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轧膜成型对BaTiO_3片式PTCR性能的影响 被引量：2
1
作者 桑培歌 龚树萍 +1 位作者 周东祥 焦淑华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期14-16,共3页
为制备片式BaTiO3陶瓷PTCR元件,采用轧膜成型的方法。通过研究材料性能与成型因素的关系,并通过与干压成型工艺对比,研究了轧膜成型工艺对陶瓷PTCR性能的影响。 通过调整影响轧膜成型的条件,可以制得具有良好可塑性、均匀度、致密度、... 为制备片式BaTiO3陶瓷PTCR元件,采用轧膜成型的方法。通过研究材料性能与成型因素的关系,并通过与干压成型工艺对比,研究了轧膜成型工艺对陶瓷PTCR性能的影响。 通过调整影响轧膜成型的条件,可以制得具有良好可塑性、均匀度、致密度、光洁度的薄膜。 展开更多
关键词 轧膜成型 片式ptcr 材料性能 成型因素 电子元件 钛酸钡 陶瓷ptcr
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Nb2O5掺杂高温无铅(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷结构与电性能研究 被引量：11
2
作者 李燕燕 李国荣 +3 位作者 王天宝 郑嘹赢 冷森林 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期374-378,共5页
采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5(分别为0.1mol%、0.3mol%、0.5mol%、0.7mol%)掺杂(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷.对其微观结构及电性能进行研究发现:随着Nb2O5掺杂浓度的增加,陶瓷晶粒尺寸先变大后变小,室温电阻率也随之先减... 采用固相反应法制备了施主掺杂浓度不同的Nb2O5(分别为0.1mol%、0.3mol%、0.5mol%、0.7mol%)掺杂(Ba,Bi,Na)TiO3基PTCR陶瓷.对其微观结构及电性能进行研究发现:随着Nb2O5掺杂浓度的增加,陶瓷晶粒尺寸先变大后变小,室温电阻率也随之先减小后增大,说明Nb2O5的掺杂量存在一个临界施主掺杂浓度.当Nb2O5施主掺杂量为临界施主掺杂浓度0.5mol%时,获得了居里温度Tc为183℃、室温电阻率ρ为1.06×103Ω.cm、升阻比ρmax/ρmin为1.0×104的高温无铅PTCR陶瓷.通过交流复阻抗谱分析,探讨了Nb2O5施主掺杂在该PTCR陶瓷中的作用机理. 展开更多
关键词 ptcr 无铅 高居里温度 Bi1/2Na1/2TiO3
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蒸汽掺杂-一种新的钛酸钡基PTCR陶瓷的掺杂方法 被引量：9
3
作者 齐建全 桂治轮 李龙土 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期408-412,共5页
晶界效应是陶瓷材料所固有的特性．利用某些氧化物在高温下具有较高的蒸汽压，在烧成过程对陶瓷材料进行掺杂改性，可以有效地控制晶界行为，改善材料性能．钛酸钡基半导化陶瓷中存在的PTCR效应；是一种典型的晶界效应．利用Sb2O3、Bi2O... 晶界效应是陶瓷材料所固有的特性．利用某些氧化物在高温下具有较高的蒸汽压，在烧成过程对陶瓷材料进行掺杂改性，可以有效地控制晶界行为，改善材料性能．钛酸钡基半导化陶瓷中存在的PTCR效应；是一种典型的晶界效应．利用Sb2O3、Bi2O3蒸汽掺杂的钛酸钡基PTCR材料，晶粒细小、均匀致密、升阻比可以做到大于8个数量级．因而，蒸汽掺杂是一种新型高效的掺杂方法． 展开更多
关键词 蒸汽掺杂 ptcr 钛酸钡基 陶瓷 电子陶瓷
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B_2O_3蒸汽掺杂的中低温烧结Y-BaTiO_3及其PTCR特性研究 被引量：5
4
