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真空气相沉积生长PTCDI-C8 N型有机薄膜晶体管
1
作者
苏永波
谭桂英
谭力
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2012年第2期279-282,共4页
在大气环境下N型有机薄膜晶体管(OFET)的性能不稳定,为提高晶体管在大气环境稳定性,该文分别制作了SiO2单绝缘层器件和SiO2/PMMA双绝缘层器件。采用N型新材料PTCDI-C8作为有源层,Ag作为源、漏电极,对制作的不同绝缘层的器件进行聚对二...
在大气环境下N型有机薄膜晶体管(OFET)的性能不稳定,为提高晶体管在大气环境稳定性,该文分别制作了SiO2单绝缘层器件和SiO2/PMMA双绝缘层器件。采用N型新材料PTCDI-C8作为有源层,Ag作为源、漏电极,对制作的不同绝缘层的器件进行聚对二甲苯的封装,对有源层进行形貌和晶体结构分析。并进行电流-电压(I-V)曲线测试。在相同工作电压下,双绝缘层器件比单绝缘层器件具有更大的场效应迁移率、开关电流比和更小的阈值电压。
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关键词
ptcdi-c8
有机玻璃(PMMA)
SIO2
有机薄膜晶体管(OFET)
聚对二甲苯
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职称材料
题名
真空气相沉积生长PTCDI-C8 N型有机薄膜晶体管
1
作者
苏永波
谭桂英
谭力
机构
湘潭大学低维材料教育部重点实验室
工程力学与纳米材料科学研究中心
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2012年第2期279-282,共4页
基金
湘潭大学科研启动基金资助项目(08QDZ03)
国家自然科学基金资助项目(60972147)
文摘
在大气环境下N型有机薄膜晶体管(OFET)的性能不稳定,为提高晶体管在大气环境稳定性,该文分别制作了SiO2单绝缘层器件和SiO2/PMMA双绝缘层器件。采用N型新材料PTCDI-C8作为有源层,Ag作为源、漏电极,对制作的不同绝缘层的器件进行聚对二甲苯的封装,对有源层进行形貌和晶体结构分析。并进行电流-电压(I-V)曲线测试。在相同工作电压下,双绝缘层器件比单绝缘层器件具有更大的场效应迁移率、开关电流比和更小的阈值电压。
关键词
ptcdi-c8
有机玻璃(PMMA)
SIO2
有机薄膜晶体管(OFET)
聚对二甲苯
Keywords
ptcdi-c8
PMMA
SiO2
OFET
poly-p-xylylene
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
真空气相沉积生长PTCDI-C8 N型有机薄膜晶体管
苏永波
谭桂英
谭力
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2012
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