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宽带pin二极管单刀双掷开关的设计与实现 被引量：7
1
作者 王立发 杨瑞霞 +1 位作者 吴景峰 贾英茜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期238-241,共4页
采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8～20 GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关。首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现... 采用两个pin二极管设计、仿真,制作了一个8～20 GHz并联结构的高功率容量的单刀双掷开关。首先通过采用一个新的电路结构,该电路结构除了传统的并联pin单刀双掷开关结构外,还有微带线匹配电路部分,克服了并联结构单刀双掷开关难以实现大的带宽的缺点。然后选择合适的二极管,根据其参数,建立开路、短路等效电路模型;利用Ansoft Designer软件对电路进行了仿真和优化。最后根据优化结果制作并测试了单刀双掷开关。该单刀双掷开关插入损耗在频率8～20 GHz内小于1.7 dB,在频率8～15 GHz内小于1.5 dB;开关隔离度在整个频带内大于21 dB;在14 GHz耐功率容量大于10 W(CW)。 展开更多
关键词 pin二极管 单刀双掷开关 插入损耗 隔离度 宽带
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1～26．5GHz GaAs PIN单刀单掷开关单片 被引量：2
2
作者 陈新宇 冯欧 +3 位作者 蒋幼泉 许正荣 黄子乾 李拂晓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期37-39,62,共4页
采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm ... 采用GaAsPIN二极管，完成1～26．5GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作。SPST开关单片带内插损小于0．5dB，驻波优于1．1，隔离度大于27dB，在10～26．5GHz，隔离度大于37dB。开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向PIN二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作。 展开更多
关键词 砷化镓 pin二极管 单刀单掷 开关 单片
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GaAs PIN二极管大功率毫米波单刀双掷开关单片 被引量：3
3
作者 蒋东铭 陈新宇 +1 位作者 杨立杰 黄子乾 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期37-41,共5页
采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34d... 采用76.2mm(3英寸)GaAs PIN二极管工艺设计和制作了大功率毫米波单刀双掷开关单片。采用并联结构的单刀双掷开关以获得较高的功率特性。在片测试表明,在30～36GHz工作频段,开关导通支路插损1.0dB,驻波优于1.5,开关关断端口隔离度大于34dB。开关在导通态下输入功率0.5dB压缩点P-0.5 dB大于5W。 展开更多
关键词 毫米波 砷化镓 pin二极管 单刀双掷开关 微波单片集成电路
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pin组合开关在Ku波段多通道接收机中的应用 被引量：3
4
作者 余小辉 杨树春 沈育蓉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期521-524,共4页
采用pin二极管技术,在输入端反射式pin组合开关的基础上,设计、制作了一种微波吸收式pin单刀双掷开关,并给出了详细设计原理图。用AWR软件分别对带有定向耦合器的反射式pin组合开关和吸收式单刀双掷pin组合开关进行了仿真优化设计,仿真... 采用pin二极管技术,在输入端反射式pin组合开关的基础上,设计、制作了一种微波吸收式pin单刀双掷开关,并给出了详细设计原理图。用AWR软件分别对带有定向耦合器的反射式pin组合开关和吸收式单刀双掷pin组合开关进行了仿真优化设计,仿真结果表明吸收式单刀双掷pin组合开关性能指标更优越,尤其在衰减状态下各项指标明显优于反射式pin组合开关。将两种开关方案分别应用于Ku波段多通道接收机后,吸收式单刀双掷pin组合开关测得结果如下:插入损耗≤1 dB,导通和衰减输入驻波比均≤1.4∶1,幅度不一致性≤1 dB。 展开更多
