PMNT陶瓷材料的压电介电性能研究 被引量：9

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作者 孙大志 赵梅瑜 +5 位作者 罗豪甦 瞿翠凤 金绮华 姚春华 林盛卫 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期939-942,共4页

本文研究了准同型相界处铌镁酸铅－钛酸铅（ＰＭＮＴ）陶瓷材料的介电压电性能，合适的组份和烧结，可使ＰＭＮＴ陶瓷材料具有较好的压电性能，ｄ３３达５４０ｐＣ／Ｎ，ｋｔ达０．５０以上．观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构，... 本文研究了准同型相界处铌镁酸铅－钛酸铅（ＰＭＮＴ）陶瓷材料的介电压电性能，合适的组份和烧结，可使ＰＭＮＴ陶瓷材料具有较好的压电性能，ｄ３３达５４０ｐＣ／Ｎ，ｋｔ达０．５０以上．观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构，烧结时间过长不仅使晶粒尺寸变大，亦可造成晶粒快速生长．对化学组成和微观结构与压电性能之间的关系进行了讨论． 展开更多

关键词 压电 介电 微观形貌 pmnt陶瓷 性能 铁电体

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铅基复合钙钛矿型弛豫铁电单晶的生长基元与生长机理Ⅰ.PMNT单晶的表面形貌、负晶结构及生长基元的组装与拆分 被引量：6

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作者 许桂生 许桂生 +3 位作者 罗豪甦 仲维卓 殷之文 刘克 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第2期172-177,共6页

铅基复合钙钛矿型弛豫铁电单晶体PMNT的生长基元为多种[BO_6]配位八面体,晶体生长过程可视为多种八面体基元与Pb^(2+)的组装过程.这些生长基元向{111}面叠合时易采取法向生长机制,向{001}面叠合时易采取层状生长机制,由此决定了晶体生... 铅基复合钙钛矿型弛豫铁电单晶体PMNT的生长基元为多种[BO_6]配位八面体,晶体生长过程可视为多种八面体基元与Pb^(2+)的组装过程.这些生长基元向{111}面叠合时易采取法向生长机制,向{001}面叠合时易采取层状生长机制,由此决定了晶体生长速度的各向异性与晶体的形貌.Bridgman法生长的PMNT晶体在生长过程中由内向生长机制形成规则的负晶结构;在晶体生长过程中,在其自然表面上可形成正形与负形两种形貌;在高温退火过程中,由于PbO的分解,晶体表面上可形成类似“蚀象”的构型,这些可从[BO_6]八面体生长基元的组装或拆分方面获得解释. 展开更多

关键词 弛豫铁电体 pmnt 晶体生长 生长基元

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PMNT单晶电畴结构随组分与结构的变化 被引量：3

3

作者 许桂生 罗豪甦 +2 位作者 徐海清 齐振一 殷之文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期221-228,共8页

利用多种方法观察了弛豫型铁电单晶ＰＭＮＴ中电畴结构随组分与结构的演变过程与特征．观察发现，在ＰＭＮ－ＰＴ的三方相区内，随ＰＴ含量的增加，电畴结构表现出微畴一（亚微畴）－不规则宏畴一规则宏畴转变历程；在三方－四方相变中... 利用多种方法观察了弛豫型铁电单晶ＰＭＮＴ中电畴结构随组分与结构的演变过程与特征．观察发现，在ＰＭＮ－ＰＴ的三方相区内，随ＰＴ含量的增加，电畴结构表现出微畴一（亚微畴）－不规则宏畴一规则宏畴转变历程；在三方－四方相变中，非１８０°电畴发生７１°（或１０９°）宏畴－９０°宏畴的转化，同时电畴图像变得更为规则．根据不同组分ＰＭＮＴ电畴的显示特征，提出晶体的最大双折射率可以作为度量其弛豫性强弱的光学参数．观察到了电畴的分布不均匀与多级结构现象，前者与组分或结构的起伏有关，后者与多期式马氏体转变有关．本文还分析了偏光显微镜、ＤＩＣ、ＳＥＭ、ＳＥＡＭ等观察方法中电畴的成像特征． 展开更多

关键词 弛豫型铁电体 pmnt 电畴结构 压电性 铁电晶体

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新型压电单晶PMNT的生长和性能研究 被引量：3

4

作者 罗豪甦 徐海清 +2 位作者 王评初 殷庆瑞 殷之文 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期98-99,104,共3页

在突破了传统的助溶剂方法生长弛豫铁电单晶限制的基础上,用Bridgman方法生长出了大尺寸高质量的PMNT单晶,并根据它的性能特点,探索了它的潜在应用.结果表明,PMNT单晶在各种压电换能器中有广泛的应用前景.

