弛豫型铁电体PZNT制备与性能研究的进展 被引量：10

1

作者 许桂生 罗豪 +2 位作者 齐振一 徐海清 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期1-11,共11页

本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展．PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主，其尺寸已达40mm．随PT含量的变化，PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变；其铁电-铁电... 本文综述了近年来国际上弛豫型铁电体PZNT的制备与介电、压电及电致伸缩性能研究的进展．PZNT单晶体的制备方法以高温PbO熔剂法为主，其尺寸已达40mm．随PT含量的变化，PZNT的顺电一铁电相交由弥散性、混合型变为一级相变；其铁电-铁电相变可由组份或电场诱导，由介电性能表征．压电性能在MPB处及偏向三方相一侧达到最佳，＜001＞切向的三方相与四方相单晶可分别作为频带宽、分辨率高、且阻抗匹配好的新一代声阵列与单个器件传感器．＜001＞向的PZNT单晶具有巨大的电致伸缩应变，可望成为高性能的固体驱动器． 展开更多

关键词 pznt 单晶 压电性 电致伸缩应变 铁电体 驰豫型

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弛豫铁电单晶PZNT93/7的生长与电性能研究 被引量：3

2

作者 徐家跃 童健 +3 位作者 侍敏莉 陆宝亮 张爱琼 范世骥 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期264-268,共5页

以50mol％PbO为助溶剂,采用溶剂-坩埚下降法生长了Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.93Ti0.07]O3(PZNT93/7)弛豫铁电单晶.为了控制成核,我们在坩埚底部设计了一个通气装置以诱导自发成核.晶体在Pt坩埚中生长,坩埚尺寸为40mm×40mm×300mm,下降... 以50mol％PbO为助溶剂,采用溶剂-坩埚下降法生长了Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.93Ti0.07]O3(PZNT93/7)弛豫铁电单晶.为了控制成核,我们在坩埚底部设计了一个通气装置以诱导自发成核.晶体在Pt坩埚中生长,坩埚尺寸为40mm×40mm×300mm,下降速率为0.5mm/h,通气流量为1～1.6L/min.所得晶体最大尺寸达φ30mm×25mm.该晶体具有明显的结晶学形貌.X射线定向表明,其主要显露面为(001).由于气流不稳定以及质量输运较慢,晶体内部容易形成一些红色PbO包裹.介电和铁电性能研究表明,该晶体的性能能够满足新型医疗诊断设备对阵列换能器的要求. 展开更多

关键词 pznt 弛豫铁电单晶 甘埚下降法 晶体生长 PbO助溶剂

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弛豫铁电单晶PZNT91/9的生长与畴结构研究 被引量：2

3

作者 徐家跃 范世骥 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第4期315-317,共3页

采用熔剂-坩埚下降法生长了91%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-9%PbTiO3(PZNT91/9)(摩尔分数)弛豫铁电单晶,PbO助熔剂摩尔分数控制在50%左右。所得晶体被PbO助熔剂包裹,将其浸泡在热HNO3中1～2天即可除去PbO。晶体呈浅黄色,具有明显的结晶学生长面。... 采用熔剂-坩埚下降法生长了91%Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-9%PbTiO3(PZNT91/9)(摩尔分数)弛豫铁电单晶,PbO助熔剂摩尔分数控制在50%左右。所得晶体被PbO助熔剂包裹,将其浸泡在热HNO3中1～2天即可除去PbO。晶体呈浅黄色,具有明显的结晶学生长面。晶体沿(001)面切出数片,晶片质量明显好于通气Bridgman法生长的PZNT单晶。偏光显微镜可观察到71°、90°、180°畴或微畴区。晶片极化条件为:垂直于C面施加1kV/mm的电场并保持10～15min。 展开更多

关键词 pznt 弛豫铁电单晶 坩埚下降法 晶体生长 PbO助溶剂

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PMNT和PZNT单晶的压电模量表示中的问题探讨 被引量：4

4

作者 罗豪苏 王评初 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期281-285,298,共6页

对于具有３ｍ点群结构的ＰＭＮＴ和ＰＺＮＴ单晶，按照三方晶系标准定向的要求，ｚ轴应取（１１１）方向，但一些文献中的ｄ３３来表示在（１００）晶面上受到正应力作用时的压电模量，这种表示中ｚ轴的取向不符合三方晶系的标准定向，... 对于具有３ｍ点群结构的ＰＭＮＴ和ＰＺＮＴ单晶，按照三方晶系标准定向的要求，ｚ轴应取（１１１）方向，但一些文献中的ｄ３３来表示在（１００）晶面上受到正应力作用时的压电模量，这种表示中ｚ轴的取向不符合三方晶系的标准定向，影响ＰＭＮＴ和ＰＺＮＴ单晶压电性能的研究，文章详细讨论了具有３ｍ点群结构的晶体，在其（１００）晶面上受正应力作用时的压电模量和机电耦合因数的表示关系。 展开更多

