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Features of persistent photoconductivity in CdHgTe-based single quantum well heterostructures
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作者 Mikhail K.Sotnichuk Anton V.Ikonnikov +3 位作者 Dmitry R.Khokhlov Nikolay N.Mikhailov Sergey A.Dvoretsky Vladimir I.Gavrilenko 《Journal of Semiconductors》 2025年第4期89-98,共10页
In this work,we studied the persistent photoconductivity(PPC)spectra in single HgTe/CdHgTe quantum wells with different growth parameters and different types of dark conductivity.The studies were performed in a wide r... In this work,we studied the persistent photoconductivity(PPC)spectra in single HgTe/CdHgTe quantum wells with different growth parameters and different types of dark conductivity.The studies were performed in a wide radiation quantum energy range of 0.62–3.1 eV both at T=4.2 K and at T=77 K.Common features of the PPC spectra for all structures were revealed,and their relation to the presence of a CdTe cap layer in all structures and the appropriate cadmium fraction in the CdHgTe barrier layers was shown.One of the features was associated with the presence of a deep level in the CdTe layer.In addition,the oscillatory behavior of the PPC spectra in the region from 0.8–1.1 eV to 1.2–1.5 eV was observed.It is associated with the cascade emission of longitudinal optical phonons in CdHgTe barrier. 展开更多
关键词 quantum well CdHgTe persistent photoconductivity HETEROSTRUCTURE SPECTROSCOPY
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Multiframe-integrated, in-sensor computing using persistent photoconductivity 被引量:1
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作者 Xiaoyong Jiang Minrui Ye +7 位作者 Yunhai Li Xiao Fu Tangxin Li Qixiao Zhao Jinjin Wang Tao Zhang Jinshui Miao Zengguang Cheng 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2024年第9期36-41,共6页
The utilization of processing capabilities within the detector holds significant promise in addressing energy consumption and latency challenges. Especially in the context of dynamic motion recognition tasks, where su... The utilization of processing capabilities within the detector holds significant promise in addressing energy consumption and latency challenges. Especially in the context of dynamic motion recognition tasks, where substantial data transfers are necessitated by the generation of extensive information and the need for frame-by-frame analysis. Herein, we present a novel approach for dynamic motion recognition, leveraging a spatial-temporal in-sensor computing system rooted in