关键词 性能研究 新型压电单晶 pmnt单晶 弛豫铁电体 压电系数 机电耦合系数 晶体生长 钛酸铅

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准同型相界组分PMNT弛豫铁电单晶的畴结构与极化特性 被引量：5

5

作者 张绍锋 李强 杨子 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期411-415,共5页

采用坩埚下降法生长了具有准同型相界(MPB)组分的65Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-35PbTiO3(PMNT65/35)弛豫铁电单晶。用偏光显微镜研究了(001)、(110)和(111)三个结晶学取向的铁电畴结构,观察到明暗交替的变化。通过对极化前后电畴形状的比较,分析... 采用坩埚下降法生长了具有准同型相界(MPB)组分的65Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-35PbTiO3(PMNT65/35)弛豫铁电单晶。用偏光显微镜研究了(001)、(110)和(111)三个结晶学取向的铁电畴结构,观察到明暗交替的变化。通过对极化前后电畴形状的比较,分析了极化前后铁电畴形态的变化原因。晶片极化条件为:600V/mm的电场并保持10～15min。研究了极化介质不同对极化后晶片压电性能的影响。 展开更多

关键词 pmnt单晶 弛豫铁电体 电畴结构 极化

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过量PbO对TGG法定向生长PMNT多晶体动力学影响的研究 被引量：2

6

作者 赵丽丽 樊慧庆 +2 位作者 高峰 赵鸣 田长生 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期40-44,48,共6页

采用传统陶瓷工艺和添加过量 Pb O的 TGG方法实现了 PMNT多晶体沿 <0 0 1>方向的定向生长 ,对多晶体定向生长的动力学进行了详细的研究。结果表明 ,PMNT多晶体定向生长的厚度随过量 Pb O的增加而线性增加 ,它的生长是热激活扩散... 采用传统陶瓷工艺和添加过量 Pb O的 TGG方法实现了 PMNT多晶体沿 <0 0 1>方向的定向生长 ,对多晶体定向生长的动力学进行了详细的研究。结果表明 ,PMNT多晶体定向生长的厚度随过量 Pb O的增加而线性增加 ,它的生长是热激活扩散与溶解 -沉积过程二者综合作用的结果。只要选择适当的生长时间 ,在 PMNT基体中添加过量的Pb O,不但不会影响陶瓷的组分还可以显著提高多晶体的定向生长速度。而且 ,PMNT多晶体定向生长厚度与生长时间的 1/3方呈线性关系 ,属于典型的扩散控制的生长行为。实验表明 ,采用添加 2 0 %过量的 Pb O、在 115 0℃生长10 h是制备 展开更多

关键词 TGG法 动力学 pmnt 晶体

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Er^(3+)掺杂弛豫铁电材料PMNT的单晶生长与性能表征 被引量：2

7

作者 向军涛 杜鹏 +4 位作者 罗来慧 方义权 赵学洋 胡旭波 陈红兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期135-140,共6页

按照0.71Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26Pb Ti O3-0.03Pb(Er1/2Nb1/2)O3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出Er3+掺杂PMNT多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×100 mm的Er3+掺杂PMNT晶体,Er3+离子以三元固溶体组元方式被... 按照0.71Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26Pb Ti O3-0.03Pb(Er1/2Nb1/2)O3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出Er3+掺杂PMNT多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×100 mm的Er3+掺杂PMNT晶体,Er3+离子以三元固溶体组元方式被掺杂进入钙钛矿相铁电体晶格;测试了Er3+掺杂PMNT晶片的介电、压电与铁电性能以及上转换发光性能。结果表明,Er3+掺杂PMNT晶体呈现跟三方相纯PMNT晶体相近的介电、压电与铁电性能;在980 nm激发光作用下,该掺杂晶体呈现出Er3+离子特有的较强上转换荧光发射,并且极化后掺杂晶体的上转换发光强度得到增强。 展开更多

