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XPS Investigation on Surface and Interface Electronic States of Alq_3/ITO
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作者 ZHANG Fu jia, ZHENG Dai shun, WANG Yan yong, HU Hai bing (Dept. of Phys., Lanzhou University, Lanzhou 730000, CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 2001年第3期143-149,共7页
The surface and interface electronic states of tris (8 hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3)/indium tin oxide (ITO) were measured and analyzed by X ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results indicated that, in Alq... The surface and interface electronic states of tris (8 hydroxyquinoline) aluminum (Alq 3)/indium tin oxide (ITO) were measured and analyzed by X ray photoelectron spectroscopy (XPS). The results indicated that, in Alq 3 molecule, the binding energy ( E b) of Al atoms is 70.7 eV and 75.1 eV, corresponding to Al(O) and Al(Ⅲ), respectively; The binding energy of C is 285.8 eV, 286.3 eV, and 286.8 eV, corresponding to C of C-C group, C-O, and C-N bond, respectively. N is the main peak locating at 401.0 eV, corresponding to N atom of C-N=C. O atoms mainly bond to H atom, with the binding energy of 533.2 eV. As the sputtering time of Ar + ion beam increases, Al 2p , C 1s , N 1s , O 1s , In 3d 5/2 and Sn 3d 5/2 peaks slightly shift towards lower binding energy, and Al 2p , C 1s and N 1s peaks get weaker, which contributes to diffusing the oxygen, indium and tin in ITO into Alq 3 layer. 展开更多
关键词 XPS Alq 3/ito Surface state interface state
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BBDMS-PPV/ITO界面结构ADXPS研究 被引量:3
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作者 宋伟杰 朱永法 +3 位作者 曹立礼 李展平 王道元 黄维 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期836-838,共3页
We analyzed the structure of buried interface of BBDMS PPV/ITO system using a high resolution ADXPS technique. A transitional layer structure, whose chemical composition, state and valence band changed gradually from ... We analyzed the structure of buried interface of BBDMS PPV/ITO system using a high resolution ADXPS technique. A transitional layer structure, whose chemical composition, state and valence band changed gradually from BBDMS PPV surface of film to substrate ITO, was observed. It was found that O 2- ion from ITO diffused into polymer film, interacted with back bone carbon and formed the carbonyl bonding which could possibly constructed the channel of the carrier on the heterointerface. Indium of ITO also diffused into BBDMS PPV layer and In(OH) 3 was formed during diffusion. The diffusion and reaction between PPV/ITO interface may affect the performance of PLED significantly. 展开更多
关键词 ppv/ito界面 界面结构 界面分析 ADXPS 聚合物电致发光器件 ito 阳极 BBDMS-ppv
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Attenuation of rock blasting induced ground vibration in rock-soil interface 被引量:16
3
作者 Bhagya Jayasinghe Zhiye Zhao +2 位作者 Anthony Goh Teck Chee Hongyuan Zhou Yilin Gui 《Journal of Rock Mechanics and Geotechnical Engineering》 SCIE CSCD 2019年第4期770-778,共9页