作者 齐建全 李龙土 +2 位作者 樊亦伟 王永力 桂治轮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期818-822,共5页
通过B_2O_3蒸汽掺杂,Y-BaTiO_3陶瓷的烧结温度大幅度降低。B_2O_3蒸汽掺杂后的样品,室温电阻率下降,升阻比提高,通过对氧化硼蒸汽掺杂样品的XRD分析研究表明,硼间隙可以在钛酸钡晶格中存在,硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中... 通过B_2O_3蒸汽掺杂,Y-BaTiO_3陶瓷的烧结温度大幅度降低。B_2O_3蒸汽掺杂后的样品,室温电阻率下降,升阻比提高,通过对氧化硼蒸汽掺杂样品的XRD分析研究表明,硼间隙可以在钛酸钡晶格中存在,硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应。 展开更多
关键词 B2O3 BATIO3 ptcr 蒸汽掺杂 中低温烧结
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BaTiO_3基PTCR陶瓷的复阻抗谱研究 被引量：20
5
作者 唐小锋 唐子龙 周志刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期1037-1042,共6页
采用复阻抗方法，系统地研究了ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣＲ陶瓷的电性能．通过Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ图，计算了样品的晶粒、晶界电阻值和弛豫时间常数，同时利用Ｈｅｙｗａｎｇ模型估算了势垒高度．Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ图分析表明，随着测试温... 采用复阻抗方法，系统地研究了ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣＲ陶瓷的电性能．通过Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ图，计算了样品的晶粒、晶界电阻值和弛豫时间常数，同时利用Ｈｅｙｗａｎｇ模型估算了势垒高度．Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ图分析表明，随着测试温度的提高，Ｃｏｌｅ－Ｃｏｌｅ圆将从单半圆向双扭线过渡，表明在居里温度附近，由于热激活出现了不同的缺陷类型．实验结果表明了ＰＴＣ效应是一种晶界效应，晶粒电阻随温度的变化呈ＮＴＣ特性，而晶界电阻却呈明显的ＰＴＣ特性．Ｈｅｙｗａｎｇ模型作为经典的理论模型，经过不断的完善，至今仍能对陶瓷材料ＰＴＣ现象的宏观机制做出明确的解析。 展开更多
关键词 BaTiO3ptcr陶瓷 Cole-Cole图 复阻抗谱
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晶界杂质和缺陷行为与BaTiO_3基陶瓷的PTCR效应 被引量：6
6
作者 齐建全 桂治轮 +1 位作者 陈万平 李龙土 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2000年第2期114-117,共4页
钛酸钡陶瓷中，高温下晶格失氧使晶粒内部氧匮乏。在氧化气氛中烧成，晶界则是富氧环境。缺陷或杂 质在晶界上进一步氧化，产生晶粒中并不存在的缺陷种类。杂质和缺陷在晶界上与晶粒内部有不同的行为。某些在 晶界上被氧化成高价态的缺... 钛酸钡陶瓷中，高温下晶格失氧使晶粒内部氧匮乏。在氧化气氛中烧成，晶界则是富氧环境。缺陷或杂 质在晶界上进一步氧化，产生晶粒中并不存在的缺陷种类。杂质和缺陷在晶界上与晶粒内部有不同的行为。某些在 晶界上被氧化成高价态的缺陷和杂质，在晶粒中不能存在，而在晶界上以亚稳态形式存在。它们在铁电相变点跃迁 回低价稳态，产生电子陷阱，使材料电阻率迅速增大，形成ＰＴＣＲ效应。 展开更多
关键词 晶界 杂质 缺陷钛酸钡 ptcr 陶瓷
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PTCR陶瓷材料的超低温烧结 被引量：8
7
作者 唐小锋 陈海龙 周志刚 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期697-703,共7页