关键词 Er3+掺杂pmnt晶体 单晶生长 坩埚下降法 电学性能 上转换发光

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PMNT薄膜可见-红外光学性质的研究 被引量：2

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作者 刘爱云 薛建强 +3 位作者 侯云 葛玉建 黄志明 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期405-408,共4页

通过对不同组分的铌镁钛酸铅(PMNT)薄膜的紫外-可见透射光谱以及红外椭圆偏振光谱的分析,利用Tauc-Lorentz(T-L)+Cauchy色散关系和经典中红外色散关系,得到了该材料在可见和中红外区的光学常数,发现在可见和中红外区,薄膜的折射率随着PT... 通过对不同组分的铌镁钛酸铅(PMNT)薄膜的紫外-可见透射光谱以及红外椭圆偏振光谱的分析,利用Tauc-Lorentz(T-L)+Cauchy色散关系和经典中红外色散关系,得到了该材料在可见和中红外区的光学常数,发现在可见和中红外区,薄膜的折射率随着PT(PbTiO3)含量的增加而增大,但是薄膜的光学禁带宽度随之而减小. 展开更多

关键词 pmnt薄膜 化学溶液法 红外椭圆偏振光谱

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弛豫铁电单晶(PMNT)中负离子配位多面体结晶方位与工程化畴 被引量：1

9

作者 仲维卓 赫崇君 +2 位作者 张学华 罗豪甦 华素坤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1163-1166,共4页

本文从晶体中负离子配位多面体结构基元结晶方位及其形变的论点讨论了PMNT晶体工程化畴的形成机理,认为晶体工程化畴的形成是在电场作用下,当A位离子沿着晶体a、b、c轴孔道发生位移导致B八面体中的B离子位移和B八面体形变,两者相互制约... 本文从晶体中负离子配位多面体结构基元结晶方位及其形变的论点讨论了PMNT晶体工程化畴的形成机理,认为晶体工程化畴的形成是在电场作用下,当A位离子沿着晶体a、b、c轴孔道发生位移导致B八面体中的B离子位移和B八面体形变,两者相互制约所致,三方和四方晶系的晶体中畴的形成都是沿着B八面体的对角线方向分布。 展开更多

关键词 负离子配位多面 工程化畴 pmnt 结晶方位

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PbO/B_2O_3添加剂对PMNT多晶体定向生长的影响 被引量：1

10

作者 赵丽丽 赵鸣 +2 位作者 张昌松 樊慧庆 田长生 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期333-335,共3页

　采用添加PbO/B2O3的TGG方法定向生长了PMNT多晶体,结果表明通过调节PbO/B2O3的比值可以控制PMNT离子在添加剂(第二相)中的扩散速度,从而控制PMNT多晶体沿Sr TiO3(001)面定向生长的生长速度和多晶体的取向一致性。PM NT多晶体定向生长... 　采用添加PbO/B2O3的TGG方法定向生长了PMNT多晶体,结果表明通过调节PbO/B2O3的比值可以控制PMNT离子在添加剂(第二相)中的扩散速度,从而控制PMNT多晶体沿Sr TiO3(001)面定向生长的生长速度和多晶体的取向一致性。PM NT多晶体定向生长层厚度随着B2O3含量的增加线性减薄;同时随着B2O3添加量增加多晶体的取向一致性越来越好。 展开更多

关键词 pmnt TGG 定向生长 扩散

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弛豫型铁电(PMNT)大流量高速开关阀设计与仿真 被引量：3

11

作者 宋敏 朱建公 《西南科技大学学报》 CAS 2017年第2期96-102,共7页

针对高速开关阀响应不够高、流量输出小的问题,利用新型压电晶体—弛豫型铁电(PMNT)的逆压电效应原理,将PMNT制作成大流量高速开关阀的驱动器,以此提高开关阀的响应速度。分析了PMNT驱动器的结构和工作原理,采用AMESim对PMNT驱动器进行... 针对高速开关阀响应不够高、流量输出小的问题,利用新型压电晶体—弛豫型铁电(PMNT)的逆压电效应原理,将PMNT制作成大流量高速开关阀的驱动器,以此提高开关阀的响应速度。分析了PMNT驱动器的结构和工作原理,采用AMESim对PMNT驱动器进行建模并研究了PMNT的逆压电效应,同时采用类似并联阀的双阀芯结构增大出口流量,运用AMESim平台对其整个液压系统进行研究,比较了不同占空比下PWM脉冲信号及压力源对高速开关阀出口流量和压力变化的影响。该新型高速开关阀能够满足高速、大流量要求。 展开更多