Blasting has been widely used in mining and construction industries for rock breaking.This paper presents the results of a series of field tests conducted to investigate the ground wave propagation through mixed geolo... Blasting has been widely used in mining and construction industries for rock breaking.This paper presents the results of a series of field tests conducted to investigate the ground wave propagation through mixed geological media.The tests were conducted at a site in the northwestern part of Singapore composed of residual soil and granitic rock.The field test aims to provide measurement data to better understand the stress wave propagation in soil/rock and along their interface.Triaxial accelerometers were used for the free field vibration monitoring.The measured results are presented and discussed,and empirical formulae for predicting peak particle velocity (PPV) attenuation along the ground surface and in soil/rock were derived from the measured data.Also,the ground vibration attenuation across the soil-rock interface was carefully examined,and it was found that the PPV of ground vibration was decreased by 37.2% when it travels from rock to soil in the vertical direction. 展开更多
关键词 Rock BLASTING Field tests BLAST wave propagation PEAK particle velocity (ppv) Rock-soil interface
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采用热处理方法提高MEH-PPV单层聚合物有机发光二极管发光性能的研究 被引量:6
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作者 李娟 华玉林 +2 位作者 牛霞 王奕 吴晓明 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期171-174,共4页
对以MEH PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管 (OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理 ,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器... 对以MEH PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管 (OLED)器件在最佳条件下进行真空热处理 ,并用金相显微镜观察施加电压后器件的阴极表面形貌。发现处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少。器件的发光性能显著提高。与未经处理的器件相比 ,最大相对发光强度提高了一个数量级、启亮电压降低了2 0V ,半寿命提高了 1 2 7倍。初步分析表明热处理方法提高器件发光性能的主要原因在于有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的某些气体 ,从而减少阴极表面气泡及黑斑的出现 ,另一方面 ,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力 。 展开更多
关键词 有机发光二极管 可溶性聚对苯乙炔 热处理 黑斑 界面 OLED MEH-ppv单层聚合物 发光性能
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CuPc/ITO结构的表面和界面电子态的XPS研究 被引量:6
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作者 郜朝阳 张旭 +2 位作者 郑代顺 何锡源 张福甲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期502-506,共5页
覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的... 覆盖有Indium tin oxide(ITO)膜的透明导电玻璃广泛地用作有机发光器件 (OLEDs)的空穴注入电极 ,但是ITO膜的功函数通常与空穴传输材料的最高被占据分子轨道 (HOMO)不匹配。铜酞菁 (CuPc)作为缓冲层可以提高空穴从ITO向空穴传输材料的注入效率。对CuPc ITO样品的XPS表面分析表明 ,在CuPc分子中 ,铜原子显 +2价 ,通过配位键和氮原子相互作用。CuPc分子中有两类碳原子 :8个C原子与 2个N原子成键 ;其余 2 4个C原子具有芳香烃性质。N原子也处在两种化学环境中 :有 4个N原子只与 2个C原子形成CNC键 ;另外 4个N原子不仅与 2个C原子成键 ,还通过配位键与Cu原子成键。用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀 ,当溅射时间分别为 2 ,5 ,10min时进行XPS采谱分析 ,结果表明 ,随着氩离子束溅射时间增长 ,C 1s,N 1s峰变弱 ,Cu 2p ,O 1s,In 3d,Sn 3d峰增强 ,C 1s,N 1s,O 1s,In 3d和Sn 3d峰都向高束缚能或低束缚能方向移动 ,但它们的情况却不相同。 展开更多
