激光辐照InSb(PV)型探测器的热损伤 被引量：6

1

作者 赵建君 宋春荣 +1 位作者 张灵振 牛燕雄 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1008-1012,共5页

在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光... 在建立高斯型连续激光辐照InSb(PV)型探测器物理模型的基础上,采用近似解析解的形式计算了圆柱形InSb靶板的2维温度场.通过数值分析得出了在激光辐照时,InSb(PV)型探测器的温升与时间的关系,并计算出相应的损伤阈值.研究表明:在强激光连续辐照下,半导体材料InSb会发生熔融损伤,且最早发生于迎光面的光斑中心,激光的功率密度越高,造成破坏所需要的时间越短;对于一定厚度胶层的InSb(PV)型探测器,只有强度大于一定阈值的连续激光辐照才可能发生熔融损伤,越薄的胶层对应的损伤阈值越大.为了增加InSb(PV)型探测器抗激光辐照能力,应该减小胶层厚度.采用该理论计算得到不同功率下的InSb熔融时间为1.57 s和4.54 s,与实验得到的2 s和 4～5 s基本吻合. 展开更多

关键词 热损伤 InSb(pv)型探测器 高斯光束 损伤阈值

在线阅读 下载PDF 职称材料

1.319μm激光诱导HgCdTe(PV型)探测器混沌的研究 被引量：5

2

作者 马丽芹 程湘爱 +4 位作者 陆启生 李修乾 王睿 许晓军 何锋 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期61-63,共3页

通过对 1.319μm连续波激光辐照PV型HgCdTe探测器的实验研究 ,发现当激光辐照功率密度超过探测器的饱和阈值以后 ,激光能诱导探测器产生混沌现象 ,并得出了相应的激光辐照功率密度范围 ,文中还对试验结果进行了论证与分析。

关键词 激光诱导 连续波激光 pv型HgCdTe探测器 混沌现象 激光辐射探测器

在线阅读 下载PDF 职称材料

激光辐照下PV型HgCdTe探测器反常响应机理 被引量：12

3

作者 贺元兴 江厚满 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1233-1237,共5页

利用PV型探测器开路电压的表达式,并考虑探测器的温度变化建立模型,对激光辐照下PV型HgCdTe探测器开路电压的变化进行了理论计算。当激光较弱时,计算结果与实验结果符合得很好。当激光较强时,对于辐照过程当中探测器输出变化的一般性趋... 利用PV型探测器开路电压的表达式,并考虑探测器的温度变化建立模型,对激光辐照下PV型HgCdTe探测器开路电压的变化进行了理论计算。当激光较弱时,计算结果与实验结果符合得很好。当激光较强时,对于辐照过程当中探测器输出变化的一般性趋势以及激光完全停照后的热弛豫过程,该模型也能给出较好的解释;但对于激光开始辐照时输出下跳和激光停止辐照时输出上跳的反常现象,该模型不能给出合理的解释。分析认为,该模型较好地描述了晶格温升对探测器输出的影响,但是它没有考虑热载流子效应;当激光较强时,热载流子效应不可忽略,特别是激光开始辐照和激光停止辐照时,载流子与晶格的温度差有比较明显的快速变化,从而导致了探测器的反常响应。 展开更多

关键词 pv型HgCdTe探测器 热载流子效应 响应 开路电压 漂移-扩散模型 激光辐照

在线阅读 下载PDF 职称材料

连续波激光辐照PV型HgCdTe探测器的新效应 被引量：2

4

作者 李文煜 程湘爱 +3 位作者 陆启生 许晓军 江厚满 马丽芹 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期811-814,共4页

　用连续波DF激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到不同辐照功率密度下,探测器响应输出的一系列实验结果,观察到器件饱和以外的如探测器混沌、探测器单极化等一些新现象,这些结果与理论预期有着较大差别。给出了实验结果的初步解释,该实... 　用连续波DF激光辐照PV型HgCdTe红外探测器,得到不同辐照功率密度下,探测器响应输出的一系列实验结果,观察到器件饱和以外的如探测器混沌、探测器单极化等一些新现象,这些结果与理论预期有着较大差别。给出了实验结果的初步解释,该实验结果为今后更好地研究PV型HgCdTe探测器提供了新的线索。 展开更多