关键词 PMNT单晶 pznt单晶 压电模量 机电耦合因数

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BaTiO_3改性PZNT91/9晶体的生长工艺研究 被引量：1

5

作者 曹林洪 张震 徐光亮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1435-1439,共5页

采用底部冷却高温熔剂法(BCSG)成功地生长了BaTiO3改性PZNT91/9晶体,其中最大晶体(J3)尺寸达15mm×13mm,晶体呈浅黄色,箭头形。采用1～1.6L/min的氧气流速能有效引发成核,而且通过康泰尓电阻丝实现点冷,可以有效控制成核数目。XRD... 采用底部冷却高温熔剂法(BCSG)成功地生长了BaTiO3改性PZNT91/9晶体,其中最大晶体(J3)尺寸达15mm×13mm,晶体呈浅黄色,箭头形。采用1～1.6L/min的氧气流速能有效引发成核,而且通过康泰尓电阻丝实现点冷,可以有效控制成核数目。XRD分析表明:添加BaTiO3的晶体为纯钙钛矿相,晶体显露面为{001}面,说明添加BaTiO3能有效抑制焦绿石相,促进钙钛矿相的形成。 展开更多

关键词 BATIO 改性pznt91/9晶体 底部冷却高温熔剂法 晶体形貌 X射线衍射

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弛豫铁电晶体PZNT(001)晶面的腐蚀行为

6

作者 金敏 徐家跃 +1 位作者 申慧 陆宝亮 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期334-337,共4页

采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/7晶体(001)晶面的腐蚀行为。在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨。化学腐蚀还揭... 采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/7晶体(001)晶面的腐蚀行为。在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨。化学腐蚀还揭示了微观畴的动力学变化,显示畴结构对环境变化十分敏感。 展开更多

关键词 pznt93/7晶体 化学腐蚀法 畴结构 腐蚀坑

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Eu/Yb改性对PZNT晶体介电弛豫行为和铁电性能的影响 被引量：1

7

作者 于海博 惠增哲 +2 位作者 李晓娟 方频阳 龙伟 《西安工业大学学报》 CAS 2018年第1期7-13,共7页

为了改善PZN-9PT晶体的弛豫特性和铁电性能,本文引入稀土离子Eu/Yb进行改性,采用高温溶液法生长了PZN-9PT∶Eu/Yb(PZNT:Eu/Yb)弛豫铁电晶体.通过XRD分析了PZNT:Eu/Yb晶体的相结构;通过居里-外斯定律,修正的居里-外斯定律和洛伦兹经验关... 为了改善PZN-9PT晶体的弛豫特性和铁电性能,本文引入稀土离子Eu/Yb进行改性,采用高温溶液法生长了PZN-9PT∶Eu/Yb(PZNT:Eu/Yb)弛豫铁电晶体.通过XRD分析了PZNT:Eu/Yb晶体的相结构;通过居里-外斯定律,修正的居里-外斯定律和洛伦兹经验关系式描述了晶体在1~1 000kHz的介电弛豫行为和弥散特性.实验结果表明:PZNT:Eu/Yb晶体为纯的钙钛矿结构,没有第二相的存在;晶体的居里温度(TC)为450.363K;稀土离子Eu/Yb的加入提高了PZNT晶体的弥散性能;Eu/Yb离子的加入提高了PZN-9PT晶体的矫顽场,晶体的矫顽场达到了12.56kV·mm^(-1). 展开更多

关键词 pznt∶Eu/Yb 钙钛矿结构 介电弛豫 矫顽场

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弛豫铁电单晶及织构陶瓷的研究进展 被引量：4

8

作者 赵丽丽 唐斌 +2 位作者 赵鸣 樊慧庆 田长生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期43-48,共6页

综述了近年来弛豫铁电单晶和织构陶瓷的制备及其介电、压电性能的研究进展。弛豫铁电单晶的制备方法主要有高温溶液法、布里奇曼法和固态再结晶法,尺寸可达40mm以上,(001)切片压电常数d_(33)最大可达3000pC/N,k_3达到0.93,但是成分不均... 综述了近年来弛豫铁电单晶和织构陶瓷的制备及其介电、压电性能的研究进展。弛豫铁电单晶的制备方法主要有高温溶液法、布里奇曼法和固态再结晶法,尺寸可达40mm以上,(001)切片压电常数d_(33)最大可达3000pC/N,k_3达到0.93,但是成分不均匀仍是影响晶体压电性能的一个主要因素。织构陶瓷的制备方法主要为固态再结晶法(TGG法和RTGG法),其耗时短、成本低,压电性能可达到单晶的60％～80％,介电常数甚至可以超过部分单晶,是一个新的发展方向。 展开更多

关键词 PMNT pznt 单晶 织构陶瓷 压电性能

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熔剂法生长PZN-PT单晶的电性能研究

9

作者 曹林洪 姚熹 +1 位作者 徐卓 惠增哲 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期188-190,共3页

