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径向湍性输运条件下CFETR平行热通量及包层能量沉积模拟
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作者 高泽石 王亚磊 +6 位作者 李彦龙 田文喜 才来中 吴雪科 连强 李昕泽 王占辉 《核聚变与等离子体物理》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期65-71,共7页
采用BOUT++输运程序与PFCFlux程序的耦合对CFETR包层第一壁上的能量沉积情况进行了模拟。研究发现,当湍性输运系数为50m^(2)·s^(-1)时,最外闭合磁面上的极向平均平行热通量为14058.5MW·m^(-2),进入刮削层的等离子体功率Psol... 采用BOUT++输运程序与PFCFlux程序的耦合对CFETR包层第一壁上的能量沉积情况进行了模拟。研究发现,当湍性输运系数为50m^(2)·s^(-1)时,最外闭合磁面上的极向平均平行热通量为14058.5MW·m^(-2),进入刮削层的等离子体功率Psol的值为197.4MW;CFETR包层第一壁上的能量沉积主要集中于真空室壁靠近中心螺线管的高场侧区域,最大热通量出现在这一区域的中间部分。 展开更多
关键词 CFETR BOUT++ pfcflux 平行热通量 能量沉积
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