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Wavelength-Tunable Rectangular Pulses Generated from All-Fiber Mode-Locked Laser Based on Semiconductor Saturable Absorber Mirror
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作者 王兆坤 邹峰 +2 位作者 王子薇 杜松涛 周军 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2016年第9期60-63,共4页
The wavelength-tunable rectangular mode-locking operation is demonstrated in an all-fiber laser based on semi- conductor saturable absorber mirror. As the dissipative soliton resonance signature, the pulse duration va... The wavelength-tunable rectangular mode-locking operation is demonstrated in an all-fiber laser based on semi- conductor saturable absorber mirror. As the dissipative soliton resonance signature, the pulse duration varies from 5SOps to 2.1 ns as a function o~ the increasing pump power. Correspondingly, the maximum pulse energy is 9.11 n3. Moreover, it is found that the wavelength tunable operation with a range of approximately 10 nm could be obtained by properly adjusting the polarization controllers. The characteristics of the rectangular pulses at different wavelengths are similar to each other. The demonstration of the wavelength tunable rectangular pulses would be beneficial to some applications for many fields such as spectroscopy and sensing research. 展开更多
关键词 DSR in of mode Wavelength-Tunable Rectangular Pulses Generated from All-Fiber Mode-Locked Laser Based on semiconductor Saturable Absorber Mirror from on
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贸泽开售ON Semiconductor面向低功耗物联网的Sigfox连接产品
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《电子测试》 2017年第10X期63-63,共1页
2017年10月17日,贸泽电子(Mouser Electronics)即日起提供ON Semiconductor的Sigfox连接解决方案。ON Semiconductor的Sigfox兼容产品系列提供多种软硬件开发工具,可用于简化新的物联网(IoT)应用设计。贸泽电子供应的ON Semiconductor S... 2017年10月17日,贸泽电子(Mouser Electronics)即日起提供ON Semiconductor的Sigfox连接解决方案。ON Semiconductor的Sigfox兼容产品系列提供多种软硬件开发工具,可用于简化新的物联网(IoT)应用设计。贸泽电子供应的ON Semiconductor Sigfox产品组合提供超低功耗连接设备和开发套件。 展开更多
关键词 物联网 on semiconductor Sigfox
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Design of ultrafast all-optical PolSK DMUX based on semiconductor optical amplifiers
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作者 Hassan Kaatuzian Hamed Ahmadi 《Chinese Optics Letters》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第9期80-84,共5页
A novel ultrahigh-speed all-optical demultiplexer (DMUX) with polarization-shift-keying (PolSK) modula- tion input signals is proposed. This design is based on four-wave mixing (FWM) in a semiconductor optical a... A novel ultrahigh-speed all-optical demultiplexer (DMUX) with polarization-shift-keying (PolSK) modula- tion input signals is proposed. This design is based on four-wave mixing (FWM) in a semiconductor optical amplifier (SOA). For analyzing each amplifier, we use finite-difference method (FDM) based on solution of the traveling wave coupled equations. Using numerical simulation, the all-optical DMUX is theoretically realized at 40 Gb/s. We also study the relation between optical confinement factor and thickness of active layer of the SOA section successfully, and investigate the increasing effect of confinement factor on the DMUX optical output power. With this work, the confinement factor is increased from 0.3 to 0.48, and as a result, the output power approximately twice of its initial value is achieved. Moreover, the effects of polarization dependence of SOA on the output performance of all-optical DMUX for PolSK signal are theoretically investigated in detail. 展开更多
关键词 Design of ultrafast all-optical PolSK DMUX based on semiconductor optical amplifiers DMUX SOA
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Solution-phase Synthesis of One-dimensional Semiconductor Nanostructures 被引量:1
