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Pb-I系统的相变分析与PbI2晶体生长
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作者 朱兴华 赵北君 +3 位作者 朱世富 金应荣 魏昭荣 高秀英 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期350-353,共4页
对Pb-I系统L2+L3相的分层熔体在结晶过程中发生的相变进行了研究。结果表明,在富Pb配料的PbI2熔体凝固过程中,PbI2晶粒的析出和富余Pb的沉积是各相间的动态交换,结晶后富余的Pb将以单质的形式凝固于单相PbI2晶体底部。据此,设计出特殊... 对Pb-I系统L2+L3相的分层熔体在结晶过程中发生的相变进行了研究。结果表明,在富Pb配料的PbI2熔体凝固过程中,PbI2晶粒的析出和富余Pb的沉积是各相间的动态交换,结晶后富余的Pb将以单质的形式凝固于单相PbI2晶体底部。据此,设计出特殊结构的石英生长安瓿,采用垂直Bridgman法生长出尺寸为φ10mm×20mm、完整性好的PbI2晶体。XRD分析结果表明该晶体为2H结构,Pml空间群,EDX分析结果表明沉积于籽晶袋球泡中的Pb含量为100at%,晶体生长实验的结果与Pb-I系统的相变分析一致。 展开更多
关键词 Pb-I系统 相变 富铅配料 pbi2晶体 晶体生长
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Two-step processed efficient perovskite solar cells via improving perovskite/PTAA interface using solvent engineering in PbI2 precursor 被引量:1
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作者 Cao-Yu Long Ning Wang +3 位作者 Ke-Qing Huang Heng-Yue Li Biao Liu Jun-Liang Yang 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第4期563-570,共8页
The morphology and interface of perovskite film are very important for the performance of perovskite solar cells(PSCs).The quality of perovskite film,fabricated via two-step spin-coating process,is significantly influ... The morphology and interface of perovskite film are very important for the performance of perovskite solar cells(PSCs).The quality of perovskite film,fabricated via two-step spin-coating process,is significantly influenced by the morphology and crystallinity of PbI2 film.With the addition of additive dimethyl sulfoxide(DMSO)into the PbI2 precursor,the roughness and trap-state density of perovskite film have been significantly reduced,leading to the excellent contact between perovskite layer and subsequent deposited carrier transport layer.Accordingly,the planar heterojunction PSCs with an architecture of ITO/SnO2/perovskite/PTAA/Ag show an efficiency up to 19.02%.Furthermore,PSCs exhibit promising stability in air with a humidity of ~45%,and retain 80% of initial efficiency after being exposed to air for 400 h without any encapsulation. 展开更多
关键词 PEROVSKITE solar cells planar HETEROJUNCTION interface pbi2-DMSO complex
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NH3·H2O对PbI2薄膜形貌及结构的影响
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作者 李秋池 高明哲 +3 位作者 梁云龙 路天赐 佟浩天 唐立丹 《辽宁工业大学学报(自然科学版)》 2019年第4期256-259,265,共5页
以NH3·H2O为添加剂,研究了NH3·H2O添加对PbI2薄膜及钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的影响。场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)测试结果表明,NH3·H2O的添加使得PbI2薄膜表面有孔隙出现,随着NH3·H2O含量的增加,P... 以NH3·H2O为添加剂,研究了NH3·H2O添加对PbI2薄膜及钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜的影响。场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)测试结果表明,NH3·H2O的添加使得PbI2薄膜表面有孔隙出现,随着NH3·H2O含量的增加,PbI2薄膜表面的孔隙率增加,且孔隙均匀分布,PbI2的晶粒尺寸也逐渐增加,由初始的24.134nm增加到29.039nm。当NH3·H2O含量为5%时,钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜中PbI2的残留量几乎为零,钙钛矿薄膜的结晶性有了显著提高,钙钛矿薄膜具有较好的平整性。 展开更多
