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体积膨胀的稀释作用对聚合物基导电复合材料PTC效应的影响 被引量:15
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作者 沈烈 徐建文 益小苏 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期34-37,共4页
聚合物基 PTC复合材料中 ,导电填料的体积分数是一个绝缘体 -导体的转换开关。理论分析表明 ,PTC转变区的电阻率突变与渗流曲线在临界体积分数附近的电阻率突变在导电机制上是同一的 ,聚合物基体体积膨胀的稀释作用对 PTC效应有重要影... 聚合物基 PTC复合材料中 ,导电填料的体积分数是一个绝缘体 -导体的转换开关。理论分析表明 ,PTC转变区的电阻率突变与渗流曲线在临界体积分数附近的电阻率突变在导电机制上是同一的 ,聚合物基体体积膨胀的稀释作用对 PTC效应有重要影响 ,在一定的温度范围内 (小于 PTC/ NTC的转变温度 ) 。 展开更多
关键词 体积膨胀 稀释效应 PTC效应 聚合物基导电复合材料 正温度系数效应 电阻率突变
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Y掺杂对BaTiO_3系半导化薄膜PTCR特性的影响 被引量:5
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作者 沈良 曲风钦 宋世庚 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期53-54,共2页
介绍了Y掺杂对BaTiO3 系半导化薄膜PTCR特性的影响。实验发现 ,当Y掺杂浓度在 0 .1mol%~ 1.5mol%时 ,薄膜的室温电阻为 10~ 5 0Ω ,突变温区为 1℃。在 [Y3 + ] =0 .7mol%时 ,薄膜的升阻比达 10 6。实验结果表明 :薄膜的转变温度、升... 介绍了Y掺杂对BaTiO3 系半导化薄膜PTCR特性的影响。实验发现 ,当Y掺杂浓度在 0 .1mol%~ 1.5mol%时 ,薄膜的室温电阻为 10~ 5 0Ω ,突变温区为 1℃。在 [Y3 + ] =0 .7mol%时 ,薄膜的升阻比达 10 6。实验结果表明 :薄膜的转变温度、升阻比和室温电阻与Y掺杂浓度有关。 展开更多
关键词 PTCR 掺杂浓度 钇掺杂 钛酸钡 半导体薄膜
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氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻—温度曲线之影响 被引量:1
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作者 孙清池 王志会 王裕斌 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第5期24-27,共4页
本文研究了氮化物添加对钛酸钡半导瓷电阻-温度曲线之影响.实验表明,除BN外TiN、Si_3N_4、AlN也可以给出较平坦的电阻极大值.在适当的工艺条件下没有氮化物添加同样可以得到类似结果.
关键词 正温度系数电阻 氮化物添加 半导体陶瓷 钛酸钡
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Application of a polymer nanocomposite with carbon filler to limit overvoltages in a photovoltaic element
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作者 A.V.Ivanchenko A.S.Tonkoshkur 《Journal of Advanced Dielectrics》 CAS 2020年第5期25-31,共7页
The ability of a structure in the form of a photovoltaic element with a built-in posistor layer based on a polymer nanocomposite with carbon filler being in direct thermal contact to protect against overvoltages was s... The ability of a structure in the form of a photovoltaic element with a built-in posistor layer based on a polymer nanocomposite with carbon filler being in direct thermal contact to protect against overvoltages was studied experimentally and by simulation.It was shown that the current and voltage on the reverse-biased p-n junction of the photovoltaic layer are limited and decrease from the moment when the temperature of this structure reaches values close to the tripping temperature of the posistor nano-composite to the low-conductivity state.The temperature of the photovoltaic layer has a value close to the tripping temperature of the posistor layer,which is equal to~125°C.The possibility of realizing protection against reverse electrical overvoltages and thermal breakdown of photovoltaic systems based on photovoltaic elements with built-in layers of posistor polymer nano-composites with carbon fillers was established. 展开更多
关键词 posistor polymer nanocomposite photovoltaic element OVERVOLTAGE KINETICS electrical characteristics modeling
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