关键词 pmnt 大流量高速开关阀 双阀芯 建模

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PMNT和PZNT单晶的压电模量表示中的问题探讨 被引量：4

12

作者 罗豪苏 王评初 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期281-285,298,共6页

对于具有３ｍ点群结构的ＰＭＮＴ和ＰＺＮＴ单晶，按照三方晶系标准定向的要求，ｚ轴应取（１１１）方向，但一些文献中的ｄ３３来表示在（１００）晶面上受到正应力作用时的压电模量，这种表示中ｚ轴的取向不符合三方晶系的标准定向，... 对于具有３ｍ点群结构的ＰＭＮＴ和ＰＺＮＴ单晶，按照三方晶系标准定向的要求，ｚ轴应取（１１１）方向，但一些文献中的ｄ３３来表示在（１００）晶面上受到正应力作用时的压电模量，这种表示中ｚ轴的取向不符合三方晶系的标准定向，影响ＰＭＮＴ和ＰＺＮＴ单晶压电性能的研究，文章详细讨论了具有３ｍ点群结构的晶体，在其（１００）晶面上受正应力作用时的压电模量和机电耦合因数的表示关系。 展开更多

关键词 pmnt单晶 PZNT单晶 压电模量 机电耦合因数

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新型压电单晶PMNT在高性能驱动器中的应用 被引量：1

13

作者 罗豪甦 冯祖勇 赵祥永 《实验力学》 CSCD 北大核心 2005年第B12期101-103,共3页

设计制作了50层总长为9mm的PMNT单晶叠层驱动器。测试结果表明，PMNT单晶驱动器具有比PZT-5A陶瓷驱动器高2倍的优异应变性能，能满足各种微米-纳米和控制技术的应用需要。

关键词 pmnt铁电单晶 场致应变 压电驱动器

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成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响

14

作者 赵丽丽 高峰 +3 位作者 赵鸣 张昌松 李光耀 田长生 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期320-323,共4页

采用添加PbO的TGG方法定向生长PMNT多晶体 ,研究了素坯成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响规律。结果表明 ,成型压力直接影响PMNT多晶体的取向生长速度和取向程度。随着成型压力逐渐增大 ,PMNT多晶体的取向生长速度呈先增加后减小的趋... 采用添加PbO的TGG方法定向生长PMNT多晶体 ,研究了素坯成型压力对PMNT多晶体取向生长的影响规律。结果表明 ,成型压力直接影响PMNT多晶体的取向生长速度和取向程度。随着成型压力逐渐增大 ,PMNT多晶体的取向生长速度呈先增加后减小的趋势。低于临界成型压力 (在本文实验条件下 ,临界成型压力为 6 0 0MPa)时 ,随成型压力增大 ,PMNT多晶体的取向生长速度越来越快 ;高于临界成型压力时 ,随成型压力增大 ,PMNT多晶体的取向生长速度越来越慢 ,但是多晶体的取向程度却越来越好。 展开更多

关键词 pmnt 定向生长 压电材料 TGG方法 陶瓷晶相

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新型压电单晶PMNT的退火与极化

15

作者 徐海清 罗豪甦 +4 位作者 许桂生 齐振一 吴永君 贺天厚 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期89-,共1页