multiframe integration by employing photodetector. Our approach introduced a retinomorphic MoS_(2) photodetector device for motion detection and analysis. The device enables the generation of informative final states, nonlinearly embedding both past and present frames. Subsequent multiply-accumulate (MAC) calculations are efficiently performed as the classifier. When evaluating our devices for target detection and direction classification, we achieved an impressive recognition accuracy of 93.5%. By eliminating the need for frame-by-frame analysis, our system not only achieves high precision but also facilitates energy-efficient in-sensor computing. 展开更多
关键词 in-sensor MOS2 PHOTODETECTOR persistent photoconductivity reservoir computing
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重频光导开关绝缘冷却液的免气泡精确温控系统
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作者 肖金水 黄宇鹏 +3 位作者 栾崇彪 李洪涛 袁建强 马勋 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第6期117-121,共5页
光导开关连续工作在长脉宽、高重频工况时,由于存在一定的导通电阻,开关内部热沉积现象较严重,容易导致光导开关的热损伤和热击穿,严重影响光导开关的使用寿命。因此必须对高功率光导开关进行有效散热。常规冷却循环系统采用循环泵泵出... 光导开关连续工作在长脉宽、高重频工况时,由于存在一定的导通电阻,开关内部热沉积现象较严重,容易导致光导开关的热损伤和热击穿,严重影响光导开关的使用寿命。因此必须对高功率光导开关进行有效散热。常规冷却循环系统采用循环泵泵出方式对物体进行冷却,存在冷却介质在循环过程中压力过高或过低的问题,使物体冷却不均匀,极易导致物体损坏;此外,循环泵的桨叶循环过程中会产生气泡,使光导开关绝缘强度下降,导致沿面闪络击穿。针对此问题,研制了一套基于负压吸引机制消除气泡、双回路系统实现精确控温的冷却系统,大幅度提高了光导开关寿命:光导开关的良好散热,实现了光导开关在工作电压11 kV、输出电流560 A、脉宽55 ns、重复频率1 kHz条件下寿命达到10~6次。 展开更多
关键词 光导开关 双回路系统 负压吸引
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片上固态高功率微波实现辐射因子20 kV输出
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作者 栾崇彪 袁建强 +8 位作者 肖龙飞 刘宏伟 李洪涛 耿力东 何泱 杨杰 孙逊 李阳凡 徐现刚 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第12期9-10,共2页
随着低空经济产业加速发展,低空安防日益引起广泛关注。我们提出了一种片上固态高功率微波新思路,并在单个厚度0.5mm、直径0.15m的半导体晶圆上集成了储能电容、高功率光控半导体开关及天线,实现了辐射因子20kV的超宽谱高功率微波输出... 随着低空经济产业加速发展,低空安防日益引起广泛关注。我们提出了一种片上固态高功率微波新思路,并在单个厚度0.5mm、直径0.15m的半导体晶圆上集成了储能电容、高功率光控半导体开关及天线,实现了辐射因子20kV的超宽谱高功率微波输出。实验表明,基于集成化片上高功率微波系统,对10m处的消费级无人机造成了通信链路切断及飞行失控的效果。 展开更多
关键词 低空安防 片上高功率微波 光控半导体开关 反无人机
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偏振可调的太赫兹砷化镓光电导天线阵列研究
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作者 董陈岗 施卫 +3 位作者 韩小卫 王志全 王欣 张修兴 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第2期177-183,共7页
光电导天线阵列作为太赫兹辐射的重要发射器件,传统天线因固定偏振状态而限制了其应用的灵活性。针对这一问题,设计并研究了一种偏振可调的四元太赫兹砷化镓光电导天线阵列,旨在增强其在应用中的多功能性和适用性。该天线阵列通过精细... 光电导天线阵列作为太赫兹辐射的重要发射器件,传统天线因固定偏振状态而限制了其应用的灵活性。针对这一问题,设计并研究了一种偏振可调的四元太赫兹砷化镓光电导天线阵列,旨在增强其在应用中的多功能性和适用性。该天线阵列通过精细控制阵元的激励方式,采用同相不等幅激励和90°相差激励两种方式,实现线偏振和圆偏振太赫兹波的精确调控。结果表明,采用同相不等幅激励时,实现了线偏振太赫兹波在360°范围内的灵活调控;采用90°相差激励时,产生了圆偏振太赫兹波,其-10 dB阻抗带宽范围为0.057~1.013 THz,相对带宽为178.69%;轴比带宽范围为0.815~0.947 THz,相对带宽为14.98%。 展开更多