关键词 pbi2薄膜 钙钛矿 NH3·H2O
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PbI2掺杂对高温高压合成PbTe1.04合金电学性质的影响
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作者 郭建刚 马红安 +2 位作者 宿太超 董楠 贾晓鹏 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期938-941,共4页
通过高温高压方法,成功地合成出了立方相(PbTe1.04)100-y(PbI2)y(0≤y≤0.065)体热电材料。在常温常压下,对样品的一系列电学性质进行了测试与研究。结果表明,随着掺杂量的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均显著地减小。当y=0.015时,... 通过高温高压方法,成功地合成出了立方相(PbTe1.04)100-y(PbI2)y(0≤y≤0.065)体热电材料。在常温常压下,对样品的一系列电学性质进行了测试与研究。结果表明,随着掺杂量的增加,Seebeck系数的绝对值和电阻率均显著地减小。当y=0.015时,热电材料的功率因子达到最大值24.2μW/(cm.K2),它远远大于常压下合成PbTe掺杂PbI2的功率因子。以上结果说明,高温高压结合微量掺杂的方法可以有效地提高PbTe材料的电学输运性能。 展开更多
关键词 碲化铅 碘化铅 热电材料 高温高压
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Microwave-assisted synthesis of Mg:PbI2 nanostructures and their structural,morphological,optical,dielectric and electrical properties for optoelectronic technology
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作者 Mohd.Shkir Ziaul Raza Khan +4 位作者 T Alshahrani Kamlesh VChandekar M Aslam Manthrammel Ashwani Kumar S AlFaify 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第11期420-426,共7页
This work reports the cost-effective growth of Mg:PbI2 nanostructures with 0,1,2.5 and 5.0 wt.%Mg doping concentrations.Structural,vibrational,morphological properties are analyzed using x-ray diffraction(XRD),Raman s... This work reports the cost-effective growth of Mg:PbI2 nanostructures with 0,1,2.5 and 5.0 wt.%Mg doping concentrations.Structural,vibrational,morphological properties are analyzed using x-ray diffraction(XRD),Raman spectroscopy and scanning electron microscopy(SEM).XRD and Raman studies confirm the monophasic hexagonal system of Mg:PbI2,and no additional impurity peaks are detected.The Scherrer formula is used to determine sizes of crystallites to be in the range of 47-52 nm.EDX/SEM e-mapping analyses confirm the incorporation of Mg in PbI2 matrix and its uniform distribution throughout the sample.The hexagonal nanosheet-and nanoplate-like morphologies are detected in SEM images for pure and Mg-doped PbI2.An optical band gap of nanostructures is obtained from Tauc’s relation to be in the range 3.0-3.25 eV.Dielectric and electrical properties are found in significant enhancement as Mg doping in PbI2 matrix,also the conduction mechanism is discussed. 展开更多
关键词 Mg:pbi2 nanostructures structural properties optical band gap dielectric constant ac conductivity
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Achieving highly uniform two-dimensional PbI2 flakes for photodetectors via space confined physical vapor deposition 被引量:11
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作者 Yaguang Wang Lin Gan +2 位作者 Junnian Chen Rui Yang Tianyou Zhai 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第24期1654-1662,共9页