主要研究了ＢＮ对ＰＴＣＲ陶瓷材料低温烧结的作用．对Ｌａ掺杂ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣＲ陶瓷，在１１００℃的低温下烧结可以得到室温电阻率为１５０　·ｃｍ、升阻比为４．９个数量级的样品．对居里温度为３６０℃的高居里点（Ｂａ_... 主要研究了ＢＮ对ＰＴＣＲ陶瓷材料低温烧结的作用．对Ｌａ掺杂ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣＲ陶瓷，在１１００℃的低温下烧结可以得到室温电阻率为１５０　·ｃｍ、升阻比为４．９个数量级的样品．对居里温度为３６０℃的高居里点（Ｂａ_（０．４）Ｐｂ_（０．６））ＴｉＯ_３ ＰＴＣＲ陶瓷材料，选用 Ｎｂ_２Ｏ_５为半导化剂，ＢＮ和ＡＳＴ为助烧剂时，可以在１０００℃左右的超低温下烧成．同时，对ＢＮ助烧剂的液相烧结机制进行了初步的探讨． 展开更多
关键词 BN ptcr 陶瓷 超低温烧结 半导体陶瓷 助剂
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多层片式PTCR热敏陶瓷注凝成型工艺 被引量：5
8
作者 郑志平 周东祥 +1 位作者 龚树萍 刘欢 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1770-1774,共5页
研究了用注凝成型工艺制备片式PTCR热敏陶瓷.采用PMAA-NH4为分散剂,丙三醇为增塑剂,并加入适量的有机单体AM制备了高固相含量、低粘度的BaTiO3半导瓷浆料,研究了浆料粘度及坯体的性能与浆料固相体积分数、有机单体含量及增塑剂含量之间... 研究了用注凝成型工艺制备片式PTCR热敏陶瓷.采用PMAA-NH4为分散剂,丙三醇为增塑剂,并加入适量的有机单体AM制备了高固相含量、低粘度的BaTiO3半导瓷浆料,研究了浆料粘度及坯体的性能与浆料固相体积分数、有机单体含量及增塑剂含量之间的关系.研究表明:浆料固相体积分数对坯体的干燥及烧结行为有较大影响,当浆料固相体积分数在45%以上时,可有效避免制品干燥和烧结过程中收缩过大而产生的变形开裂缺陷;当有机单体的质量分数为2%～4%,丙三醇的体积分数为3%～6%时,可获得有一定强度和柔韧性的生坯;研究了注凝成型PTCR陶瓷的微观结构及陶瓷元件的PTCR性能,成功地制备了层数为5、室温电阻为0.8Ω、电阻温度系数为13.40%/℃、升阻比大于105的多层片式PTCR元件. 展开更多
关键词 片式ptcr 叠层结构 注凝成型 固相体积分数 粘度
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PtCr/C-Nafion 膜氧电极的电催化活性 被引量：10
9
作者 李长志 文纲要 +1 位作者 张颖 盖云天 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期201-203,共3页
氧还原电催化剂的研究对聚合物电解质膜燃料电池技术的发展具有极其重要的意义。实验表明某些碳载铂的二元合金可以改善聚合物电解质膜燃料电池中氧还原的电催化性能。本工作的目的是考察ＰｔＣｒ／Ｃ作为氧电极催化剂的活性。采用松木... 氧还原电催化剂的研究对聚合物电解质膜燃料电池技术的发展具有极其重要的意义。实验表明某些碳载铂的二元合金可以改善聚合物电解质膜燃料电池中氧还原的电催化性能。本工作的目的是考察ＰｔＣｒ／Ｃ作为氧电极催化剂的活性。采用松木碳为载体和水合肼为还原剂，通过化学还原沉积法制得Ｐｔ／Ｃ和ＰｔＣｒ／Ｃ催化剂。通过涂层和热压得到催化剂－Ｎａｆｉｏｎ膜电极。用电流－电位极化和恒电流放电法研究了催化剂－Ｎａｆｉｏｎ膜电极的性能。与Ｐｔ／Ｃ－Ｎａｆｉｏｎ膜电极比较，ＰｔＣｒ／Ｃ－Ｎａｆｉｏｎ膜电极对氧的电化学还原显示出高的活性。热处理催化剂的活性比未热处理的高。ＸＲＤ分析结果表明，热处理催化剂活性的提高看来主要是由晶格结构改变的结果引起的。 展开更多
关键词 氧电极 ptcr/C催化剂 聚合物电解质膜 燃料电池
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BaTiO_3基PTCR陶瓷中Bi_2O_3蒸汽掺杂和Mn的协同作用 被引量：6
10
