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适用于像素CZT辐射探测器ROIC的高精度S/H电路(英文) 被引量：1
1
作者 潘银松 李向全 +1 位作者 汪瑛 张流强 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第9期1261-1265,共5页
为了提高像素CZT辐射探测器读出电路的精度,用Cadence的Spectre工具基于GSMC0.18μm工艺模型模拟仿真,设计了一种适用于像素CZT辐射探测器读出电路的高精度双相采样保持电路。首先,用两个电流脉冲信号源建立了前置放大器的输出信号模型... 为了提高像素CZT辐射探测器读出电路的精度,用Cadence的Spectre工具基于GSMC0.18μm工艺模型模拟仿真,设计了一种适用于像素CZT辐射探测器读出电路的高精度双相采样保持电路。首先,用两个电流脉冲信号源建立了前置放大器的输出信号模型,它包括高频噪声和幅度为0.28mV有用信号。然后,设计了一个用于高精度采样保持电路的高性能运算放大器。经过模拟仿真得到其共模输入范围为0.6～1.4V,直流增益为74～80dB,相位裕度大于60°。最后完成了高精度双相采样保持电路的设计,仿真结果显示它能很好的跟随输入信号的形状并且能在信号幅度达到相对误差为0.35%的采样保持精度。 展开更多
关键词 像素czt探测器 读出电路 运放 采样保持电路
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CZT面元像素探测器的研制及其幅度修正技术的实现
2
作者 黎淼 肖沙里 +4 位作者 王玺 陈宇晓 曹玉琳 聂玲 张流强 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1277-1282,共6页
根据CdZnTe(CZT)面元像素探测器基本原理,测试分析了像素阵列CZT晶体漏电流特性。建立了基于数字脉冲处理方式的11 mm×11 mm×3 mm尺寸4×4像素阵列CZT探测系统。采用137Cs 662 keV伽玛源测试得到探测系统响应脉冲幅度谱,... 根据CdZnTe(CZT)面元像素探测器基本原理,测试分析了像素阵列CZT晶体漏电流特性。建立了基于数字脉冲处理方式的11 mm×11 mm×3 mm尺寸4×4像素阵列CZT探测系统。采用137Cs 662 keV伽玛源测试得到探测系统响应脉冲幅度谱,平均能量分辨率为3.3%,全能谱峰(FWHM)为21.85 keV。采用数字脉冲幅度修正方法实现了对探测器像素单元信号处理方式的改进,角像素能量分辨率平均提高1.6%,像素单元最优能量分辨率为2.5%。实验结果表明,所搭建的4×4面元像素阵列探测系统具有高能量分辨率,幅度修正方法对边缘像素能谱性能有明显改进。 展开更多
关键词 CdZnTe(czt) 半导体探测器 像素阵列 幅度修正 能量分辨率
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室温核辐射CdZnTe像素探测器的研制 被引量：1
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作者 郭榕榕 介万奇 +3 位作者 查钢强 王涛 徐亚东 郭庆真 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期660-665,共6页
采用布里奇曼法生长的CdZnTe（CZT）单晶,制成室温核辐射像素探测器。首先通过红外透过显微（IRTM）成像、电阻率测量以及单元探测器能谱响应测试等手段,综合评定了探测器用CZT晶体的质量,结果表明,晶片富Te相密度为28.43 mm-2且尺寸分... 采用布里奇曼法生长的CdZnTe（CZT）单晶,制成室温核辐射像素探测器。首先通过红外透过显微（IRTM）成像、电阻率测量以及单元探测器能谱响应测试等手段,综合评定了探测器用CZT晶体的质量,结果表明,晶片富Te相密度为28.43 mm-2且尺寸分布较均匀,电阻率为1010Ω.cm;电子迁移率寿命积为1.07×10-3cm2/V,晶片质量完全达到像素探测器的制作要求。采用光刻及双层胶剥离技术在CZT晶片表面制备出4×4像素Au电极,制备出金属-半导体-金属（MSM）结构像素阵列探测器,并研究了像素探测器的H2O2溶液湿法钝化和低能氧离子轰击干法钝化工艺,钝化后16个像素在100 V偏压下的漏电流为0.79~1.2 nA。室温下测试像素探测器对未经准直的241Am@59.5 keVγ射线的能谱响应,结合Shockley-Ramo理论,分析了不同像素能谱响应的影响规律。 展开更多
关键词 CdZnTe(czt) 像素探测器 钝化 Shockley-Ramo理论 能量分辨率
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