Two-dimensional(2D) PbI_2 flakes have been attracting intensive attention as one potential candidate for the modern optoelectronics. However, suffered from the instability of kinetics-driven growth, the fabricated 2D ... Two-dimensional(2D) PbI_2 flakes have been attracting intensive attention as one potential candidate for the modern optoelectronics. However, suffered from the instability of kinetics-driven growth, the fabricated 2D PbI_2 flakes have a wide dimensional distribution even under the same conditions. Herein, a novel facile space confined physical vapor deposition(PVD) process is provided to synthesize uniform triangle PbI_2 flakes with high quality. The confined space provides a relatively stable growth environment that renders more control on the growth kinetics, leading to highly uniform triangle PbI_2 flakes with the average size of 5 mm and thickness of 17 nm. Moreover, as-fabricated PbI_2-based photodetectors show promising stable and flexible optoelectronic performances to 470 nm light, including high responsivity(0.72 AW^(-1)), large on/off ratio up to 900, fast photoresponse speed(rise time of 13.5 ms and decay time of 20 ms) and high detectivity(1.04×10^(10) Jones). The well-controllable growth of the uniform triangle PbI_2 flakes and the detailed exploration of their optoelectronic properties are particularly valuable for their further practical applications. 展开更多
关键词 Two-dimensional material pbi2 Space confined physical vapor deposition HOMOGENEITY Photodetector
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Interface engineering gifts CsPbI2.25Br0.75 solar cells high performance 被引量:12
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作者 Zhimin Fang Xianyi Meng +7 位作者 Chuantian Zuo Dan Li Zuo Xiao Chenyi Yi Mingkui Wang Zhiwen Jin Shangfeng Yang Liming Ding 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第23期1743-1746,共4页
Organic-inorganic halide perovskite (ABX3) solar cells (PSCs)have made great progress in recent years [1]. The power conversion efficiency (PCE) has increased up to 25.2%(NREL Best Research-Cell Efficiency Chart, http... Organic-inorganic halide perovskite (ABX3) solar cells (PSCs)have made great progress in recent years [1]. The power conversion efficiency (PCE) has increased up to 25.2%(NREL Best Research-Cell Efficiency Chart, https://www.nrel.gov/pv/cell-efficiency.html, Accessed August 2019). However, they suffer from poor thermal stability due to the volatile A-site organic cations. 展开更多
关键词 pbi2 PEROVSKITE INORGANIC
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Light-induced phase transition and photochromism in all-inorganic two-dimensional Cs2PbI2Cl2 perovskite 被引量:4
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作者 Xiaojun Li Mingming Chen +4 位作者 Shiliang Mei Bingzhe Wang Kaiyang Wang Guichuan Xing Zikang Tang 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2020年第8期1510-1517,共8页