作者 齐建全 桂治轮 李龙土 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期86-87,共2页
ＢａＴｉＯ３基陶瓷材料的ＰＴＣＲ效应与施受主掺杂密切相关。通过Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３等蒸汽掺杂，材料的ＰＴＣＲ效应可以得到提高。然而，蒸汽掺杂之后，ＰＴＣＲ效应提高的幅度在含受主Ｍｎ的材料中比纯施主掺杂的材料中要大得... ＢａＴｉＯ３基陶瓷材料的ＰＴＣＲ效应与施受主掺杂密切相关。通过Ｂｉ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３等蒸汽掺杂，材料的ＰＴＣＲ效应可以得到提高。然而，蒸汽掺杂之后，ＰＴＣＲ效应提高的幅度在含受主Ｍｎ的材料中比纯施主掺杂的材料中要大得多。这与Ｂｉ２Ｏ３蒸汽掺杂和Ｍｎ的协同作用密切相关。这种协同作用可能进一步形成三价Ｍｎ或中性钡缺位相关的更为稳定的复合缺陷，从而增大了电子捕获中心的浓度，使材料ＰＴＣＲ效应大幅度提高。 展开更多
关键词 ptcr 蒸汽掺杂 锰 钛酸钡 陶瓷半导体
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PTCR纳米晶粉体的一步法制备及表征 被引量：15
11
作者 吴淑荣 许丽丽 +1 位作者 畅柱国 熊为淼 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第2期17-21,共5页
采用一步溶胶－凝胶法制得了含钡、锶、钙、钛、锂、锰、硅和钇等八种元素的无定形干凝胶粉，经７００℃，１ｈ煅烧得ＰＴＣＲ纳米晶粉体，经ＸＲＤ分析测得粉体平均晶粒尺寸范围为１７～３０ｎｍ，且平均粒径随稀土掺杂量（摩尔分数为... 采用一步溶胶－凝胶法制得了含钡、锶、钙、钛、锂、锰、硅和钇等八种元素的无定形干凝胶粉，经７００℃，１ｈ煅烧得ＰＴＣＲ纳米晶粉体，经ＸＲＤ分析测得粉体平均晶粒尺寸范围为１７～３０ｎｍ，且平均粒径随稀土掺杂量（摩尔分数为０．０８％～２．００％）增加呈现先减小后增大的趋势。常温下粉体以立方相存在。粉体经造粒、压片。 展开更多
关键词 正电阻温度系数 纳米晶粉体 电子陶瓷 ptcr
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工艺条件对PTCR热敏陶瓷喷雾造粒粉体性能的影响 被引量：4
12
作者 张道礼 章登宏 +1 位作者 龚树萍 周东祥 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期130-133,141,共5页
采用压力喷雾造粒的方式对 Ba Ti O3系 PTCR热敏陶瓷粉体进行喷雾造粒处理 ,研究了喷雾造粒过程中浆料组成和雾化条件对粉体性能的影响。研究结果表明 :喷雾造粒过程中浆料粘度过高 ,雾化条件控制不当 ,都会使喷雾造粒粉体颗粒的团聚程... 采用压力喷雾造粒的方式对 Ba Ti O3系 PTCR热敏陶瓷粉体进行喷雾造粒处理 ,研究了喷雾造粒过程中浆料组成和雾化条件对粉体性能的影响。研究结果表明 :喷雾造粒过程中浆料粘度过高 ,雾化条件控制不当 ,都会使喷雾造粒粉体颗粒的团聚程度增加 ,影响粉体的松装密度和流动性 ,对生坯成型及材料烧结不利。考虑到料浆中粘合剂含量、固体物含量的综合影响 ,添加适量的分散剂可以降低料浆的粘度。控制适当的雾化压力 。 展开更多
关键词 ptcr陶瓷 喷雾造粒 热敏陶瓷 粉体性能 工艺条件
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PTCR阻温特性曲线数据处理程序 被引量：3
13
作者 黎步银 周东祥 +2 位作者 付明 吕文中 黄正伟 《传感技术学报》 CAS CSCD 2001年第1期75-78,共4页
采用 Turbo C语言编程 ,完成对 PTCR阻温特性测试数据的参数计算、曲线拟合及打印输出等多项功能 .同时还可对手工测试数据进行处理 ;
关键词 ptcr 阻温特性曲线 数据处理程序 程序设计 TURBOC语言 热敏电阻
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单片机和CPLD在PTCR测试系统中的应用 被引量：3
14
