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题名一种新型的PIP电容器的设想及其理论分析
被引量：1
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作者
龚道本
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机构
中南民族学院
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1997年第6期411-413,共3页
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文摘
提出了一种新型的电容器———ＰＩＰ电容器，它是一种压控电容器，通过控制外加电压（Ｖ）可以控制其电容（Ｃ）的值。电容在Ｖ＝０附近出现峰值Ｃｍａｘ，且随着｜Ｖ｜的增加Ｃ总是减少的，这是一种新型的电子器件。
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关键词
pip电容器
等效电容
耗尽层电容
绝缘层电容
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Keywords
: pip capacitor,Equivalent Capacitance,Depletion Layer Capacitance,Isolated Layer Capacitance,C-V Characteristic,Energy Band
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分类号
TM530.1
[电气工程—电器]
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题名CMOS工艺中PIP电容的不同制作方法
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作者
闻正锋
赵文魁
方绍明
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机构
深圳方正微电子有限公司
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出处
《电子与封装》
2015年第8期38-43,共6页
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文摘
在CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补式金属-氧化物-半导体)器件制造工艺中,通常都需要集成PIP(Polysilicon-Insulator-Polysilicon,多晶硅-介电层-多晶硅)电容,该电容的制作非常重要。介绍了PIP电容的4种制作工艺,并分别对比了优劣。4种方法分别是:将PIP制作步骤放在第一层多晶硅刻蚀之后,将PIP制作步骤放在侧墙氧化层刻蚀之后,将PIP制作步骤放在源漏离子注入之后,将PIP制作步骤放在第一层多晶硅沉积之后。由于PIP工艺中的热过程对CMOS器件会有影响,且不同的PIP工艺对单项工艺的要求不同,所以这4种方法对器件参数的影响会各有不同。最后通过实际流片验证,证实了第四种方法对器件参数影响最小,且工艺难度最小,与理论分析完全一致。
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关键词
pip电容
CMOS(互补式金属-氧化物-半导体)
工艺
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Keywords
pip capacitor
CMOS
process
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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