关键词 pin组合开关 单刀双掷 多通道接收机 反射式 吸收式
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微波大功率PIN开关及其在变极化天线中的应用 被引量：2
5
作者 郭陈江 陈国瑞 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期78-81,共4页
讨论了一种工作子Ｓ波段的大功率ＰＩＮ开关的设计方法，该开关采用了间隔为四分之一波长的双排并联结构，仅用１２只ＰＩＮ管实现了功率容量为８０ｋＷ，插入衰减和开关比分别为０．８５ｄＢ和３０ｄＢ的性能指标，它已经用于测量雷达... 讨论了一种工作子Ｓ波段的大功率ＰＩＮ开关的设计方法，该开关采用了间隔为四分之一波长的双排并联结构，仅用１２只ＰＩＮ管实现了功率容量为８０ｋＷ，插入衰减和开关比分别为０．８５ｄＢ和３０ｄＢ的性能指标，它已经用于测量雷达的变极化天馈系统中，实现了雷达的脉间变极化。 展开更多
关键词 pin开关 双排并联 变极化天线
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基于微带线的W波段宽带pin管开关 被引量：1
6
作者 许正彬 崔寅杰 钱澄 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期881-885,共5页
采用微带混合集成工艺设计了一款W波段宽带pin管开关．通过建立pin管的Ansoft HF-SS模型，实现了开关整体的精确仿真．分析了开关结构中主传输线特性对隔离度的影响，在此基础上采用高阻抗主传输线有效地提高了开关的隔离度，进而展宽... 采用微带混合集成工艺设计了一款W波段宽带pin管开关．通过建立pin管的Ansoft HF-SS模型，实现了开关整体的精确仿真．分析了开关结构中主传输线特性对隔离度的影响，在此基础上采用高阻抗主传输线有效地提高了开关的隔离度，进而展宽了开关的隔离度带宽．为了获得开关的宽带导通特性，采用行波技术补偿pin管反向偏置时寄生参量的影响．为了验证该设计方法的正确性，对所设计的开关进行了加工、测试．测试结果表明：开关在87～103．5 GHz频率范围内，隔离度大于30 dB；在80～90 GHz频率范围内，开关导通时的插损小于1．2 dB；在90～95 GHz频率范围内，开关导通时插损小于1．5 dB ．仿真结果与测试结果吻合良好． 展开更多
关键词 pin管 开关 宽带 W波段
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毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片 被引量：1
7
作者 陈新宇 蒋幼泉 +2 位作者 许正荣 黄子乾 李拂晓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期2163-2166,共4页
采用GaAs pin二极管，完成了15-40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作．GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点，在15-20GHz带内插损0．6dB，驻波优于1．5，隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1．1dB，驻波... 采用GaAs pin二极管，完成了15-40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作．GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点，在15-20GHz带内插损0．6dB，驻波优于1．5，隔离度大于40dB;在20～40GHz带内插损小于1．1dB，驻波优于1．35，隔离度大于35dB．pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W，GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs纵向pin二极管材料结构，Ф76mm GaAs圆片工艺加工制作． 展开更多
关键词 毫米波 GAAS pin二极管 单刀单掷 开关 单片