Organic-inorganic hybrid two-dimensional(2D)ruddlesden-popper(RP)perovskites with fantastic optoelectronic properties and good stability have attracted tremendous attention for the potential applications in photovolta... Organic-inorganic hybrid two-dimensional(2D)ruddlesden-popper(RP)perovskites with fantastic optoelectronic properties and good stability have attracted tremendous attention for the potential applications in photovoltaics and electroluminescence.Recently,a new allinorganic Cs2PbI2Cl22D perovskite has been proposed with excellent excitonic absorption and improved ambient and thermal stability.Herein,an interesting light-induced phase transition and photochromism in the Cs2PbI2Cl2were reported.Under low fluence light pumping,the room temperature photoluminescence(PL)of Cs2PbI2Cl2is dominated by a weak violet excitonic emission peaked at 412 nm.Surprisingly,the emission color gradually changes from violet to bright red while increasing the laser pumping fluence.This photochromic effect is determined to be caused by forming CsPbI3phase within the Cs2PbI2Cl2crystals,which is efficiently driven by thermal energy.Due to protection by the Cs2PbI2Cl2matrix,the embedded CsPbI3nanocrystals show improved stability than standard pure CsPbI3.Therefore,the Cs2PbI2Cl2perovskite with photochromic feature may find applications in optical encryption,as preliminarily shown in this work. 展开更多
关键词 Cs2pbi2Cl2 light-induced phase transition PHOTOCHROMISM optical encryption
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Effect of defects on the electronic structure of a PbI2/MoS2 van der Waals heterostructure: A first-principles study 被引量:2
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作者 Wen He HuaWei Li +3 位作者 HuiQiong Zhou HongKang Zhao Hui Wang XingHua Shi 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第3期64-69,共6页
PbI2/MoS2,as a typical van der Waals(vdW)heterostructure,has attracted intensive attention owing to its remarkable electronic and optoelectronic properties.In this work,the effect of defects on the electronic structur... PbI2/MoS2,as a typical van der Waals(vdW)heterostructure,has attracted intensive attention owing to its remarkable electronic and optoelectronic properties.In this work,the effect of defects on the electronic structures of a PbI2/MoS2 heterointerface has been systematically investigated.The manner in which the defects modulate the band structure of PbI2/MoS2,including the band gap,band edge,band alignment,and defect energy-level density within the band gap is discussed herein.It is shown that sulfur defects tune the band gaps,iodine defects shift the positions of the band edge and Fermi level,and lead defects realize the conversions between the straddling-gap band alignment and valence-band-aligned gap,thus enhancing the light-absorption ability of the material. 展开更多
关键词 defect engineering electronic structures pbi2/MoS2 VAN der WAALS HETEROSTRUCTURE FIRST-PRINCIPLES study
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碘化铅单晶体生长新方法探索 被引量:4
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作者 贺毅 朱世富 +3 位作者 赵北君 金应荣 朱兴华 栾道成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期289-292,333,共5页