采用Birdgman方法生长出了大尺寸、高质量的PMNT单晶 ,其压电系数d3 3 >2 0 0 0pC/N ,机电耦合系数k3 3 大于 90 %。通常生长得到PMNT单晶容易开裂 ,晶体的内应力比较大。研究结果表明单晶内的应力主要由三种因素所形成 :( 1 )由于... 采用Birdgman方法生长出了大尺寸、高质量的PMNT单晶 ,其压电系数d3 3 >2 0 0 0pC/N ,机电耦合系数k3 3 大于 90 %。通常生长得到PMNT单晶容易开裂 ,晶体的内应力比较大。研究结果表明单晶内的应力主要由三种因素所形成 :( 1 )由于生长炉内的温场分布不均匀 ,在单晶内形成的热应力。( 2 )生长原料为 4种氧化物组成的 ,由于原料配料和处理过程的影响 ,很难确保组分的化学配比 ,容易造成单晶的各种缺陷 ,形成结构应力。( 3)单晶在降温通过其居里点时 ,由于电畴的形成 ,相变界面上产生晶格失配 ,形成机械应力。为了防止单晶的开裂和减少其内部应力 ,我们对生长的PMNT单晶进行了退火实验 ,发现PMNT单晶在超过一定的温度时 ,容易产生各种焦绿石相。在不同保温和降温速率条件下进行退火 ,通过比较样品的介电常数和压电常数d3 3 的变化 ,我们找到了既保持单晶介电和压电性能不变 ,又能显著减小内部应力的退火条件 ,较好了防止了单晶的开裂现象。为了获得单畴化的PMNT单晶 ,我们进行了单晶的极化研究。通过对不同温度条件下PMNT单晶电滞回线的测量 ,获得了矫顽电场和温度之间的关系 ,从而确立了PMNT单晶极化的最佳温度和电场强度条件。获得了单畴化程度高的PMNT单晶 ,为PMNT晶体的实际应用奠定了基础。 展开更多

关键词 压电单晶 pmnt 退火 极化

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单晶PMNT/环氧树脂压电复合材料的研制

16

作者 王丽坤 段成丽 +2 位作者 李莉 秦雷 董天晓 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第4期520-522,共3页

采用1-3型复合结构,沿表面两个相互垂直的方向切割PMNT单晶陶瓷,在切槽间浇注环氧树脂,制备出新型的1-3型PMNT/环氧树脂压电复合材料。实验测试了复合材料的压电、介电、阻抗和超声回波特性,结果表明其厚度机电耦合系数达到0.75,声速2 9... 采用1-3型复合结构,沿表面两个相互垂直的方向切割PMNT单晶陶瓷,在切槽间浇注环氧树脂,制备出新型的1-3型PMNT/环氧树脂压电复合材料。实验测试了复合材料的压电、介电、阻抗和超声回波特性,结果表明其厚度机电耦合系数达到0.75,声速2 985 m/s,声阻抗14.9 MPa.(s.m-3),脉冲回波中心频率0.95 MHz,-6 dB带宽88%,相对介电常数1 423,介电损耗0.014。 展开更多

关键词 单晶pmnt 压电复合材料 制备 性能

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新型压电单晶PMNT的下降法生长及晶体完整性

17

作者 许桂生 罗豪更生 +3 位作者 齐振一 徐海清 仲维卓 殷之文 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期88-88,共1页

新型压电单晶PMNT具有十分优异的压电性能 ,用Bridgman法生长的PMNT单晶的电容率ε可达 5 5 0 0左右 ,纵向压电应变常量d3 3 可达 2 5 0 0pC/N以上 ,机电耦合因数k3 3 可达 93% ,kt可达 6 4 % ,机械品质因数Qm 低至 5 0～ 6 0。用该晶... 新型压电单晶PMNT具有十分优异的压电性能 ,用Bridgman法生长的PMNT单晶的电容率ε可达 5 5 0 0左右 ,纵向压电应变常量d3 3 可达 2 5 0 0pC/N以上 ,机电耦合因数k3 3 可达 93% ,kt可达 6 4 % ,机械品质因数Qm 低至 5 0～ 6 0。用该晶体取代传统的PZT系陶瓷制作成接受型超声换能器探头中的压电元件 ,可望使器件的图像分辨率与频带宽度大为提高 ,进而产生更新换代的变化。因此该类弛豫型铁电单晶在国际铁电界与晶体生长界引起了广泛的关注。然而 ,由于生长体系的组分复杂、晶相的热稳定性差 ,也由于传统生长方法的缺陷 ,包括PMNT ,PZNT与PSNT在内的这类单晶的生长仍处于实验室阶段 ,单晶的尺寸与性能难以保持稳定 ,从而阻碍了晶体的大规模开发与应用。本文在对PMN PT体系相图、相结构与相稳定性的分析与测试的基础上 ,结合对晶体生长机制的理论分析 ,找到了适宜PMNT单晶生长的方法———Bridgman法。该方法通过利用籽晶生长有效地控制了自发成核 ;通过对固液界面形状与位置的控制保持了晶体生长过程的稳定。尺寸达40× 80mm的、纯钙钛矿相的、三方或四方结构的PMNT单晶已生长出来。对PMNT单晶的完整性进行了分析研究。该晶体的组分不均匀性通过铁电性能 ,如电容率ε及压电常量d3 3 等灵敏地显示出来 ,? 展开更多