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超宽带微波PIN匹配开关电路设计 被引量：8
8
作者 陈传军 《现代电子技术》 2008年第9期169-170,176,共3页
高速、超宽带微波PIN匹配多掷开关在通信、雷达及电子对抗系统中有着广泛应用的重要器件之一。介绍PIN管的工作机理，分析了应用PIN管设计开关电路时应考虑的因素，进而设计出工作频率为1-18GHz的单刀5掷PIN匹配开关电路，经测试在频率... 高速、超宽带微波PIN匹配多掷开关在通信、雷达及电子对抗系统中有着广泛应用的重要器件之一。介绍PIN管的工作机理，分析了应用PIN管设计开关电路时应考虑的因素，进而设计出工作频率为1-18GHz的单刀5掷PIN匹配开关电路，经测试在频率为1-18GHz范围内，插损小于3．5dB，隔离度大于60dB，开关时间小于30ns。 展开更多
关键词 pin开关 匹配 隔离 宽带
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一种具有低插入损耗耗PIN SPDT开关设计 被引量：1
9
作者 吴云飞 董艳红 +2 位作者 侯宪春 张漫 何生晖 《佳木斯大学学报（自然科学版）》 CAS 2016年第6期939-942,共4页
目前射频单刀双掷开关是射频控制电路的基本器件,其主要作用是控制射频微波传输系统中微波信号的通断。经常被应用于诸如微波信号源用的脉冲调制器,以及目前公网RRU中的驻波检测与DPD校准侧,通过切换开关,实现驻波检测以及DPD校准等功能... 目前射频单刀双掷开关是射频控制电路的基本器件,其主要作用是控制射频微波传输系统中微波信号的通断。经常被应用于诸如微波信号源用的脉冲调制器,以及目前公网RRU中的驻波检测与DPD校准侧,通过切换开关,实现驻波检测以及DPD校准等功能,特别是对于TDD系统而言,大功率的射频开关可以起到Tx和Rx之间的切换,实现系统设计。可见目前射频开关在通信系统中扮演者重要的角色。本文首先通过详细的分析PIN二极管的各项参数性能,并在此基础上,分析了PIN开关的理论分析方法。通过以上分析建立一个PIN单刀双掷开关,通过仿真,各项指标良好。 展开更多
关键词 pin二极管 射频开关 单刀双掷
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功率PIN二极管PSpice子电路模型 被引量：5
10
作者 盛定仪 杨耿 +1 位作者 谭吉春 杨雨川 《现代电子技术》 2008年第6期141-143,共3页
提出一种改进的PIN二极管子电路模型。该模型能够反映PIN二极管的瞬态开关特性,将基区电导调制效应考虑在内。通过PSpice软件瞬态仿真PIN二极管的正向直流、反向恢复特性。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明运... 提出一种改进的PIN二极管子电路模型。该模型能够反映PIN二极管的瞬态开关特性,将基区电导调制效应考虑在内。通过PSpice软件瞬态仿真PIN二极管的正向直流、反向恢复特性。利用该子电路对新型SiC材料PIN二极管建模仿真,仿真结果表明运用新材料对二极管开关性能有显著提高。 展开更多
关键词 pin二极管 电路模型PSpice仿真 碳化硅 瞬态开关特性
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基于Q-MMIC技术的W波段低成本PIN管开关（英文） 被引量：1
11
作者 许正彬 徐杰 钱澄 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期680-683,共4页
采用低成本方法设计了一款W波段单刀单掷开关.通过在单独加工的石英基片无源电路上安装倒装PIN管,获得了一款W波段准毫米波单片（Q-MMIC）开关.为了获得低损耗、高隔离度性能,开关设计中采用了3-D PIN管模型和电路补偿结构.测试结果表... 采用低成本方法设计了一款W波段单刀单掷开关.通过在单独加工的石英基片无源电路上安装倒装PIN管,获得了一款W波段准毫米波单片（Q-MMIC）开关.为了获得低损耗、高隔离度性能,开关设计中采用了3-D PIN管模型和电路补偿结构.测试结果表明开关在88 GHz时插入损耗最小,最小值为0.5 dB;在80~101 GHz频率范围内,开关导通时的插入损耗小于2 dB;在84~104 GHz频率范围内,开关隔离度大于30 dB.整个开关电路尺寸为1.5 mm×3.0 mm. 展开更多
关键词 准毫米波单片 开关 pin管 W波段
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AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关 被引量：1