作者 黎步银 王小军 +1 位作者 时锋 郝永德 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2004年第3期27-28,30,共3页
针对PTCR热敏电阻生产中耐电压、耐电流特性测试的需要,研制了一种使用单片机和CPLD(ComplexPro grammableLogicDevice复杂可编程逻辑器件)来控制PTCR测试的模块。采用AT89C51单片机、CPLD、RS232通讯接口,很好地实现了在PTCR测试中选... 针对PTCR热敏电阻生产中耐电压、耐电流特性测试的需要,研制了一种使用单片机和CPLD(ComplexPro grammableLogicDevice复杂可编程逻辑器件)来控制PTCR测试的模块。采用AT89C51单片机、CPLD、RS232通讯接口,很好地实现了在PTCR测试中选择各种测试模式和实时设置、修改各种参数,并且可以通过RS232接口与计算机通信,组成功能更强大的分级控制系统。这使得对PTCR的测试更方便、更稳定、更高效。着重介绍了模块的设计思想、实现的功能、硬件电路的设计、软件的设计。模块的控制核心为单片机,尤其控制和协调其他各部分工作,使用C51语言编程。CPLD的编程使用的是AHDL语言,使用MAX+PLUSⅡ编译。对其他领域的顺序控制也有较大的参考价值。 展开更多
关键词 ptcr 热敏电阻 测试系统 单片机 CPLD
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TiO_2对Y掺杂PTCR陶瓷材料性能的影响 被引量：3
15
作者 王依琳 姚尧 +1 位作者 赵梅瑜 祝炳和 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期744-748,共5页
本文对TiO_2原料的品型、颗粒状况和纯度对γ3+掺杂BaTiO_3基PTCR材料的显微结构、电性能的影响作了探讨．结果表明，TiO_2原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到PTCR陶瓷的显微结构．TiO_2原料的晶型对PTCR陶瓷半导化过程有影响．... 本文对TiO_2原料的品型、颗粒状况和纯度对γ3+掺杂BaTiO_3基PTCR材料的显微结构、电性能的影响作了探讨．结果表明，TiO_2原料的晶型、颗粒大小和团聚状况都将影响到PTCR陶瓷的显微结构．TiO_2原料的晶型对PTCR陶瓷半导化过程有影响．原料存在杂质和团聚，将使PTCR陶瓷的电阻—温度特性变差． 展开更多
关键词 ptcr材料 氧化钛 钇 掺杂 陶瓷半导体
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(Ba,Sr)TiO_3系线性PTCR陶瓷的电性能研究 被引量：4
16
作者 周方桥 吴国安 陈志雄 《华中科技大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期112-114,共3页
通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1... 通过对材料的复阻抗频谱、霍尔系数及零功率电阻 温度等电学特性的测试和分析 ,对 (Ba,Sr)TiO3系线性PTCR陶瓷进行了相关研究 .结果表明 :微量元素Sb的掺杂量对线性电阻 温度特性影响较大 ;晶粒体内的载流子浓度n大约只有 2 .83× 1 0 2 2 m-3;而晶界处的有效表面态密度ns 仅有 2 .3 5× 1 0 16 m-2 ;晶界势垒φ0 约为 0 .1 1eV ,这比常规的PTCR陶瓷的晶界势垒差不多小了一个量级 .这些很可能是决定该类材料具有较好线性电阻 展开更多
关键词 ptcr陶瓷 线性电阻 温度特性 复阻抗 霍尔系数 电性能
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BaTiO_3基PTCR陶瓷中B_2O_3蒸汽掺杂的异常行为 被引量：2
17
作者 齐建全 李龙土 +2 位作者 朱青 王永力 桂治轮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期739-741,共3页