关键词 光电导天线阵列 太赫兹辐射 激励调控
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动态范围超过75 dB的InGaAs/InAlAs光电导太赫兹探测天线制备与表征
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作者 江情男 谭智勇 +4 位作者 万文坚 符张龙 夏宇 李敏 曹俊诚 《红外与毫米波学报》 北大核心 2025年第4期562-568,共7页
光电导天线是太赫兹频段非常重要的器件,在太赫兹时域光谱技术中应用广泛。本文采用分子束外延生长方法制备Be掺杂InGaAs/InAlAs超晶格材料,作为1550nm激光泵浦光电导太赫兹探测天线的光吸收材料,制备的材料方块电阻大于10^(6)Ω/sq、... 光电导天线是太赫兹频段非常重要的器件,在太赫兹时域光谱技术中应用广泛。本文采用分子束外延生长方法制备Be掺杂InGaAs/InAlAs超晶格材料,作为1550nm激光泵浦光电导太赫兹探测天线的光吸收材料,制备的材料方块电阻大于10^(6)Ω/sq、电子迁移率为216cm^(2)/(Vs)。采用湿法腐蚀和磁控溅射工艺分别制备探测天线有源区台面和电极结构,并将天线芯片封装在PCB电路板上。采用国产1550nm飞秒泵浦激光器搭建探测天线测试系统,对电极间隙分别为40μm和60μm的探测天线进行了表征。测量结果表明,60μm天线具有更宽的谱宽和功率动态范围,分别达到4.0THz和77.0dB。 展开更多
关键词 太赫兹 光电导探测天线 分子束外延 时域光谱 光纤飞秒激光
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Light-Induced Changes in a-Si∶H Films Studied by Transient Photoconductivity
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作者 张世斌 孔光临 +3 位作者 徐艳月 王永谦 刁宏伟 廖显伯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期794-799,共6页
Light induced changes in a-Si∶H films are investigated by transient photoconductivity.The transient photoconductivity decay data can neither be fit well by common power-law for transient photocurrent in amorphous sem... Light induced changes in a-Si∶H films are investigated by transient photoconductivity.The transient photoconductivity decay data can neither be fit well by common power-law for transient photocurrent in amorphous semiconductors,nor by stretched exponential rule for transient decay from the steady state in photoconductivity.Instead,the data are fit fairly well with a sum of two exponential functions.The results show that the long time decay is governed by deep traps rather than band tail states,and two different traps locating separately at 0.52 and 0.59eV below E _c are responsible for the two exponential functions.They are designated as negatively charged dangling bond D - centers.The light-induced changes in photoconductivity are attributed mainly to the decrease in electron lifetime caused by the increase of recombination centers after light soaking. 展开更多
关键词 amorphous silicon transient photoconductivity light-induced change
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基于PCSS触发TSS阵列的高压纳秒开关设计及应用
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作者 张静 屈光辉 +5 位作者 张琳 赵国强 张哲豪 刘丽娜 刘园园 李明奇 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第5期104-111,共8页