12
作者 章军云 齐志央 +5 位作者 凌志健 尹志军 王溯源 李信 王学鹏 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第5期357-362,共6页
研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开... 研制了基于异质结AlGaAs/GaAs PIN二极管的超宽带微波毫米波开关单片。通过异质结外延材料结构的设计和MOCVD生长技术、高台面PIN开关电路制备工艺技术、超宽带模型管S参数测试与电路设计,制作了一款0.05~50 GHz的超宽带PIN单刀三掷开关。测试结果表明:该微波毫米波开关在0.05~18 GHz频带内插入损耗为0.5~0.75 dB,隔离度大于41 dB;18~50 GHz频带内插入损耗为0.75~1.2 dB,隔离度大于27 dB;具有低插入损耗和高隔离度的开关切换特性。 展开更多
关键词 铝镓砷 砷化镓 异质结 pin二极管 毫米波 单刀三掷开关
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基于PIN管的宽带高隔离度开关的设计与仿真 被引量：2
13
作者 唐正 吕晓蕊 《舰船电子工程》 2017年第1期158-160,共3页
在射频电路中,PIN管广泛地用作射频开关。论文设计了一款新型的宽带高隔离度收发开关电路,该单刀双掷开关(SPDT)工作频率为50MHz^2GHz,发射机到接收机端口隔离度在30dB以上。通过电路仿真对比,新型的SPDT开关的射频性能得到明显提高,能... 在射频电路中,PIN管广泛地用作射频开关。论文设计了一款新型的宽带高隔离度收发开关电路,该单刀双掷开关(SPDT)工作频率为50MHz^2GHz,发射机到接收机端口隔离度在30dB以上。通过电路仿真对比,新型的SPDT开关的射频性能得到明显提高,能够适应无线系统对SPDT开关的要求。 展开更多
关键词 pin管 SPDT 射频开关 ADS仿真
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PIN二极管在可重构天线中的作用的研究 被引量：1
14
作者 周彬 逯贵帧 《中国传媒大学学报（自然科学版）》 2009年第4期35-39,共5页
为适应现代通信设备的需求,天线的研发趋向于小型化,多波段。在不影响天线功能的前提下设计一个解决多频,小型化的天线成为一个好的解决方案。本文中提出了使用RF PIN二极管作为转换开关,通过对直流电压信号的控制产生不同的阻抗值,从... 为适应现代通信设备的需求,天线的研发趋向于小型化,多波段。在不影响天线功能的前提下设计一个解决多频,小型化的天线成为一个好的解决方案。本文中提出了使用RF PIN二极管作为转换开关,通过对直流电压信号的控制产生不同的阻抗值,从而调节天线的频率。该转换开关的功能是改变PIFA天线上两个被窄缝分割相对独立的辐射贴片间的耦合,并通过这种耦合来改变表面电流分布。所以,当开关开启时产生较大的表面电流分布,电流路径长度加长,从而产生较低的频率。而当开关闭合时,这就是开关对频率的调节作用。本文中的RF PIN二极管被用作转换开关,通过对直流电压的控制来达到不同的阻抗值,从而调节天线的频率。 展开更多
关键词 pin二级管 可重构天线
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PIN二极管在有线电视收费系统中的应用 被引量：2
15
作者 李新梅 丁家峰 曹建 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期32-34,共3页
根据PIN二极管的工作原理,设计了一种有线电视控制器,实现了有线电视信号的有效控制,并降低了有线电视收费管理系统成本。该电路结构简单,器件体积小,成本低,效果好,充分体现了PIN二极管在有线电视信号控制中的作用,具有广阔的应用前景。
关键词 收费系统 pin二极管 移频键控 射频开关 有线电视
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PIN开关的控制模块设计 被引量：1
16
作者 谭剑波 《现代电子》 1999年第2期43-45,50,共4页
分析了对PIN开关实现开关控制、RFSTC控制、STC校正控制的原理和设计方法,并给出了电路模块的实施框图。
关键词 pin开关 RFSTC STC校正 故障检测 雷达接收机
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基于GaAs pin工艺的开关滤波器组芯片 被引量：7
17