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作者 Jianfeng YE Limin QI 《Journal of Materials Science & Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第4期529-540,共12页
The synthesis of one-dimensional (1D) semiconductor nanostructures has been studied intensively for a wide range of materials due to their unique structural and physical properties and promising potential for future... The synthesis of one-dimensional (1D) semiconductor nanostructures has been studied intensively for a wide range of materials due to their unique structural and physical properties and promising potential for future technological applications. Among various strategies for synthesizing 1D semiconductor nanostructures, solution-phase synthetic routes are advantageous in terms of cost, throughput, modulation of composition, and the potential for large-scale and environmentally benign production. This article gives a concise review on the recent developments in the solution-phase synthesis of ID semiconductor nanostructures of different compositions, sizes, shapes, and architectures. We first introduce several typical solution-phase synthetic routes based on controlled precipitation from homogeneous solutions, including hydrothermal/solvothermal process, solution-liquid-solid (SLS) process, high-temperature organic-solution process, and low-temperature aqueous-solution process. Subsequently, we discuss two solution-phase synthetic strategies involving solid tem- plates or substrates, such as the chemical transformation of 1D sacrificial templates and the oriented growth of 1D nanostructure arrays on solid substrates. Finally, prospects of the solution-phase approaches to 1D semiconductor nanostructures will be briefly discussed. 展开更多
关键词 Solution-phase synthesis onE-DIMENSIonAL NANOSTRUCTURES semiconductor
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One-dimensional dynamic equations of a piezoelectric semiconductor beam with a rectangular cross section and their application in static and dynamic characteristic analysis 被引量:2
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作者 Peng LI Feng JIN Jianxun MA 《Applied Mathematics and Mechanics(English Edition)》 SCIE EI CSCD 2018年第5期685-702,共18页
Within the framework of continuum mechanics, the double power series ex- pansion technique is proposed, and a series of reduced one-dimensional (1D) equations for a piezoelectric semiconductor beam are obtained. The... Within the framework of continuum mechanics, the double power series ex- pansion technique is proposed, and a series of reduced one-dimensional (1D) equations for a piezoelectric semiconductor beam are obtained. These derived equations are universal, in which extension, flexure, and shear deformations are all included, and can be degen- erated to a number of special cases, e.g., extensional motion, coupled extensional and flexural motion with shear deformations, and elementary flexural motion without shear deformations. As a typical application, the extensional motion of a ZnO beam is analyzed sequentially. It is revealed that semi-conduction has a great effect on the performance of the piezoelectric semiconductor beam, including static deformations and dynamic be- haviors. A larger initial carrier density will evidently lead to a lower resonant frequency and a smaller displacement response, which is a little similar to the dissipative effect. Both the derived approximate equations and the corresponding qualitative analysis are general and widely applicable, which can clearly interpret the inner physical mechanism of the semiconductor in the piezoelectrics and provide theoretical guidance for further experimental design. 展开更多
关键词 piezoelectric semiconductor beam reduced one-dimensional (1D) equation double power series expansion technique stress relaxation initial carrier density