指标高、结构紧凑、稳定性好的固态高压脉冲开关对脉冲功率技术的进步具有重要意义。提出基于光电导开关(PCSS)和电涌抑制晶闸管(TSS)阵列的高压纳秒开关技术路线,采用便于实现高压隔离的PCSS作为TSS阵列的触发单元,研制了一种新型高压... 指标高、结构紧凑、稳定性好的固态高压脉冲开关对脉冲功率技术的进步具有重要意义。提出基于光电导开关(PCSS)和电涌抑制晶闸管(TSS)阵列的高压纳秒开关技术路线,采用便于实现高压隔离的PCSS作为TSS阵列的触发单元,研制了一种新型高压纳秒开关模块(PTTSSM)。研制的20 kV开关模块输出峰值电流23.7 A,脉冲宽度122.1 ns,上升时间和下降时间分别为55.9 ns和128.3 ns,尺寸为60 mm×60 mm×40 mm;100 kV模块输出峰值电压60~100 kV可调、最大输出峰值电流356 A,脉宽1.308μs,上升和下降时间分别是160.4 ns和2.454μs,尺寸为150 mm×100 mm×50 mm,均能够长时间稳定工作。基于新型高压纳秒开关模块的脉冲电源在有机废水处理实验中成功产生大量稳定低温等离子体,有效降解有机物,验证了开关模块驱动产生等离子体的可行性和有效性。 展开更多
关键词 高压纳秒开关 光电导开关 电涌抑制晶闸管 有机废水处理 低温等离子体技术
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ZnO基器件中的负光电导特性研究
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作者 张晴怡 杨羽欣 +3 位作者 刘凯 王雷 陈峰 徐春祥 《发光学报》 北大核心 2025年第4期582-596,共15页
作为第三代半导体电子器件中最著名的n型金属氧化物之一,氧化锌因具有高检出率、高光学增益、高灵敏度等特点常用于高性能紫外光电探测器的构筑。氧化锌的光电导行为强烈依赖于其表界面性质和导带附近的缺陷态对光生载流子的捕获和去捕... 作为第三代半导体电子器件中最著名的n型金属氧化物之一,氧化锌因具有高检出率、高光学增益、高灵敏度等特点常用于高性能紫外光电探测器的构筑。氧化锌的光电导行为强烈依赖于其表界面性质和导带附近的缺陷态对光生载流子的捕获和去捕获。研究发现,由于载流子的损耗和缺陷捕获,在ZnO器件中还能够观察到持续光电导现象(Persistent photoconductivity)甚至负光电导(Negative photoconductivity,NPC)效应。本文从ZnO器件的正光电导机理出发,详细介绍了ZnO基器件中在不同制备条件和环境温度、不同驱动方式、介质复合和异质结构中观察到的负光电导现象及其产生负光电导效应的微观物理机制。氧化锌负光电导特性的研究可为构建高效逻辑电路、发光二极管、太阳能电池和超高分辨率成像传感器提供新思路。 展开更多
关键词 氧化锌 光电性质 负光电导
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本征光背入射的平面碳化硅光导开关响应特性
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作者 卢柯润 刘福印 +3 位作者 王日品 刘宇宸 王朗宁 荀涛 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第6期111-116,共6页
平面碳化硅光导开关因可采用本征光触发而具有实现高光电增益的特点,但正面与背面光入射两种触发方式在响应特性上存在显著差异。基于TCAD数值仿真软件,对本征光背入射的平面碳化硅(SiC)光导开关的光电流响应进行研究,对比本征光触发下... 平面碳化硅光导开关因可采用本征光触发而具有实现高光电增益的特点,但正面与背面光入射两种触发方式在响应特性上存在显著差异。基于TCAD数值仿真软件,对本征光背入射的平面碳化硅(SiC)光导开关的光电流响应进行研究,对比本征光触发下不同衬底厚度、不同光功率下器件正面与背面入光输出光电流,并对器件内部电流与电场分布状态进行对比分析,最终对厚度为50μm的平面SiC光导开关进行了正面、背面触发实验测试。实验结果表明,40 kW峰值光功率下,与正面触发相比,背面触发器件的导通电阻减少了40%,验证了背面入光器件光电转换效率高的特点,且背面触发器件内部电场、电流更加均匀,更有利于提高器件高功率容量。结果为平面光导开关本征触发提供仿真与实验参考。 展开更多
关键词 光导开关 碳化硅 背面光入射 平面型器件 半导体仿真
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基于负光电导效应的PtSe_(2)光电突触器件机理特性与感存算功能
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作者 梁卜嘉 危波 +6 位作者 康艳 豆树清 夏永顺 郭宝军 崔焕卿 李佳 杨晓阔 《物理学报》 北大核心 2025年第16期409-418,共10页
具有感存算一体的高性能光电突触器件对于开发神经形态视觉系统(NVS)至关重要.本文制备了具有负光响应的PtSe_(2)光电突触器件,测试了该器件在光脉冲刺激下呈现出抑制性突触后电流,同时实现了光学可调的突触行为,包括双脉冲易化、短程... 具有感存算一体的高性能光电突触器件对于开发神经形态视觉系统(NVS)至关重要.本文制备了具有负光响应的PtSe_(2)光电突触器件,测试了该器件在光脉冲刺激下呈现出抑制性突触后电流,同时实现了光学可调的突触行为,包括双脉冲易化、短程可塑性、长程可塑性.此外,器件表现出对光持续时间的依赖性,模拟3×3传感器阵列展示和验证了图像原位传感和存储功能.利用28×28器件阵列结合人工神经网络,实现了视觉信息的集成感知-存储-预处理功能,实验结果表明,预处理后(去噪后)的图像在经过100个epoch训练后达到91%的准确率.最后,利用器件对不同波长光照所响应的负光电导不同,建立了光电突触逻辑门:或非(“NOR”)、与非(“NAND”)和异或(“XOR”),实现了图像逻辑运算.研究结果有力地推进了PtSe_(2)负光响应光电突触器件的应用,为更加集成和高效的NVS铺平道路. 展开更多
