并没有因为其产业竞争力的衰退而有所减弱。它们具体分别体现为在产业链关键环节对核心技术和高端研发的控制,对主要半导体企业在融资渠道和股权结构方面的控制,以及作为世界最重要的半导体产品买家而形成的市场控制。技术控制、金融控制和市场控制,共同构成了美国半导体产业霸权的三个基石,确保美国在产业竞争力相对衰退的情况下仍具有强大的产业权力。这种建立在技术—资本—市场基础上的三维分析框架,也为中国半导体产业的逆势崛起与战略突围提供了一些对症下药的思路。 展开更多

关键词 半导体 产业权力 技术控制 金融控制 市场控制 芯片 政治经济学

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