关键词 界面电子态 XPS CuPc/ito 界面分析 导电玻璃 有机发光器件 空穴 电极
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PTCDA/ITO表面和界面的X射线光电子能谱分析 被引量:6
6
作者 欧谷平 宋珍 +1 位作者 桂文明 张福甲 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期753-756,共4页
利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较... 利用X射线光电子能谱对PTCDA/p-Si有机/无机光电探测器中PTCDA/ITO表面和界面进行了测试分析。结果表明,环上的C原子的结合能为284.6 eV,酸酐中的C原子的结合能为288.7 eV,并存在来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象,界面处C(1s)谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能发生化学位移;C O键中O原子的结合能为531.5 eV,C—O—C键中的O原子的结合能为533.4 eV。 展开更多
关键词 表面及界面 X光电子能谱(XPS) PTCDA/ito
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Alq_3/ITO结构的表面和界面电子状态的XPS研究 被引量:2
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作者 郑代顺 李海蓉 +1 位作者 王延勇 张福甲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期351-356,共6页
用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在lq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7... 用传统的真空蒸镀法制备了Alq3/ITO样品,并用X光电子能谱(XPS)研究了Alq3/ITO紧密接触的表面和界面电子化学状态。对Alq3/ITO样品的表面分析表明,在lq3分子中,Al原子的束缚能(Eb)为70.7eV和75.1eV。分别对应于Al(0)和Al(Ⅲ)态,C原子的束缚能为285.8eV、286.3eV和286.8eV,分别对应于C-C、C-O和C-N键;N原子的主峰位于 401.0eV,对应于 C-N=C键;而 O原子主要与 H原子成键,其束缚能为532.8eV。为了研究Alq3/ITO的界面电子状态,我们用氩离子束对样品表面进行了溅射剥蚀,当溅射时间分别为30,35,45分钟时进行XPS采谱分析。结果表明,随着氩离子束溅射时间增长,Al2p、C1s、N1s、O1s、In3d5/2和Sn3d5/2峰都向低束缚能方向有微小移动,且Al2p、C1s和N1s峰变弱,这是受ITO中扩散进入Alq3层的O、In和Sn原子的影响所致。 展开更多
关键词 Alq3/ito XPS 结构 表面电子状态 界面电子状态 电致发光器件 8-羟基喹啉铝 发光材料
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绝缘层LiF/Al电极对提高P-PPV发光器件发光性能的研究 被引量:2
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作者 林海波 徐晓轩 +3 位作者 吴宏滨 王斌 俞钢 张存洲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期469-472,共4页
为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性... 为了提高聚合物电致发光器件中Ba(Ca)/A l阴极的稳定性,在该阴极与聚合物发光材料poly(2-(4-ethylexyl)phenyl-1,4-phenylene vinylene)(P-PPV)层之间插入一层7 nm的L iF绝缘层,发光器件的发光性能在多项参数(发光器件的电压-电流特性、发光强度及外量子效率,以及电流效率等发光性能指标)上能够与工作性能优良但稳定性较差的Ba(Ca)/A l电极结构PLED s器件的发光特性具有可比性。这对于研制高效率、高稳定的聚合物电致发光器件并最终将其用于商业目的,具有重大现实意义。 展开更多
关键词 聚合物发光二极管 P-ppv LIF 金属-半导体界面
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用AFM和XPS研究LiBq_4/ITO的表面和界面
9
作者 欧谷平 桂文明 +1 位作者 金世超 张福甲 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期337-343,共7页
用原子力显微镜(AFM)研究了LiBq4/ITO样品表面形貌,结果表明LiBq4层中存在很多裂缝和空隙。用X射线光电子谱(XPS)研究样品表面和界面的电子状态,发现C1s谱在高结合能端出现氧化特征的肩峰,表明真空蒸发沉积的LiBq4分子存在明显的氧化现... 用原子力显微镜(AFM)研究了LiBq4/ITO样品表面形貌,结果表明LiBq4层中存在很多裂缝和空隙。用X射线光电子谱(XPS)研究样品表面和界面的电子状态,发现C1s谱在高结合能端出现氧化特征的肩峰,表明真空蒸发沉积的LiBq4分子存在明显的氧化现象;对B1s谱的分析发现,界面处B原子的相对值远低于理论值,说明界面处存在B原子离解,导致了LiBq4分子的更高氧化态;从C1s谱发现,表面污染C的比例很高,而界面处大为下降,原因是表面吸附了气体,从而证实了LiBq4表面存在大量空隙和裂缝。定量研究发现,界面处存在N原子与In、Sn原子的相互作用,这将影响LiBq4的发光颜色。 展开更多
关键词 LiBq./ito表面 界面 原子力显微镜 X射线光电子谱
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Liq/ITO结构表面与界面的AFM和XPS研究
10
作者 李建丰 孙硕 +1 位作者 欧谷平 张福甲 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期390-394,共5页
采用真空蒸发沉积的方法,在覆盖有ITO膜的玻璃基片上沉积一层Liq。利用原子力显微镜(AFM)对制备的Liq/ITO样品表面进行扫描,发现Liq粉末表现为岛状形态,其表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,有许多针孔。用X射线光电子能谱(XPS)研究了Liq... 采用真空蒸发沉积的方法,在覆盖有ITO膜的玻璃基片上沉积一层Liq。利用原子力显微镜(AFM)对制备的Liq/ITO样品表面进行扫描,发现Liq粉末表现为岛状形态,其表面极不平整,存在大量裂缝和空隙,有许多针孔。用X射线光电子能谱(XPS)研究了Liq/ITO紧密接触的表面和界面电子状态。对样品In3d和Sn3d的电子状态分析也证实了ITO表面沉积Liq膜存在裂缝和针孔,这些裂缝和针孔吸附了空气中大量的气体分子;对C1s谱的分析发现,ITO膜表面存在一定的C污染;对N1s谱分析可知,界面处N原子与OI、n和Sn原子有相互作用,这将会影响Liq的发光颜色。 展开更多
