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HADS阵列基板沟道干法刻蚀光刻胶残留与漏电流研究
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作者 杨小飞 孟佳 +5 位作者 苏磊 李洋 万稳 吕耀军 王军才 邓金阳 《光电子技术》 2024年第4期328-333,344,共7页
高开口率高级超维场转换技术(HADS)阵列基板沟道干法刻蚀后,源/漏电极线边缘易形成光刻胶残留,导致钝化层微裂纹和沟道污染。为改善光刻胶残留和薄膜晶体管(TFT)漏电流,研究了光刻胶变性残留形成机理,光刻胶灰化工艺对光刻胶缺口形貌影... 高开口率高级超维场转换技术(HADS)阵列基板沟道干法刻蚀后,源/漏电极线边缘易形成光刻胶残留,导致钝化层微裂纹和沟道污染。为改善光刻胶残留和薄膜晶体管(TFT)漏电流,研究了光刻胶变性残留形成机理,光刻胶灰化工艺对光刻胶缺口形貌影响,解释了不同灰化时间下光刻胶缺口、台阶和TFT漏电流关系。采用全因子实验设计,研究了后处理工艺对漏电流影响。结果表明,在增强型电容耦合等离子体刻蚀中形成光刻胶缺口和副产物,两者共同作用导致光刻胶变性残留。光刻胶灰化工艺提高偏置功率,降低压力,使光刻胶覆盖源/漏极距离d>0,光刻胶缺口显著改善。然而随着距离d增加,沟道台阶增长,导致TFT漏电流增加。后处理优化进一步减少沟道副产物污染,降低背沟道漏电流。当后处理偏置功率1 kW,压力4 Pa,O_(2)/SF_(6) 10时,高温光照漏电流较量产条件降低18%,且无光刻胶残留发生。该工作为不同模式的沟道干法刻蚀工艺研究、光刻胶形貌优化和TFT漏电流改善提供参考。 展开更多
关键词 高开口率高级超维场转换技术 沟道干法刻蚀 光刻胶残留 光刻胶缺口 薄膜晶体管漏电流
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