以55%PbO(摩尔分数)作熔剂,BaTiO3为成核剂,采用高温熔剂法加底部冷却技术成功生长了PZNT91/9单晶,其最大晶体尺寸达15 mm×13 mm。X-射线衍射(XRD)分析表明晶体为纯钙钛矿相,其显露面为立方晶形(100)面族。热释电研究表明单晶在69... 以55%PbO(摩尔分数)作熔剂,BaTiO3为成核剂,采用高温熔剂法加底部冷却技术成功生长了PZNT91/9单晶,其最大晶体尺寸达15 mm×13 mm。X-射线衍射(XRD)分析表明晶体为纯钙钛矿相,其显露面为立方晶形(100)面族。热释电研究表明单晶在69℃发生三方-四方相变,在174℃发生四方-立方相变。单晶的压电性能测试结果为:平面和厚度机电耦合系数分别为0.69、0.49;压电常数d33为1 330 pC/N;在13.6 kV/cm电场下应变达0.312%。 展开更多

关键词 pznt单晶 BATIO3 底部冷却技术 压电性

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Pb[(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.91)Ti_(0.09)]O_3压电单晶的弛豫反常

10

作者 方必军 徐海清 罗豪甦 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期609-614,共6页

对用改进的Bridgman法生长的Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3(PZNT91/9)单晶用Laue衍射法和XRD衍射曲线定向,取(001)晶片研究材料的电学性能.结果表明,材料的介电性能呈现出明显的频率色散现象,随着测试频率的升高,介电常数的峰值温度出... 对用改进的Bridgman法生长的Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3(PZNT91/9)单晶用Laue衍射法和XRD衍射曲线定向,取(001)晶片研究材料的电学性能.结果表明,材料的介电性能呈现出明显的频率色散现象,随着测试频率的升高,介电常数的峰值温度出现反常,峰的位置向低温方向移动.用扫描电子显微镜和正交偏光显微镜研究了PZNT91/9单晶的电畴结构,发现规则排列的带状畴与杂乱分布的细畴并存.X射线荧光分析结果表明,在PZNT91/9单晶中存在着由成分分凝引起的组分变化.成分分凝引起的组分波动和电畴结构的复杂性导致了材料性能的不均匀性,并与材料铁电相变的弥散性特征相关. 展开更多

关键词 Pb[(Zn1/3Nb2/3)0.91Ti0.09]O3 压电单晶 驰豫反常 pznt 弥散性相变 成分分凝 电畴结构 矫顽场 铁电体

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弛豫基铁电单晶0.91Pb（Zn1／3Nb2／3）O3—0.09PbTiO3的制备与性能研究

11

作者 方必军 罗豪甦 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1430-1434,共5页

用改进的Bridgman法，在加入助熔剂的条件下，生长出最大尺寸为φ30×25mm^3的铌锌酸铅－钛酸铅固溶体单晶[0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3]。无宏观缺陷的晶片的典型尺寸为20×15mm^2。晶体的单晶性及其结构用X射线衍射法加... 用改进的Bridgman法，在加入助熔剂的条件下，生长出最大尺寸为φ30×25mm^3的铌锌酸铅－钛酸铅固溶体单晶[0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3]。无宏观缺陷的晶片的典型尺寸为20×15mm^2。晶体的单晶性及其结构用X射线衍射法加以研究，所得晶体用Laue衍射法定向，取（001）晶片进行性能表征，研究了材料的介电性能，并用偏光显微镜观察了（001）晶片的电畴结构，结果表明，室温下材料的介电常数较大，为2500－5000。随着温度的升高，材料发生四方铁电相－－立方顺电相的相变，相变温度为190℃左右，单晶的介电温谱呈现明显的频率色散现象，同时，介电常数最大值的温度tm随着频率的升高而降低，观察到了电畴结构的不均匀与孪生现象。 展开更多

关键词 弛豫基铁电单晶 pznt 介电常数 电畴结构 制备 钛酸铅 晶体生长

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液相外延生长Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3-PbTiO_3膜及生长机理研究

12

作者 曾新华 秦奋 +2 位作者 姚忻 徐家跃 吴宪君 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期843-848,共6页

采用PbO作助溶剂,我们在钛酸锶(STO)衬底上用液相外延方法生长了一层具有特定取向的PZNT岛状外延膜,并通过引入c轴取向的PZT过渡层后,使原来的岛状三维生长转变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了几个微米厚、较完整的PZNT膜。... 采用PbO作助溶剂,我们在钛酸锶(STO)衬底上用液相外延方法生长了一层具有特定取向的PZNT岛状外延膜,并通过引入c轴取向的PZT过渡层后,使原来的岛状三维生长转变为二维生长,显著改善了外延膜的质量,获得了几个微米厚、较完整的PZNT膜。实验证明:在氧化镁和铝酸镧(001)基片以及STO(110)/(111)衬底上,PZNT晶粒以自发形核为主,外延生长膜主要呈现岛状形貌;取STO(001)衬底,膜颗粒取向一致性好,并可获得完整的PZNT膜。 展开更多

关键词 pznt 厚膜 液相外延 晶体生长

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