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Ohmic-junction of Ag cluster decorated BiO_(2-x) with strong built-in electric field enables efficient photocatalytic sterilization:DFT and mechanism insights
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作者 Yi-ling Yang Cheng-yang Wang +4 位作者 Nian-bo Wang Hui-hui Gan Shu-fang Zhao Jun Li Yan Zhang 《Rare Metals》 2025年第11期8680-8690,共11页
Antimicrobial resistance(AMR)has disturbed global public health for many years.Reactive oxygen species(ROS)generation by photocatalysis was considered as an effective substance which can directly destroy cell structur... Antimicrobial resistance(AMR)has disturbed global public health for many years.Reactive oxygen species(ROS)generation by photocatalysis was considered as an effective substance which can directly destroy cell structures and DNA of bacterial.In this work,Ag cluster decorated BiO_(2-x)(Ag-BiO_(2-x))Ohmic-junction with strong built-in electric field was fabricated by photo-deposition strategy for efficient photocatalytic sterilization.The interfacial reaction-generated electric field in an Ag-BiO_(2-x)Ohmic-junction facilitates the transport and separation of photoelectron from BiO_(2-x)to Ag.The local surface plasmon resonance(LSPR)effect of Ag clusters can boost the composite's light absorption while preventing photogenerated carriers from recombining.Simultaneously,Ag clusters can act as a cocatalyst,with an optimal oxygenadsorption energy,promoting highly efficient molecular oxygen activation.As we expected,Ag-BiO_(2-x)Ohmicjunction displayed enhanced E.coli inactivation activity with 2 h under visible light irradiation.The EPR measurement and DFT calculation confirmed that the Ag clusters worked as ROS generation sites and provoked the generation of·O_(2)-and OH.This study provides an atomic insight on design Ohmic-junction photocatalyst for photocatalytic antibacterial. 展开更多
关键词 ohmic-junction BiO_(2-x) Photocatalytic sterilization LSPR DFT calculations
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N-型立方氮化硼的欧姆接触的制备
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作者 王成新 高春晓 +3 位作者 张铁臣 刘洪武 李迅 邹广田 《原子与分子物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期556-558,共3页
文内报告了尺寸为 0 .3× 0 .3mm2 的立方氮化硼单晶的N 型掺杂 ,然后用特殊的测量装置测量了N 型立方氮化硼的欧姆接触之后的伏 -安特性。
关键词 立方氮化硼 欧姆接触 异质结 N-型 半导体
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基于结终端扩展的4H-SiC肖特基势垒二极管研制 被引量:2
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作者 张发生 李欣然 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期146-149,共4页
采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,离子注入形成结终端扩展表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。实验测量其反向击... 采用高真空电子束热蒸发金属Ni分别作肖特基接触和欧姆接触,离子注入形成结终端扩展表面保护,研制出Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)。I-V特性测量说明,Ni/4H-SiCSBD有较好的整流特性,热电子发射是其主要的运输机理。实验测量其反向击穿电压达1800V,且反向恢复特性为32ns。 展开更多
关键词 碳化硅 肖特基势垒二极管 结终端扩展 欧姆接触
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构筑Bi纳米粒子负载BiOCl纳米片欧姆结用于光催化CO_(2)还原 被引量:1
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作者 刘高鹏 李利娜 +7 位作者 王彬 单宁杰 董金涛 季梦夏 朱文帅 朱剑豪 夏杰祥 李华明 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第7期54-57,共4页