本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发... 本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发并排除了分凝的铅,获得了桔红色半透明的碘化铅晶体。经测试,晶体的结晶性好,红外透过率达45%,电阻率为1.7×1012Ω.cm,为制备性能优异的碘化铅室温核辐射探测器奠定了基础。 展开更多
关键词 pbi2 晶体生长 碘蒸发 铅沉淀 U型安瓿 提拉法
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真空蒸发法制备PbI_2多晶薄膜研究 被引量:3
11
作者 李玉红 张弘 +2 位作者 李振生 李丹民 贺德衍 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期1239-1242,共4页
用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10-11(Ω·cm)... 用真空蒸发法在玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,对样品的微结构、表面形貌、化学组分及电阻率进行了测试分析.结果表明,样品具有良好的多晶结构,并沿六角密堆积结构的c轴向高度择优取向.室温下样品暗电导率为3.09×10-11(Ω·cm)-1,电导激活能为0.78eV. 展开更多
关键词 pbi2多晶薄膜 真空蒸发 辐射探测
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气压和温度对气相法生长PbI_2晶体的影响 被引量:2
12
作者 李玉红 李振生 +2 位作者 张弘 李丹民 贺德衍 《兰州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期74-76,共3页
用平衡气压方程对气相法生长PbI2晶体过程中压强和温度对晶体组分的影响进行了计算.结果表明,在一定的温度下,总压强越高,PbI2开始分解的温度越高;在一定的总压强下,系统温度越低,PhI2分解的比例越小.
关键词 气相法 pbi2晶体 平衡气压方程
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PbTe基合金的热压制备与热电性能 被引量:3
13
作者 吴荣归 李兴 +1 位作者 张艳华 徐桂英 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期271-274,共4页
以Pb粉,Te粉和PbI2粉为原料,采用固相合成方法合成了掺杂PbI2(0.03,0.05,0.1,0.3at%)N型PbTe合金,XRD分析表明,合金具有NaCl型面心立方结构。采用热压烧结法将PbTe合金粉末烧结成块体材料,运用XRD,SEM方法对材料的物相组成和形貌进行了... 以Pb粉,Te粉和PbI2粉为原料,采用固相合成方法合成了掺杂PbI2(0.03,0.05,0.1,0.3at%)N型PbTe合金,XRD分析表明,合金具有NaCl型面心立方结构。采用热压烧结法将PbTe合金粉末烧结成块体材料,运用XRD,SEM方法对材料的物相组成和形貌进行了表征,表明热压烧结后材料仍保持NaCl型面心立方结构,出现偏析现象,分为富Te相和富Pb相,其中富Pb相呈现片状。通过材料热电性能参数的测试,研究了20MPa下不同热压烧结温度,不同含量PbI2掺杂对材料热电性能的影响,结果表明合理热压烧结温度对材料的热电性能提高起到关键作用,当PbI2含量为0.1at%时,PbTe合金在350℃具有最高的功率因子2.48mW/(m.K2)。 展开更多
关键词 PBTE pbi2掺杂 热压 热电性能
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富铅配料的PbI_2晶体生长与性能表征 被引量:1
14
作者 朱兴华 赵北君 +3 位作者 朱世富 金应荣 向安平 魏昭荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期898-901,共4页
以富Pb配料,采用特殊工艺生长出尺寸为Φ10mm×20mm的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H晶型,P3ml空间群;IR透过率测试结果表明1mm厚的PbI2晶片在400~1000cm-1范围的平均透过率为40%;UV吸收测试结果表明PbI2晶片吸收边为547.6nm... 以富Pb配料,采用特殊工艺生长出尺寸为Φ10mm×20mm的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H晶型,P3ml空间群;IR透过率测试结果表明1mm厚的PbI2晶片在400~1000cm-1范围的平均透过率为40%;UV吸收测试结果表明PbI2晶片吸收边为547.6nm,对应能隙为2.27eV.采用上述晶体制备的PbI2探测器在室温下对241Am59.5keVγ射线敏感,能谱半高宽(FWHM)为26.7keV. 展开更多
关键词 pbi2晶体 生长工艺 XRD务析 IR透过率 禁带宽度 能谱特性
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PbI_2厚膜的结构、形貌与光谱性质研究 被引量:1
15
作者 杨定宇 朱兴华 +3 位作者 孙辉 郝东 李旭 高秀英 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期2892-2896,共5页
毫米级厚度碘化铅(PbI2)膜是制造下一代阵列高能辐射探测器的关键材料。采用近空间升华法制备了PbI2厚膜,研究升华源温度对制备样品晶体结构、表面形貌及光谱性质的影响。结果表明,随着源温度的升高,样品厚度由1 000μm下降到220μm。X... 毫米级厚度碘化铅(PbI2)膜是制造下一代阵列高能辐射探测器的关键材料。采用近空间升华法制备了PbI2厚膜,研究升华源温度对制备样品晶体结构、表面形貌及光谱性质的影响。结果表明,随着源温度的升高,样品厚度由1 000μm下降到220μm。X射线衍射测试表明,厚膜为沿(002)晶面择优取向生长的六方相多晶结构,其晶粒尺寸、位错密度及生长应力与源温度密切相关。扫描电子显微镜测试显示,样品由六方片状颗粒堆积而成,其颗粒直径约为248μm,厚约32.7μm,有明显的层状结构。解谱拟合发现,样品的拉曼光谱有147,169,217和210cm-1等4个散射峰,前三个峰对应于4H晶型PbI2晶体的纵光学波振动模式,210cm-1来源于衬底SnO2的相关振动模式。随源温度的升高,147cm-1拉曼峰有明显变化,其峰强高于225℃时出现大幅度的下降,峰形展宽。在340nm光激发下,样品的室温光致发光谱在2.25,2.57和2.64eV附近出现弱的发光峰,来源于与缺陷和激子相关的复合。综合结构表征与光谱测试结果,200℃时沉积的PbI2厚膜具有最佳的结晶质量,其厚度约为659μm。 展开更多