关键词 连续波DF激光 pv型HgCdTe探测器 混沌 单极化 红外探测器

在线阅读 下载PDF 职称材料

波段外10.6μm激光辐照中红外PV型HgCdTe光电探测器机理分析 被引量：4

5

作者 李莉 陆启生 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期2535-2539,共5页

用波长为10.6μm的波段外连续波激光辐照PV型HgCdTe中红外光电探测器,得到了不同辐照功率密度下探测器的响应输出随激光功率密度变化的一系列实验结果。观察到探测器对波段外激光的电压响应方向与波段内激光的电压响应方向相同,随波段... 用波长为10.6μm的波段外连续波激光辐照PV型HgCdTe中红外光电探测器,得到了不同辐照功率密度下探测器的响应输出随激光功率密度变化的一系列实验结果。观察到探测器对波段外激光的电压响应方向与波段内激光的电压响应方向相同,随波段外激光功率密度升高,探测器的电压响应值先增大后减小。分析认为:该现象是由于探测器材料的弱吸收和基底材料的强吸收在不同时刻产生的不同的温度梯度,与材料的整体温升共同作用的结果。该温度梯度在探测器内产生温差电动势,而热激发的电子空穴对在温度梯度的作用下定向运动被结电场分离,产生热生电动势,热生电动势是波段外激光辐照下PV型探测器中电动势产生的主要机制。 展开更多

关键词 激光辐照效应 pv型HgCdTe光电探测器 波段外激光 热生电动势

在线阅读 下载PDF 职称材料

激光对PV型Hg_(1-x)Cd_xTe探测器的损伤效应 被引量：2

6

作者 王飞 程湘爱 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2006年第z1期169-172,共4页

研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后... 研究了较大功率激光辐照对 PV 型 Hg_(1-x)Cd_xTe 探测器的损伤效应.测量了损伤前后探测器的饱和信号输出,得出了 pn 结退化造成其性能下降的结论.根据 pn 结的并联电阻模型解释了损伤后探测器对背景辐射的响应率下降现象以及损伤前后激光辐照下饱和开路电压几乎相等的现象.研究了其 pn 结退化造成的探测器响应率、探测率等性能参数的变化,以及由于 Hg 原子的逃逸和扩散给器件性能带来的影响. 展开更多

关键词 pn结退化 损伤 pv型Hg1-xCdxTe探测器 并联电阻模型

原文传递

温度波动对PV型InSb探测器响应特性的影响 被引量：3

7

作者 孙静 杜立峰 张蓉竹 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2012年第4期478-482,共5页

对激光照射下光伏型锑化铟光电探测器的响应特性进行了研究,得到了强激光辐照下温度波动(低温和常温温度波动)对探测器响应特性的影响。利用材料内部的光生电动势分析模型,通过数值模拟,给出了理论上的激光辐照下主要参数对探测器输出... 对激光照射下光伏型锑化铟光电探测器的响应特性进行了研究,得到了强激光辐照下温度波动(低温和常温温度波动)对探测器响应特性的影响。利用材料内部的光生电动势分析模型,通过数值模拟,给出了理论上的激光辐照下主要参数对探测器输出电压的影响。结果表明:输出电压随着温度的上升而降低,饱和电压也随着温度的上升而降低。特别是低温与常温下的响应特性有所不同,随着入射光功率的增大,低温下随温度变化的输出电压变化量减小,常温下随温度变化的输出电压变化量增大。 展开更多

关键词 光伏型光电探测器 INSB 温度波动 响应特性

原文传递

HgCdTe探测器Pt电阻测温分析 被引量：5

8

作者 王飞 程湘爱 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第4期461-463,466,共4页

研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻... 研究了PV型HgCdTe探测器在1.319μm连续激光辐照下的温升效应。根据探测器的分层结构及测温Pt电阻的位置(冷面上),推断Pt电阻测得的温度并不直接反映HgCdTe芯片的温度,而是比芯片温度低很多。实验测量了Pt电阻的温升,数值模拟了Pt电阻温度随时间的变化以及探测器各层结构的温升情况,理论分析结果与实验结果相一致。 展开更多

关键词 pv型HgCdTe探测器 温升 杜瓦冷面 Pt电阻 1.319 μm连续激光

原文传递

消除强背景辐射干扰的光电探测新方法 被引量：1

9

作者 曾雄文 陆启生 +1 位作者 赵伊君 刘泽金 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期207-211,共5页

以ＩｎＳｂ探测器（ＰＶ型）为例，通过建立载流子输运的动力学模型得到光生电动势与入射光功率密度的函数关系，提出了一种消除强背景辐射对光电探测的影响的新方法，并且通过实验证实了这种方法的有效性及其理论模型的合理性。与传统... 以ＩｎＳｂ探测器（ＰＶ型）为例，通过建立载流子输运的动力学模型得到光生电动势与入射光功率密度的函数关系，提出了一种消除强背景辐射对光电探测的影响的新方法，并且通过实验证实了这种方法的有效性及其理论模型的合理性。与传统的调零法相比，该方法精度较高且能适用于更高强度的背景辐射。 展开更多