关键词 PtSe_(2) 负光电导效应 神经形态系统 感存算 图像逻辑运算
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Photoelectric properties of the semiconductor Bi_(2)YbO_(4)Cl with broad spectral response
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作者 Qibing Li Hong Li +2 位作者 Kai Zhang Tianwu Wang Guangyou Fang 《Journal of Rare Earths》 2025年第9期1852-1858,共7页
Bi_(2)YbO_(4)Cl with a fluorite layer structure belongs to the family of the bismuth rare-earth oxyhalides Bi_(2)REO_(4)X(X=Cl,B r,I).However,the synthesis and photoelectric properties of Bi_(2)YbO_(4)Cl have almost n... Bi_(2)YbO_(4)Cl with a fluorite layer structure belongs to the family of the bismuth rare-earth oxyhalides Bi_(2)REO_(4)X(X=Cl,B r,I).However,the synthesis and photoelectric properties of Bi_(2)YbO_(4)Cl have almost not been reported.In this work,Bi_(2)YbO_(4)Cl was synthesized using the solid-state method and the solvothermal method.Yb3+ions show a strong characteristic absorption peak at 980 nm,which was measured by ultraviolet-visible-near-infrared absorption spectra.The transient photoconductivity of Bi_(2)YbO_(4)Cl was obtained by time-resolved terahertz spectroscopy system under 400 and 800 nm laser excitations,respectively.The frequency-dependent transient photoconductivity analysis reveals the Drude-Smith behavior in Bi_(2)YbO_(4)Cl.Under photoexcitation,the hot charge carriers with a long relaxation lifetime and a carrier mobility of 48 cm^(2)/(V·s) are obtained.The synthesis of Bi_(2)YbO_(4)Cl is of great significance for the development of novel photocatalytic and photo harvesting materials with broad spectral response. 展开更多
关键词 Bi_(2)YbO_(4)Cl Broad spectral response Transient photoconductivity Carrier mobility Rare earths
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光纤耦合式太赫兹辐射源设计与测试
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作者 张桂鸣 朱军锋 +4 位作者 张亭 杜志强 吴斌 杨延召 蔡高航 《红外》 2025年第8期7-12,共6页
光电导天线(Photoconductive Antenna,PCA)是目前太赫兹时域光谱系统中使用最多的太赫兹辐射源之一。根据PCA产生太赫兹信号的原理,利用基于InGaAs/InAlAs超晶格材料的PCA芯片,开展1560 nm激光激发的光纤耦合式太赫兹辐射源模块的设计... 光电导天线(Photoconductive Antenna,PCA)是目前太赫兹时域光谱系统中使用最多的太赫兹辐射源之一。根据PCA产生太赫兹信号的原理,利用基于InGaAs/InAlAs超晶格材料的PCA芯片,开展1560 nm激光激发的光纤耦合式太赫兹辐射源模块的设计与仿真。通过集成化的光路与结构设计,获得了小型化光纤耦合式太赫兹辐射源。在平均功率为25 mW、脉宽为100 fs、中心波长为1560 nm的飞秒脉冲激光激发下,太赫兹辐射源单条波形采样中得到的太赫兹信号光谱范围达到0.1~2.9 THz,同时动态范围达到57 dB。另外,通过实验探究了太赫兹辐射源输出信号幅值与偏置电压及激励光功率之间的关系。 展开更多
关键词 光电导天线 太赫兹辐射源 光纤耦合 InGaAs/InAlAs超晶格
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Self-powered broadband photodetector based on pyramid-structured Si/TiO_(2)heterojunction