关键词 压电单晶 pmnt 布里奇曼法

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PbMg1／3Nb2／3O3(PMN)和PbMg1／3Nb2／3-PbTiO3(PMNT)中几种局域结构与晶格形变的从头算研究

18

作者 徐红兰 缪强 罗豪甦 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第1期19-26,共8页

建立了钙钛矿结构铌镁酸铅PbMg1/3Nb2/3O3(PMN)的2×2×3复晶胞模型;采用abinitio方法讨论了PMN晶体各种可能构型的稳定性;选取了PMN三种高、中、低稳定性的代表构型,并对Ti替换B位离子后的结构进行了结构优化.计算结果表明复... 建立了钙钛矿结构铌镁酸铅PbMg1/3Nb2/3O3(PMN)的2×2×3复晶胞模型;采用abinitio方法讨论了PMN晶体各种可能构型的稳定性;选取了PMN三种高、中、低稳定性的代表构型,并对Ti替换B位离子后的结构进行了结构优化.计算结果表明复晶胞刚性模型的最低和最高能量差约0.74a.u.(1940kJ);Pb2+离子结构框架的形变是PMN晶格发生形变的主要因素;在不考虑被替换离子电荷差异的情况下,MgO6含量越少越有利于Ti离子替换Nb与晶胞的形变.PMNT材料中构型的分布和局域形变取决于生长PMNT材料的工艺过程. 展开更多

关键词 PbMg1/3Nb2/3O3(PMN)和PbMg1/3Nb2/3-PbTiO3(pmnt) ab INITIO 局域结构 晶格形变

原文传递

PMNT热释电陶瓷材料的制备及性能研究

19

作者 王实现 张约品 +1 位作者 王冲 章践立 《宁波大学学报（理工版）》 CAS 2011年第4期124-127,共4页

用软化学法合成了驰豫型复合钙钛矿结构铁电PMNT粉体,并将制备好的粉体压制成圆片状后放入硅碳棒炉中,于1150℃下烧结成致密热释电陶瓷材料.然后用X射线粉末衍射对合成材料进行物相分析,并用扫描电镜观察了晶粒形貌特征.结果表明:烧结... 用软化学法合成了驰豫型复合钙钛矿结构铁电PMNT粉体,并将制备好的粉体压制成圆片状后放入硅碳棒炉中,于1150℃下烧结成致密热释电陶瓷材料.然后用X射线粉末衍射对合成材料进行物相分析,并用扫描电镜观察了晶粒形貌特征.结果表明:烧结后的陶瓷具有很好的致密性和热释电性,其中,0.67PMN-0.33PT组分热释电陶瓷的热释电系数为4.5×10-4 C m-2 K-1,探测优值Fd为3.9×10-5 Pa-1/2. 展开更多

关键词 pmnt 热释电陶瓷材料 钙钛矿相

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溶胶-凝胶法中热处理对PMNT薄膜结构的影响 被引量：1

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作者 邸利锋 丁爱丽 +1 位作者 何夕云 罗维根 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期299-305,共7页

研究用溶胶－凝胶方法制备ＰＭＮＴ（铌镁酸铅）薄膜的工艺过程．通过ＸＲＤ和ＳＰＭ系统地分析了热处理条件（热解温度和退火条件）与ＰＭＮＴ薄膜的形态．结晶和取向的对应关系，已建立起制备高度取向 ＰＭＮＴ薄膜的工艺．并成功地... 研究用溶胶－凝胶方法制备ＰＭＮＴ（铌镁酸铅）薄膜的工艺过程．通过ＸＲＤ和ＳＰＭ系统地分析了热处理条件（热解温度和退火条件）与ＰＭＮＴ薄膜的形态．结晶和取向的对应关系，已建立起制备高度取向 ＰＭＮＴ薄膜的工艺．并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳＩＯ２／Ｓｉ衬底上制备成（１１１）取向的ＰＭＮＴ薄膜． 展开更多

关键词 热处理 pmnt薄膜结构 弛豫铁电体 溶胶-凝胶法 热解 退火 铌镁酸铅薄膜

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