作者 世娟 白志中 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第8期570-574,605,共6页
基于GaAs pin工艺,研制了频率覆盖9.9~14.2GHz的三通道开关滤波器组单片微波集成电路（MMIC）芯片。开关滤波器组由输入/输出pin单刀三掷开关、带通滤波器组和pin开关偏置电路组合而成,集成在面积为4mm×4mm的GaAs衬底芯片上。每个... 基于GaAs pin工艺,研制了频率覆盖9.9~14.2GHz的三通道开关滤波器组单片微波集成电路（MMIC）芯片。开关滤波器组由输入/输出pin单刀三掷开关、带通滤波器组和pin开关偏置电路组合而成,集成在面积为4mm×4mm的GaAs衬底芯片上。每个支路的pin开关都采用串-并混合结构,控制电压-5V时开关导通,＋5V时开关截止。带通滤波器均采用分布参数梳状线结构,开路端加载金属-绝缘体-金属（MIM）电容减小了滤波器的尺寸。经探针台在片测试,结果表明,开关滤波器组MMIC芯片的三个通道中心插损为3.5~4.0dB,1dB相对带宽为16%~19%,35dB与1dB矩形系数比为1.9~2.2。 展开更多
关键词 单刀三掷开关 带通滤波器 开关滤波器组 GAAS pin工艺 耦合系数
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基于PIN管的多路大功率宽带高线性射频开关的研制 被引量：8
18
作者 张光辉 石玉 何泽涛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第11期59-62,共4页
设计制作了一款工作于100-400MHz的大功率宽带高线性单刀多掷PIN管收发开关。该开关采用1分6再分6的串联型结构，通过对PIN管的选取和微带线布局来实现对开关插损、隔离度和驻波比的要求。由于采用串联结构而非串并结构，该开关驱动部... 设计制作了一款工作于100-400MHz的大功率宽带高线性单刀多掷PIN管收发开关。该开关采用1分6再分6的串联型结构，通过对PIN管的选取和微带线布局来实现对开关插损、隔离度和驻波比的要求。由于采用串联结构而非串并结构，该开关驱动部分大为简化。测试结果表明，该开关插损小于0．3dB，隔离度大于50dB，驻波比小于1．2，功率容量为100W，二次谐波抑制大于70dBc。 展开更多
关键词 pin管开关 宽带 功率容量 线性
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一种大电流高速PIN驱动器的设计与实现 被引量：4
19
作者 叶红松 李洋 杨阳 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期81-84,共4页
介绍了一种大电流高速驱动器。该驱动器包含输入差分比较电路、内部基准电路、倒相缓冲电路、输出功放电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行转换,输出+5 V/-15 V信号;通过改变外部引脚的连接方式,可得到同相或反相输出,使用方便灵活。... 介绍了一种大电流高速驱动器。该驱动器包含输入差分比较电路、内部基准电路、倒相缓冲电路、输出功放电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行转换,输出+5 V/-15 V信号;通过改变外部引脚的连接方式,可得到同相或反相输出,使用方便灵活。电路采用双极对通隔离工艺技术制造。电路输出具有150 mA的驱动能力,上升、下降时间小于30 ns,延迟时间小于50 ns,主要用于驱动PIN开关管。 展开更多
关键词 pin开关驱动器 高速驱动器 模拟集成电路
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一种PIN开关高速驱动器的设计 被引量：3
20
作者 陈爱华 陈永任 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期492-494,497,共4页
介绍了一种用于驱动PIN开关的高速驱动器的设计。该电路的传输延时为5ns，工作电压范围±4-5～±12V。文章详细介绍了高速驱动器加速电路和偏置电路的设计方法，分析了影响高速驱动器传输速度和工作稳定性的一些因素，提出了克... 介绍了一种用于驱动PIN开关的高速驱动器的设计。该电路的传输延时为5ns，工作电压范围±4-5～±12V。文章详细介绍了高速驱动器加速电路和偏置电路的设计方法，分析了影响高速驱动器传输速度和工作稳定性的一些因素，提出了克服这些影响的措施。 展开更多
关键词 pin开关驱动器 传输延时 加速电路 偏置电路
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