钛酸钡基半导化陶瓷中的ＰＴＣＲ效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关．在高温下Ｂ２Ｏ３具有较高的蒸汽压，通过Ｂ２Ｏ３蒸汽掺杂的研究表明，含主族元素Ｂ的氧化物蒸汽掺杂，钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高，... 钛酸钡基半导化陶瓷中的ＰＴＣＲ效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关．在高温下Ｂ２Ｏ３具有较高的蒸汽压，通过Ｂ２Ｏ３蒸汽掺杂的研究表明，含主族元素Ｂ的氧化物蒸汽掺杂，钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高，同时室温电阻率也有所增加．Ｂ２Ｏ３蒸汽掺杂ＢａＴｉＯ３基材料的ＰＴＣＲ效应的提升可能得益于硼填隙和钡缺位相关的复合缺陷在晶界上的形成． 展开更多
关键词 B2O3 BATIO3 ptcr陶瓷 蒸汽掺杂 钛酸钡
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BaTiO_3 PTCR陶瓷阻温系数的研究 被引量：2
18
作者 王评初 李峥 +2 位作者 徐保民 王依琳 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期845-849,共5页
本文以Heywang模型为基础，分析了影响BaTiO_3PTCR陶瓷阻温系数α的主要因素，并给出了解析关系．各参数的测量结果与该关系基本相符．
关键词 钛酸钡 ptcr 陶瓷 阻温系数
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液相法制备BaTiO_3基PTCR粉体的研究 被引量：3
19
作者 周东祥 郑志平 +2 位作者 龚树萍 刘欢 胡云香 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期593-598,共6页
采用高分子网络凝胶法和液相包裹法相结合的液相法合成了BaTiO3基PTCR陶瓷粉体.首先用高分子网络凝胶法在较低温度下制备施主掺杂的BaTiO3基陶瓷粉体,利用DSC、TG、XRD、TEM等技术表征了凝胶中间体和由此得到的氧化物粉末的物理和化学性... 采用高分子网络凝胶法和液相包裹法相结合的液相法合成了BaTiO3基PTCR陶瓷粉体.首先用高分子网络凝胶法在较低温度下制备施主掺杂的BaTiO3基陶瓷粉体,利用DSC、TG、XRD、TEM等技术表征了凝胶中间体和由此得到的氧化物粉末的物理和化学性能,结果表明,在700℃下煅烧2h可获得单相的(Ba,Sr)TiO3粉体,粉体的平均粒径d50 为1.155μm.然后利用液相包裹法添加受主杂质和助烧剂,考察了所制备BaTiO3基PTCR陶瓷粉体的烧结性能及陶瓷制品的PTC特性,获得了室温阻值为17.5Ω,升阻比达104,阻温系数约为12%的PTCR. 展开更多
关键词 高分子网络凝胶法 液相包裹法 BaTiO3基ptcr粉体
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钛酸钡中的硼间隙及其对PTCR效应的影响 被引量：3
20
作者 齐建全 李龙土 桂治轮 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期251-253,共3页
通过B2O3蒸汽掺杂,钛酸钡晶胞膨胀,表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙。B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降,升阻比提高。同样的烧结条件下,钛酸钡陶瓷的PTCR效应随B2O3蒸汽掺杂源的浓度升高而升高。硼间隙和/或相关缺... 通过B2O3蒸汽掺杂,钛酸钡晶胞膨胀,表明硼离子可以进入钛酸钡晶格中形成硼间隙。B2O3蒸汽掺杂使含Y钛酸钡陶瓷室温电阻率下降,升阻比提高。同样的烧结条件下,钛酸钡陶瓷的PTCR效应随B2O3蒸汽掺杂源的浓度升高而升高。硼间隙和/或相关缺陷络合物可以形成电子捕获中心,从而提高PTCR效应。 展开更多
关键词 钛酸钡陶瓷 BATIO3 硼间隙 ptcr效应 蒸汽掺杂 室温电阻率
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