期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识
1
作者
刘春媚
杨旭
+3 位作者
朱慧龙
胡志远
毕大炜
张正选
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2157-2167,共11页
通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退...
通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退化。在不同的应力条件下,其效果也有所不同。对改性器件施加热载流子应力时,改性器件的前栅和背栅之间存在着更明显的相互作用。同时,探讨了总剂量辐照对改性器件热载流子退化的影响。在改性器件中存在辐照增强的热载流子退化,高温退火只能部分消除这一影响。
展开更多
关键词
热载流子效应
总剂量效应
辐射加固
pdsoi
nmos
改性器件
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识
1
作者
刘春媚
杨旭
朱慧龙
胡志远
毕大炜
张正选
机构
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能国家重点实验室
中国科学院大学
华天科技(昆山)电子有限公司
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第12期2157-2167,共11页
基金
Supported by Jiangsu Enterprise Academician Workstation Project。
文摘
通过与常规器件的对比,本文详细研究了在硅离子注入改性晶圆上制备的PDSOI NMOS的热载流子诱导退化现象。理论分析和TCAD模拟结果表明,硅离子注入在埋氧层中引入的电子陷阱能够捕获注入的电子,并通过改变电场来影响氧化层的热载流子退化。在不同的应力条件下,其效果也有所不同。对改性器件施加热载流子应力时,改性器件的前栅和背栅之间存在着更明显的相互作用。同时,探讨了总剂量辐照对改性器件热载流子退化的影响。在改性器件中存在辐照增强的热载流子退化,高温退火只能部分消除这一影响。
关键词
热载流子效应
总剂量效应
辐射加固
pdsoi
nmos
改性器件
Keywords
hot carrier effect
total dose irradiation
radiation hardening
pdsoi nmos
modified device
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
对改性晶圆上制备的PDSOI NMOS器件热载流子效应的全面认识
刘春媚
杨旭
朱慧龙
胡志远
毕大炜
张正选
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