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作者 Leyao Wu Xinnan Shi +3 位作者 Haibo Fan Qiujie Li Peng Hu Feng Teng 《Chinese Physics B》 2025年第8期753-763,共11页
Traditional Si-based photoconductive detectors face problems such as low response in the ultraviolet(UV)and infrared regions,high dark current,and low light absorption efficiency,which seriously limit their applicatio... Traditional Si-based photoconductive detectors face problems such as low response in the ultraviolet(UV)and infrared regions,high dark current,and low light absorption efficiency,which seriously limit their applications in the field of high-performance wide-spectrum detection.In this study,a self-powered broadband photodetector based on a Si/TiO_(2)heterojunction is proposed.The detector has a pyramidal structure.By constructing a pyramidal microstructure on the surface of silicon,the light capture and absorption efficiency is significantly improved,representing a breakthrough in response performance in the visible and near-infrared(NIR)bands.In order to further enhance the photoelectric response in the UV band,a TiO_(2)layer was coated on the surface of the silicon pyramid through a simple spin-coating method and annealing process.The introduction of TiO_(2)effectively broadened the spectral response range of the photoelectric detector and further improved the light absorption of the device.Meanwhile,due to the built-in electric field formed by the n-TiO_(2)/p-Si heterojunction,the dark current was effectively reduced,and the responsivity was improved.Experiments showed that the device exhibits high responsivity,high detectivity,and relatively low dark current in the range of 365-1305 nm.Under light at 780 nm,the device’s on-off ratio reached 2.7×10^(3);its specific detectivity,D^(*),was 3.9×10^(11)Jones;and its responsivity reached 0.174 A/W.In addition,this detector does not require the assistance of expensive equipment.Its preparation process is simple and inexpensive,and there is no need for an external power supply,which gives it broad application potential in wearable devices,environmental monitoring,communications,biosensing,and other fields.This study provides a brand-new strategy for the design of new wide-spectrum detectors. 展开更多
关键词 PHOTODETECTOR HETEROJUNCTION photoconduction and photovoltaic effects electronic transport
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平面型光导器件高压、高频响应测试链路研究
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作者 王日品 刘福印 +3 位作者 王朗宁 姚金妹 易木俣 荀涛 《半导体光电》 北大核心 2025年第3期396-402,共7页