关键词 原子力显微镜 X射线光电子能谱 Liq/ito 表面和界面电子态 有机发光器件
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基于MEH-PPV/Ir(ppy)_3聚合物电双稳器件
11
作者 王敏 胡煜峰 滕枫 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期611-616,共6页
通过逐层旋涂的方法,利用MEH-PPV(Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]与Ir(ppy)_3(tris(2-phenylpyridine)iridium(Ⅲ))),制备活性层,实现了高性能的电双稳器件。通过改变MEHPPV的浓度,制备了不同器件并进行性... 通过逐层旋涂的方法,利用MEH-PPV(Poly[2-methoxy-5-(2-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene]与Ir(ppy)_3(tris(2-phenylpyridine)iridium(Ⅲ))),制备活性层,实现了高性能的电双稳器件。通过改变MEHPPV的浓度,制备了不同器件并进行性能比较,发现所有器件都具有明显的电双稳特性。当MEH-PPV的浓度达到4 mg/mL时,器件的开关比可以达10~3。同时,通过测试器件的电流-循环次数研究了器件的持续稳定特性。经过10~4次的反复读写测试,器件性能依然稳定。最后,通过对器件的Ⅰ-Ⅴ曲线进行线性拟合,并结合器件的能级图,对器件的工作原理进行了研究。结果表明,MEH-PPV/Ir(ppy)_3器件的电双稳特性产生的主要原因是偶极层的形成与破坏。 展开更多
关键词 MEH-ppv Ir(ppy)3 有机电双稳器件 偶极层
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ITO镀膜玻璃生产线的自动控制应用 被引量:1
12
作者 王世东 《玻璃》 2006年第3期62-64,共3页
介绍了运用组态王软件和FP系列可编程控制器实现ITO镀膜玻璃生产线的自动控制。系统拥有高度自动和丰富的手动控制功能,并拥有可靠的故障诊断和报警功能。
关键词 ito镀膜生产线 FP系列可编程控制器 组态王软件 人机界面
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n-i-p型非晶硅太阳电池中p/ITO界面特性研究 被引量:4
13
作者 倪牮 陈新亮 +8 位作者 曹丽冉 张建军 薛俊明 孙建 王先宝 韩东港 张德坤 赵颖 耿新华 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期55-58,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,制备n-i-p型非晶硅(a-Si)太阳电池,采用反应热蒸发法制备ITO薄膜作为太阳电池的前电极。通过改变B2H6的掺杂浓度获得了不同晶化率的p层,详细研究了p层性能对p/ITO界面特性以及电池性能的影响。结果表明,在合适晶化率的p层上沉积ITO薄膜有利于优化p/ITO界面的接触特性,将其应用于n-i-p型a-Si太阳电池,能够显著改善电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF),最终,在不锈钢(SS)衬底上获得了转换效率为6.57%的单结a-Si太阳电池。 展开更多
关键词 n-i-p太阳电池 不锈钢(SS)衬底 p/ito界面
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ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的表面和界面特性研究 被引量:3
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作者 郑代顺 张旭 钱可元 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期280-284,共5页
界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不... 界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不仅ITO与PTCDA薄膜之间存在扩散,PTCDA与Si衬底材料之间也存在扩散现象。此外,每种原子的XPS谱表现出一定的化学位移,并以C1s和O1s谱的化学位移最为显著。 展开更多
关键词 表面和界面特性 X射线光电于能谱(XPS) 化学位移 ito/PTCDA/p-Si
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热处理对MEH-PPV有机电致发光性能的影响 被引量:1
15
作者 王奕 牛霞 +1 位作者 李娟 罗经国 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期563-566,共4页
以 MEH- PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管 (OL ED)器件在不同条件下进行真空热处理 ,并用金相显微镜观察器件在 12 V电压下工作的阴极表面形貌。与未经处理的器件相比 ,处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少 ;器件的最大相... 以 MEH- PPV为发光层的单层聚合物有机发光二极管 (OL ED)器件在不同条件下进行真空热处理 ,并用金相显微镜观察器件在 12 V电压下工作的阴极表面形貌。与未经处理的器件相比 ,处理后的器件阴极表面的气泡及黑斑明显减少 ;器件的最大相对发光强度提高了一个数量级 ;启亮电压降低了 2 .0V;半寿命提高了 12 .7倍。初步分析表明 ,其主要原因在于 ,一方面有效地减少了器件在工作过程中由于焦耳热产生的有害气体 ,从而减少了阴极表面气泡及黑斑的出现 ;另一方面 ,热处理方法也增强了有机发光层与阴极接触界面的结合力 ,提高电子的注入能力。 展开更多
关键词 有机电致发光性能 可溶性聚对苯乙炔 热处理 黑斑 界面 有机发光二极管器件 气泡 焦耳热
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