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磁控溅射氧化硅和氧化硅/氮化硅/氧化硅薄膜绝缘性能的研究
1
作者 陈玉云 王晓旭 +2 位作者 陈远明 沈奕 黄锐 《真空》 CAS 2024年第6期15-20,共6页
研究了磁控溅射氧化硅(SiO_(2))单层和氧化硅/氮化硅(Si_(3)N_(4))/氧化硅(ONO叠层)的绝缘性能,对多批次、尺寸为4.5 cm×3.5 cm的SiO_(2)单层和ONO叠层进行了绝缘电阻测试。结果表明:ONO叠层的全域绝缘样品比例高于SiO_(2)单层的... 研究了磁控溅射氧化硅(SiO_(2))单层和氧化硅/氮化硅(Si_(3)N_(4))/氧化硅(ONO叠层)的绝缘性能,对多批次、尺寸为4.5 cm×3.5 cm的SiO_(2)单层和ONO叠层进行了绝缘电阻测试。结果表明:ONO叠层的全域绝缘样品比例高于SiO_(2)单层的全域绝缘样品比例,且不同批次ONO叠层的绝缘性能更加稳定;相比于SiO_(2)单层,ONO叠层的桥氧伸缩振动信号(A峰)位置蓝移,氧空位缺陷相关信号(B峰)和非桥氧伸缩振动信号(C峰)相对于桥氧弯曲振动信号(D峰)较弱,说明ONO叠层的原子缺陷(氧空位、非桥氧等)较少,其原因为添加Si_(3)N_(4)夹层能够在化学上阻断SiO_(2)缺陷扩展;通过定量化A峰位置、D峰与B峰强度之比、D峰与C峰强度之比三个参数,获得了无损评估SiO_(2)单层和ONO叠层绝缘性能的指标。 展开更多
关键词 磁控溅射 氧化硅 ono叠层 绝缘性能 傅里叶红外光谱 无损探测
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非易失闪存中堆叠电容的精度控制研究与改善
2
作者 郎玉红 陆振杰 祁鹏 《上海师范大学学报（自然科学版）》 2020年第4期478-482,共5页
讨论了非易失闪存(NOR Flash)器件中ONO介质层厚度的精度控制.通过归一化不同密度器件分组,优化多层复杂薄膜的光学量测精度,优化氮化硅层的均匀性,实现了对ONO介质层厚度更精确的控制.结合光学厚度与电性厚度的相关性,可以及时得到ONO... 讨论了非易失闪存(NOR Flash)器件中ONO介质层厚度的精度控制.通过归一化不同密度器件分组,优化多层复杂薄膜的光学量测精度,优化氮化硅层的均匀性,实现了对ONO介质层厚度更精确的控制.结合光学厚度与电性厚度的相关性,可以及时得到ONO工艺的安全窗口. 展开更多
关键词 闪存 堆叠电容 ono介质层 读写速度 数据存储能力
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