针对平面型SiC,GaN光导器件,设计了一种用于高压、高频响应测试链路。根据宽禁带半导体器件的不同特性阻抗,利用PSpice软件对测试链路进行电路仿真,同时利用CST软件在0.5~5 GHz频率下进行高频响应仿真,最后分别采用SiC和GaN光导器件测... 针对平面型SiC,GaN光导器件,设计了一种用于高压、高频响应测试链路。根据宽禁带半导体器件的不同特性阻抗,利用PSpice软件对测试链路进行电路仿真,同时利用CST软件在0.5~5 GHz频率下进行高频响应仿真,最后分别采用SiC和GaN光导器件测试了链路的高压导通能力和高频响应能力。实验结果表明:所设计的高压、高频响应测试链路具有耐高压、全固态、可快速拆卸的优势,能满足平面型SiC,GaN光导器件在0~30 kV偏置电压和DC~1 GHz工作频段下的光电导测试需求。该研究成果为宽禁带半导体光电导器件的耐高压工作能力和高频响应能力提供一定的设计参考和实验借鉴。 展开更多
关键词 高压、高频响应 测试链路 平面型宽禁带半导体 光导开关 SiC GAN
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体结构4H-SiC光电导开关光电转换效率研究
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作者 李飞 黄嘉 +2 位作者 刘京亮 侯钧杰 陈湘锦 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第9期13-19,共7页
随着固态化、模块化、小型化脉冲功率系统的需求不断加深,宽禁带半导体光电导开关(PCSS)由于高功率和快响应等特点引起了广泛的关注。基于高纯半绝缘(HPSI)碳化硅(SiC)衬底,研制了体结构SiC PCSS。在此基础上,提出了一种基于氟化镁和二... 随着固态化、模块化、小型化脉冲功率系统的需求不断加深,宽禁带半导体光电导开关(PCSS)由于高功率和快响应等特点引起了广泛的关注。基于高纯半绝缘(HPSI)碳化硅(SiC)衬底,研制了体结构SiC PCSS。在此基础上,提出了一种基于氟化镁和二氧化钛的高反射镜SiC光电导开关封装结构,有效地提高了光电导开关的光能利用率,搭建了基于新封装结构高纯SiC光电导开关的亚纳秒短脉冲产生电路,优化了脉冲形成线与光电导开关的连接方式,设计了开槽型脉冲形成线结构,减小了电路的寄生电感,缩短了电路的响应时间。采用新封装结构和脉冲形成线,在偏置电压为10 kV、激光波长为532 nm、激光脉冲半高宽为500 ps、激光脉冲能量为90μJ和负载为50Ω的工作条件下,实验获得了电压幅值为7.6 kV的亚纳秒短脉冲,脉冲波形的上升沿和半高宽分别为620 ps和2.2 ns,对应的输出峰值功率为1.1 MW,系统的光电功率增益达到7.7 dB。 展开更多
关键词 光电导开关 高纯半绝缘碳化硅 光电转换效率 峰值输出功率 光电功率增益
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光导型石墨烯探测器暗电流抑制电路研究
17
作者 仝淅哲 申钧 《红外》 2025年第2期1-12,共12页
针对光导型石墨烯探测器暗电流大的特点,在分析几种暗电流抑制电路的基础上,利用电容反馈跨阻放大器(Capacitive Trans-Impedance Amplifier, CTIA)积分电路设计了一种新型低温度系数暗电流抑制电路。仿真分析结果表明,该结构具有良好... 针对光导型石墨烯探测器暗电流大的特点,在分析几种暗电流抑制电路的基础上,利用电容反馈跨阻放大器(Capacitive Trans-Impedance Amplifier, CTIA)积分电路设计了一种新型低温度系数暗电流抑制电路。仿真分析结果表明,该结构具有良好的暗电流抑制能力。相比于传统CTIA结构,积分饱和时间提升显著,并且具有良好的积分均匀性和输出线性度。在-20~40℃温度范围内,电流--温度误差率为0.15%,电压偏移量不到80 mV,能够在室温条件下保持良好的暗电流抑制功能。探测器偏置电压漂移改善88.7%,为探测器稳定工作提供了保障。同时,抑制电流的大小可调,为改善石墨烯基探测器像元的不均匀性和未来制备大规模的石墨烯基探测器阵列提供了参考。 展开更多
关键词 光导型 石墨烯 暗电流抑制 电容反馈跨阻放大器 低温度系数
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一种基于终端扩展结构的高场强平面碳化硅光导器件仿真研究
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作者 刘福印 王朗宁 +5 位作者 何婷 曾玲珑 王日品 牛昕玥 易木俣 荀涛 《现代应用物理》 2025年第2期133-140,共8页
平面型光导器件作为常见的构型,其电极间的闪络和击穿现象严重制约了器件的工作性能。为了提升平面型光导器件工作电压,介绍了一种基于终端扩展结构的电场屏蔽结构,该结构在器件阳极与阴极下方分别外延p型和n型碳化硅(SiC)高电导率层,... 平面型光导器件作为常见的构型,其电极间的闪络和击穿现象严重制约了器件的工作性能。为了提升平面型光导器件工作电压,介绍了一种基于终端扩展结构的电场屏蔽结构,该结构在器件阳极与阴极下方分别外延p型和n型碳化硅(SiC)高电导率层,采用增大曲率半径和引入反向电荷电场2种措施来匀化内部电场。利用TCAD数值仿真软件,研究了不同结构参数对器件通态峰值电场与电流密度的优化效果,并分析了优化结构对导通特性的影响。仿真结果表明,终端扩展结构能够有效匀化器件内部动态峰值电场并缓解电流聚集现象。在电极间隙为1 mm、光峰值功率为100 kW·mm^(-2)、偏置电场为100 kV·cm^(-1)的条件下,与原始器件相比,优化器件能够将最大电场和最大电流密度分别减小90%和81%,同时导通电阻降低了26%。终端扩展结构可为提升平面光导器件通态击穿电压提供参考。 展开更多
关键词 SIC 光电导半导体开关 平面器件 终端结构 半导体仿真