关键词 pbi2厚膜 近空间升华法 源温度 结构 形貌 拉曼光谱 光致发光谱
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近空间升华法制备PbI_2厚膜及其性质研究
16
作者 朱兴华 杨定宇 +4 位作者 孙辉 魏昭荣 李乐中 杨维清 祖小涛 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期1555-1558,共4页
采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸... 采用近空间升华法在玻璃衬底上制备PbI2厚膜,研究了工艺参数对样品晶体结构、形貌和光致发光性质的影响。实验显示,沉积速率随着源温度的升高和沉积气压的下降而急剧增大。XRD谱表明PbI2膜为沿[001]晶向择优取向的六方多晶体,晶粒尺寸随沉积速率的增大而逐渐减小。同时,沉积速率增大还导致膜压应力变大,晶格常数减小,使(001)晶面衍射峰向大角度方向移动。SEM照片显示样品为(001)晶面堆积而成的片状晶粒结构,晶粒c轴与衬底平行。随着沉积速率的增大,晶粒有序性和膜致密度下降,同时(001)晶面上由于六方中心亚晶粒的出现而导致表面粗糙度大幅增大。样品的PL发光谱显示了本征发射特征,发光锋随沉积速率的增大向长波方向移动,同时峰位展宽,强度减弱。 展开更多
关键词 近空间升华法 pbi2厚膜 沉积速率 压应力 六方中心 发光峰
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电子束蒸发制备PbI_2薄膜及其性能表征
17
作者 朱兴华 杨定宇 +3 位作者 魏昭荣 杨维清 朱世富 赵北君 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期700-702,707,共4页
采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及紫外-可见光谱的影响。XRD结构表征显示,不同衬底温度下沉积的PbI2薄膜均属六方结构,低温下呈现(002)方向的c轴择优生长,但随着衬底温... 采用电子束蒸发工艺在普通玻璃衬底上制备了PbI2多晶薄膜,研究了不同衬底温度对薄膜结构、表面形貌及紫外-可见光谱的影响。XRD结构表征显示,不同衬底温度下沉积的PbI2薄膜均属六方结构,低温下呈现(002)方向的c轴择优生长,但随着衬底温度的升高,择优生长弱化;SEM形貌分析结果表明,PbI2薄膜的晶粒尺寸随着衬底温度的升高而增大,同时晶粒间应力造成的突起减少,薄膜表面致密度和平整度提高;UV光谱测试结果表明,不同衬底温度下制备PbI2薄膜透过光谱的吸收限均在515nm附近,且呈现陡直的吸收边。计算发现,薄膜禁带宽度约为2.42eV,随着衬底温度升高而略微增大,显示结晶质量提高。 展开更多
关键词 pbi2薄膜 电子束蒸发 XRD分析 SEM形貌 UV光谱测试
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电子束蒸发制备PbI_2膜及其光学性能研究
18
作者 朱兴华 杨定宇 +4 位作者 魏昭荣 孙辉 李乐中 高秀英 杨军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期1019-1024,共6页
采用电子束蒸发法制备PbI2膜,研究不同工艺参数对制备样品光学性质的影响。结果表明,制备样品属于六方相多晶结构,随衬底温度的升高,样品中的I元素含量降低并趋于理想化学配比。随着衬底温度的升高,PbI2膜的光谱透过性能逐渐改善,吸收... 采用电子束蒸发法制备PbI2膜,研究不同工艺参数对制备样品光学性质的影响。结果表明,制备样品属于六方相多晶结构,随衬底温度的升高,样品中的I元素含量降低并趋于理想化学配比。随着衬底温度的升高,PbI2膜的光谱透过性能逐渐改善,吸收边沿低能一侧的拖尾逐步消除,源自样品结晶质量的提高。根据紫外-可见透过谱,计算了不同条件下制备样品的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙。结果发现,随衬底温度的升高,制备样品的折射率和光学带隙出现波动变化,但吸收系数单调增大。在相同的衬底温度下,35cm的源-衬间距下制备的样品具有最大的光吸收系数,归因于该系列样品较高的致密度。 展开更多
关键词 pbi2 衬底温度 紫外-可见透过谱 吸收系数 光学带隙
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气相输运合成PbI_2多晶的热力学研究(英文)
19
作者 朱兴华 赵北君 +4 位作者 朱世富 金应荣 何知宇 高德友 魏昭荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1017-1021,共5页
本文对PbI2合成反应体系的反应焓变,反应熵增,Gibbs自由能变化和反应平衡常数进行了理论计算,从热力学角度论证了选取PbI2熔点(678K)以上的723K作为体系合成反应控制温度的可行性。在723K的控温工艺下,采用两温区气相输运方法合成出高... 本文对PbI2合成反应体系的反应焓变,反应熵增,Gibbs自由能变化和反应平衡常数进行了理论计算,从热力学角度论证了选取PbI2熔点(678K)以上的723K作为体系合成反应控制温度的可行性。在723K的控温工艺下,采用两温区气相输运方法合成出高纯、单相的PbI2多晶材料,XRD分析结果表明符合热力学计算结果的控温工艺能有效地应用于PbI多晶合成。 展开更多
关键词 pbi2 多晶合成 热力学 控温工艺
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分光光度法测定PbI_2的溶度积常数 被引量:3
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作者 王建鸣 《黄冈师范学院学报》 2004年第3期81-83,共3页
实验采用分光光度法测定PbI2的溶度积原理是用NaNO2将PbI2饱和溶液中的I-氧化成I2,测定其吸光度,并在标准曲线上查找出对应的I-浓度.计算出PbI2的溶度积常数为KSP=1.37×10-8,与文献值相比误差较小.
关键词 分光光度法 pbi2 溶度积常数 无机化学实验 碘化铅
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