煤炭、石油和天然气等能源的不断增长消耗,不仅导致不可再生能源逐渐枯竭,还使大气中的CO_(2)浓度显著上升,引发严重的能源危机和气候问题。因此,我们必须开发清洁、可持续的能源转换技术,以应对不断增长的能源需求和日益严重的环境危... 煤炭、石油和天然气等能源的不断增长消耗,不仅导致不可再生能源逐渐枯竭,还使大气中的CO_(2)浓度显著上升,引发严重的能源危机和气候问题。因此,我们必须开发清洁、可持续的能源转换技术,以应对不断增长的能源需求和日益严重的环境危机。受到自然界光合作用的启发,光催化CO_(2)转化利用太阳能驱动,可以将CO_(2)和水转化为高附加值的化学品。经过多年的发展,人工光合作用已被认为是一种绿色、经济、可持续的方法,有望助力实现国家的碳中和发展目标。然而,现有的光催化剂存在着载流子分离效率低和活性位点不足的问题,从而导致CO_(2)光还原效率较低。为了应对这些科学问题,研究人员发现将金属纳米粒子负载到半导体材料上形成欧姆结,可以产生内建电场,有助于光生电子和空穴的分离。因此,本研究通过溶剂热法在BiOCl纳米片表面负载Bi纳米粒子,构建了Bi/BiOCl欧姆结光催化剂。通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)和透射电子显微镜(TEM)分析了光催化剂的成分和微观结构。利用紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)研究了催化剂的光吸收性能。通过瞬态光电流响应测试、电化学阻抗谱(EIS)和电子自旋共振谱(ESR)研究了光生电子和空穴的分离能力。由于Bi纳米粒子与BiOCl的功函数不同,二者形成的欧姆结具有优异的电荷转移特性,可以显著提高光生载流子的利用效率。此外,Bi纳米粒子还可以作为助催化剂,促进惰性CO_(2)分子的活化。光催化测试结果显示,经过300 W氙灯照射4 h后,具有最佳活性的复合材料(Bi/BiOCl-2)将CO_(2)还原为CO(34.31μmol·g^(-1))和CH_(4)(1.57μmol·g^(-1))的速率分别是BiOCl纳米片的2.55倍和4.76倍。同位素示踪实验证实,产物是CO_(2)和水分子经过光催化反应得到的。此外,根据原位傅里叶变换红外光谱(in situ FTIR)结果,发现在CO_(2)还原过程中形成了^(*)CHO、^(*)CH_(3)O、b-CO_(3)^(2-)、m-CO_(3)^(2-)、HCO_(3)^(-)、HCOOH、^(*)COOH和HCOO^(-)等中间体,并进一步提出了可能的光催化CO_(2)还原机制。经过25 h的CO_(2)光还,原反应后,CO和CH_(4)产量持续增加,同时结合XRD、XPS和TEM结果表明,制备的Bi/BiOCl-2材料具有良好的结构稳定性。这项研究为高效CO_(2)光还原催化剂的构建提供了有益的参考。 展开更多
关键词 BiOCl纳米片 Bi纳米粒子 CO_(2)光还原 欧姆结 电子传输
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基于两步退火法提升Al/n^+Ge欧姆接触及Ge n^+/p结二极管性能 被引量:1
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作者 王尘 许怡红 +2 位作者 李成 林海军 赵铭杰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第17期281-286,共6页
锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+G... 锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n+Ge的欧姆接触以及Ge n+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10-6Ω·cm2,Ge n+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×106,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升. 展开更多
关键词 低温预退火 激光退火 p-n结二极管 欧姆接触
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The influence of electronic transport across interface junction between Si substrate and the root of ZnO micro-prism on field emission performance
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作者 宣凯 颜晓红 +3 位作者 丁书龙 杨玉荣 肖杨 郭朝辉 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2006年第2期460-465,共6页
ZnO micro-prisms are prepared on the p-type and n-type Si substrates, separately. The Ⅰ-Ⅴ curves analysed by AFM show that the interface junctions between the ZnO micro-prisms and the p-type substrate and between th... ZnO micro-prisms are prepared on the p-type and n-type Si substrates, separately. The Ⅰ-Ⅴ curves analysed by AFM show that the interface junctions between the ZnO micro-prisms and the p-type substrate and between the ZnO micro-prisms and the n-type Si substrate exhibit p-n junction behaviour and ohmic contuct behuviour, respectively. The formation of the p-n heterojunction and ohmic contact is ascribed to the intrinsic n-type conduction of ZnO material. Better field emission performance (lower onset voltage and larger emission current) is observed from an individual ZnO micro-prism grown on the n-type Si substrate. It is suggested that the n-Si/n-ZnO interracial ohmic contact benefits the electron emission; while the p-Si/n-ZnO interface heterojunction deteriorates the electron emission. 展开更多
关键词 field emission interface junction p-n junction ohmic contact
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浅结欧姆接触研究
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作者 彭进 郑宜君 《微电子学》 CAS CSCD 1990年第1期12-14,共3页
本文研究Al(Al-Si)/n^+(p^+)多晶硅/n^+(p^+)Si结构和Al-Si/n^+(p^+)Si结构的比接触电阻和反向漏电。结果表明,浅结时,Al/n^+(p^+)多晶硅/n^+(p^+)
关键词 浅结 欧姆接触 半导体器件 装架
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关于LED单灯正向电压V_F不良的探讨 被引量:1
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作者 斯芳虎 《电子与封装》 2008年第1期12-15,共4页
文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间... 文章基于LED芯片和LED单灯的工作原理和制程工艺,探讨了LED芯片封装以后正向电压VF升高和降低的常见原因,并提出了改善措施。对于GaN基双电极芯片,由于芯片工艺制程或后续封装工艺因素,造成芯片表面镀层(ITO或Ni/Au)与P-GaN外延层之间的结合被破坏,欧姆接触电阻变大。对于GaAs基单电极芯片,由于封装材料和工艺因素,导致芯片背金(N-electrode)与银胶,或银胶与支架之间的接触电阻变大,从而LED正向电压VF升高。LED正向电压VF降低最常见的原因为芯片PN结被ESD或外界大电流损伤或软击穿,反向漏电过大,失去了二极管固有的I-V特性。 展开更多
关键词 正向电压 外延层 欧姆接触 电流扩展 金属有机化合物气相淀积 PN结
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