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飞秒激光泵浦光电导天线太赫兹辐射源波束特性研究
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作者 林如飞 郭旭光 《光学仪器》 2025年第3期23-29,共7页
飞秒激光泵浦光电导天线发射太赫兹波是目前使用最广泛的宽频太赫兹产生技术。为提高发射效率和波束质量,通常在光电导天线发射端面集成硅透镜,以增强辐射效率和方向性。然而,由于装配误差或实验调节不当,泵浦飞秒激光光斑中心(太赫兹... 飞秒激光泵浦光电导天线发射太赫兹波是目前使用最广泛的宽频太赫兹产生技术。为提高发射效率和波束质量,通常在光电导天线发射端面集成硅透镜,以增强辐射效率和方向性。然而,由于装配误差或实验调节不当,泵浦飞秒激光光斑中心(太赫兹辐射中心)可能偏离硅透镜旋转对称轴,导致太赫兹波辐射方向发生偏移、波束质量劣化以及发射效率降低。实验采用GaAs肖特基二极管检波器对光电导天线辐射波束进行机械扫描成像,系统研究了太赫兹辐射中心偏离硅透镜对称轴对辐射方向的影响。研究发现,太赫兹辐射中心偏离透镜会导致太赫兹波束向相反方向偏转,这为实际应用中光电导天线辐射发生偏移时透镜位置的调整提供了依据。通过CST电磁仿真,模拟了太赫兹辐射中心相对于透镜旋转对称轴的偏移情况,仿真结果与实验一致。 展开更多
关键词 太赫兹 光导天线 硅透镜 肖特基检.波器 CST仿真 方向性
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Thermal coupled photoconductivity as a tool to understand the photothermal catalytic reduction of CO2 被引量:7
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作者 Dashuai Li Yu Huang +4 位作者 Songmei Li Changhua Wang Yingying Li Xintong Zhang Yichun Liu 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期154-160,共7页
Photocatalysis shows great promise in the field of solar energy conversion.One of the reasons for this is because it promotes the development of multi-field-coupled catalysis.In order to explore the principles of mult... Photocatalysis shows great promise in the field of solar energy conversion.One of the reasons for this is because it promotes the development of multi-field-coupled catalysis.In order to explore the principles of multi-field-coupled catalytic reactions,an in situ multi-field-coupled characterization technique is required.In this study,we obtained hydrogenated ST-01 TiO2 and observed enhanced catalytic activity by thermal coupled photocatalysis.In situ photoconductivity was employed to understand the activity enhancement.The effects of the reaction temperature,reaction atmosphere,and oxygen vacancy(Ov)on the photoconductivity of TiO2 were studied.After coupling thermal into photoconductivity measurement,highly active Ov-TiO2 displayed rapid decay of photoconductivity in a CO2 atmosphere and slow decay of photoconductivity in a N2 atmosphere.These phenomena revealed that photothermal coupling assisted the detrapping of electrons at the Ov surface and promoted electron transfer to CO2,which clearly explained the high photothermal catalytic activity of Ov-TiO2.This study demonstrated that photoconductivity is a useful tool to help understand photothermal catalytic phenomena. 展开更多
关键词 PHOTOCONDUCTION Photothermalcatalytic Titanium dioxide Oxygen vacancy Carbon dioxide reduction
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