关键词 背景辐射 干扰 InSb探测器 红外探测器

在线阅读 下载PDF 职称材料

光伏InSb探测器R_0A值的测试与分析 被引量：1

10

作者 杜红燕 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期240-243,共4页

对所生产的光伏 In Sb器件 R0 A值进行了测试 ,结面积为2 .9mm的单元器件 R0 A值在 5.71× 1 0 4～ 5.75× 1 0 6Ω cm2之间 ,50× 1 0 0 μm2的线列器件典型 R0 A值为 3× 1 0 4 Ωcm2 ,对测试结果进行了分析。讨论... 对所生产的光伏 In Sb器件 R0 A值进行了测试 ,结面积为2 .9mm的单元器件 R0 A值在 5.71× 1 0 4～ 5.75× 1 0 6Ω cm2之间 ,50× 1 0 0 μm2的线列器件典型 R0 A值为 3× 1 0 4 Ωcm2 ,对测试结果进行了分析。讨论了器件表面漏电对 R0 A值的影响。 展开更多

关键词 INSB 光伏探测器 R0A值 测试

在线阅读 下载PDF 职称材料

光伏型锑化铟红外探测器开路失效研究 被引量：4

11

作者 罗宏 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期720-724,共5页

主要对光伏型锑化铟红外探测器组件开路失效现象进行分析。选取典型失效产品,通过性能测试、解剖等分析方法,寻找失效原因(金层表面有网状胶存在、引线与金属化层形变不够导致键合失效,芯片材料崩裂等),并对引起失效的机理进行了分析。

关键词 InSb光伏探测器 失效分析 开路

在线阅读 下载PDF 职称材料

光伏锑化铟红外探测器的老化现象与处理 被引量：1

12

作者 钱忠钰 《红外技术》 CSCD 1992年第1期18-20,共3页

光伏锑化铟红外探测器在长期使用过程中会逐渐老化,出现一些如等效阻抗降低、噪声增大等现象。本文叙述了闪光处理对于降低这类老化的探测器的噪声特别有效,加上一些清洁措施,已使一个工作了6年多的探测器基本上恢复了性能。

关键词 光伏 锑化铟 红外探测器 老化

在线阅读 下载PDF 职称材料

CO_2激光辐照HgCdTe探测器的实验研究 被引量：1

13

作者 谢云 《光机电信息》 2010年第12期157-161,共5页

采用CO2激光分别对PC型和PV型HgCdTe探测器进行干扰实验,得到了不同入射激光功率密度下的响应波形,给出了两种探测器的热效应干扰阈值和饱和阈值,并对实验结果进行了分析。

关键词 CO2激光 HGCDTE探测器 PC pv 阈值

在线阅读 下载PDF 职称材料

分子束外延HgCdTe/GaAs的生长和光伏探测器的研制

14

作者 陈世达 周荷英 +3 位作者 何先忠 林立 徐定瑞 支淑英 《红外与激光工程》 EI CSCD 1998年第2期11-13,16,共4页

文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为ｘ＝０．３３０和０．２２６的两种材料，７７Ｋ时载流子浓度... 文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为ｘ＝０．３３０和０．２２６的两种材料，７７Ｋ时载流子浓度和迁移率分别为ｐ＝６．７×１０１５ｃｍ－３、ｕｐ＝２６０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１和４．４５×１０１５ｃｍ－３、４１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１。研制了平面型中、长波线列光伏探测器，其典型的探测器Ｄ分别为５．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１和２．６８×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（１８０°视场下），其中６４元线列中波探测器与ＣＭＯＳ电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。 展开更多

关键词 分子束外延 碲镉汞 砷化镓 外延膜 光伏探测器

原文传递

特殊光伏锑化铟红外探测器的设计 被引量：1

15

作者 刘晞贤 苏小会 +2 位作者 冯攀 王伟涛 高丹 《电子工艺技术》 2017年第5期297-300,共4页

HX-2A红外探测器为光伏锑化铟探测器。为了提高响应速度,探测器芯片采用p-n结结构,其p型层厚度小于0.75μm,n型层厚度约为500μm。探测器芯片采用镀增透膜(减反膜)的方法来进一步提高探测率,同时为了增加光学限光片的可靠性,避免引起盲... HX-2A红外探测器为光伏锑化铟探测器。为了提高响应速度,探测器芯片采用p-n结结构,其p型层厚度小于0.75μm,n型层厚度约为500μm。探测器芯片采用镀增透膜(减反膜)的方法来进一步提高探测率,同时为了增加光学限光片的可靠性,避免引起盲区变化,直接将限光片图形光刻到探测器芯片表面,制成限光片芯片。通过对光电元件的特殊设计及改进,HX-2A红外探测器与原有的HX-2低温光导锑化铟红外探测器相比,响应速度及探测率都有很大提高。 展开更多

关键词 光伏锑化铟 红外探测器 增透膜 限光片芯片 高探测率

在线阅读 下载PDF 职称材料