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Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果 被引量：2
1
作者 陈效建 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期120-123,共4页
讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点藉助Schroedinger／Poisson方程及器件方程，进行了Ka波段AlGaAs／InGaAs低噪声PHEMT用异质层结构的数值计算及CAD优化．确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分。浓度与厚度上述优化分析的结果用于器... 讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点藉助Schroedinger／Poisson方程及器件方程，进行了Ka波段AlGaAs／InGaAs低噪声PHEMT用异质层结构的数值计算及CAD优化．确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分。浓度与厚度上述优化分析的结果用于器件的实验研制，取得了34．4Gfu下噪声系数（NF）1．92dB、相关增益Ga6． 展开更多
关键词 优化 低噪声 pphemt 异质材料 结构
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