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基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制
被引量：
3
1
作者
周建林
张福甲
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1602-1605,共4页
采用顶接触结构研制了以Ta2O5/PMMA为绝缘层,有机材料PTCDI-C12为有源层的低电压n型有机场效应晶体管。其中Ta2O5薄膜采用阳极氧化方法制备,PMMA薄膜通过溶液旋涂法制备。与基于单一Ta2O5绝缘层的器件相比,双绝缘层器件的电学性能大幅...
采用顶接触结构研制了以Ta2O5/PMMA为绝缘层,有机材料PTCDI-C12为有源层的低电压n型有机场效应晶体管。其中Ta2O5薄膜采用阳极氧化方法制备,PMMA薄膜通过溶液旋涂法制备。与基于单一Ta2O5绝缘层的器件相比,双绝缘层器件的电学性能大幅提高。经测试得到器件场效应电子迁移率为0.063 cm2/Vs,开关电流比为1.7×104,阈值电压为2.3 V。
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关键词
有机场效应晶体管(OFET)
双绝缘层
ptcdi-cl2
N型
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职称材料
题名
基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制
被引量：
3
1
作者
周建林
张福甲
机构
兰州大学物理科学与技术学院
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1602-1605,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(60676033)
文摘
采用顶接触结构研制了以Ta2O5/PMMA为绝缘层,有机材料PTCDI-C12为有源层的低电压n型有机场效应晶体管。其中Ta2O5薄膜采用阳极氧化方法制备,PMMA薄膜通过溶液旋涂法制备。与基于单一Ta2O5绝缘层的器件相比,双绝缘层器件的电学性能大幅提高。经测试得到器件场效应电子迁移率为0.063 cm2/Vs,开关电流比为1.7×104,阈值电压为2.3 V。
关键词
有机场效应晶体管(OFET)
双绝缘层
ptcdi-cl2
N型
Keywords
n-type
organic field-effect transistor（OFET）
double insulators
ptcdi-cl2
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于双绝缘层低电压n-型OFET的研制
周建林
张福甲
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
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