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半导体激光联合一次性根管治疗在牙周牙髓联合病变患者中的应用效果
6
作者 刘丹丹 黄艳杰 王垒垒 《中国民康医学》 2025年第21期69-71,82,共4页
目的:观察半导体激光联合一次性根管治疗在牙周牙髓联合病变患者中的应用效果。方法:选取2022年1月至2024年1月该院收治的80例牙周牙髓联合病变患者进行前瞻性研究,根据随机数字表法将其分为对照组与观察组各40例。对照组采用一次性根... 目的:观察半导体激光联合一次性根管治疗在牙周牙髓联合病变患者中的应用效果。方法:选取2022年1月至2024年1月该院收治的80例牙周牙髓联合病变患者进行前瞻性研究,根据随机数字表法将其分为对照组与观察组各40例。对照组采用一次性根管治疗,观察组在对照组基础上联合半导体激光治疗。比较两组临床疗效,治疗前后牙周指标[菌斑指数(PLI)、牙龈指数(GI)、探诊深度(PD)]、炎性因子[白细胞介素-1β(IL-1β)、白细胞介素-6(IL-6)、超敏C反应蛋白(hs-CRP)]水平,以及并发症发生率。结果:观察组治疗总有效率为97.50%(39/40),高于对照组的80.00%(32/40),差异有统计学意义(P<0.05);治疗后,两组PLI、GI、PD等牙周指标水平均低于治疗前,且观察组低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);治疗后,两组IL-1β、IL-6、hs-CRP水平均低于治疗前,且观察组低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05);观察组并发症发生率低于对照组,差异有统计学意义(P<0.05)。结论:半导体激光联合一次性根管治疗应用于牙周牙髓联合病变患者可提高治疗总有效率,改善牙周指标水平,降低炎性因子水平和并发症发生率,效果优于单纯一次性根管治疗。 展开更多
关键词 牙周牙髓联合病变 半导体激光 一次性根管治疗 牙周指标 炎性因子 并发症
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无催化热蒸发ZnS粉末制备半导体ZnO纳米带 被引量:2
7
作者 武祥 隋解和 蔡伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期868-869,共2页
通过无催化物理热蒸发ZnS粉末的方法首次制备了互相平行交叉的纤锌矿ZnO纳米带,X射线衍射分析和扫描电镜检测显示所制得的ZnO纳米带沿着它们的长度是平滑而单一的纤锌矿结构。合成的纳米带长度数十微米,宽度几百纳米。同时对纳米带的生... 通过无催化物理热蒸发ZnS粉末的方法首次制备了互相平行交叉的纤锌矿ZnO纳米带,X射线衍射分析和扫描电镜检测显示所制得的ZnO纳米带沿着它们的长度是平滑而单一的纤锌矿结构。合成的纳米带长度数十微米,宽度几百纳米。同时对纳米带的生长机制作了详细讨论。 展开更多
关键词 准一维纳米结构 半导体 热蒸发 纳米带
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非离子表面活性剂辅助液相合成Cu_2O纳米线及其结构和性能研究 被引量:5
8
作者 王文忠 敖玲 +1 位作者 何光 李林 《中央民族大学学报(自然科学版)》 2007年第2期101-107,共7页
首次提出了一种利用非离子表面活性剂聚乙二醇(分子量:20 000)(PEG Mw20 000)为助生长剂,通过还原剂水合肼(N2H4)还原新生成的Cu(OH)2大规模合成半导体Cu2O纳米线的新方法.用TEM和HRTEM研究了所合成的Cu2O纳米线的形貌和结晶性,并用FT-I... 首次提出了一种利用非离子表面活性剂聚乙二醇(分子量:20 000)(PEG Mw20 000)为助生长剂,通过还原剂水合肼(N2H4)还原新生成的Cu(OH)2大规模合成半导体Cu2O纳米线的新方法.用TEM和HRTEM研究了所合成的Cu2O纳米线的形貌和结晶性,并用FT-IR红外吸收谱研究了纳米线的红外吸收特性,用纳米材料的量子效应和表面效应对FT-IR红外吸收谱中的蓝移现象作了解释.讨论了表面活性剂PEG的作用,由此详细研究了Cu2O纳米线的生长机制,指出Cu2O纳米线是由于吸附在PEG长链上的Cu2O纳米粒子通过彼此间的相互连接沿着PEG长链自组装而形成的. 展开更多
关键词 一维纳米结构 半导体 液相合成 量子效应
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科研成果转化为创新性实验探索与实践 被引量:6
9
作者 刘玉玉 解令海 《实验室科学》 2017年第1期18-20,共3页
创新性实验项目对于激发学生的创新思维,掌握思考和解决问题的方法,提高其创新实践能力具有重要的意义。将学院教师的"一锅法制备螺环氧杂蒽有机半导体材料"科研成果转化为创新性实验项目,应用到本科实践教学中。通过该实验... 创新性实验项目对于激发学生的创新思维,掌握思考和解决问题的方法,提高其创新实践能力具有重要的意义。将学院教师的"一锅法制备螺环氧杂蒽有机半导体材料"科研成果转化为创新性实验项目,应用到本科实践教学中。通过该实验项目让本科生了解最新的科研动态,一方面弥补了日常实验教学中设计型实验的不足,另一方面让本科生体会到科学研究的基本思路和方法,为科研成果向创新性实验教学转化提供了相关的经验。 展开更多
关键词 一锅法 有机半导体 材料 创新性实验
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爆炸箔起爆器用高压开关研究进展 被引量:12
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作者 曾庆轩 李守殿 +1 位作者 袁士伟 吕军军 《安全与环境学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期202-205,共4页
爆炸箔起爆器由高压开关、桥箔、电容器和负载等部件组成,高压开关是控制其可靠工作的关键元器件。为研究体积更小,成本更低,易于集成的高压开关,综述了国内外爆炸箔起爆器用高压开关发展概况。简述了气体开关、真空开关、半导体开关、... 爆炸箔起爆器由高压开关、桥箔、电容器和负载等部件组成,高压开关是控制其可靠工作的关键元器件。为研究体积更小,成本更低,易于集成的高压开关,综述了国内外爆炸箔起爆器用高压开关发展概况。简述了气体开关、真空开关、半导体开关、平面开关及最新研制的单触发开关的工作原理,并在平面开关中介绍了其与桥箔组合的集成平面开关装置及这种装置的优点。最后对这5种高压开关的主要性能进行对比分析.得出结论:平面开关和单触发开关将成为现阶段我国爆炸箔起爆器用高压开关的研究趋势,集成平而开关装置将是爆炸箔起爆装置的发展方向。 展开更多
关键词 爆炸力学 气体开关 真空开关 半导体开关 平面开关 单触发开关 集成平面开关装置
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半导体纳米材料Zn(en)_3Se,ZnSe及其光学性能研究 被引量:1
11
作者 李国强 陈日耀 +1 位作者 郑曦 陈震 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1324-1327,共4页
以有机溶剂热技术制备片状Zn(en)3Se(en为乙二胺)纳米材料,DTGI、R、XRD分析结果表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键相结合;以制得的纳米Zn(en)3Se为母体,在氮气氛中煅烧至980℃,热分解制得棒状纳米ZnSe;以TEM、ED初步研究... 以有机溶剂热技术制备片状Zn(en)3Se(en为乙二胺)纳米材料,DTGI、R、XRD分析结果表明该化合物中乙二胺与中心离子Zn2+通过配位键相结合;以制得的纳米Zn(en)3Se为母体,在氮气氛中煅烧至980℃,热分解制得棒状纳米ZnSe;以TEM、ED初步研究了两者的形貌、结构;以提拉法分别将Zn(en)3Se、ZnSe纳米材料涂布在ITO导电玻璃上,制得纳米颗粒/ITO复合膜,并研究其光学特性。结果表明,Zn(en)3Se属立方晶系,呈片状结构;ZnSe属六方纤锌矿型,棒直径在40nm左右;可能的生长机理是乙二胺作为模板分子,首先嵌入到ZnSe无机结构框架中,接着受热分解逃逸出无机框架形成一维纳米棒。PL分析表明Zn(en)3Se的荧光红移至448nm处。 展开更多
关键词 一维纳米材料 溶剂热法 金属硫族化合物 半导体 光致发光
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苝二酰亚胺衍生物的合成、一维分子自组装及其应用研究进展 被引量:3
12
作者 陈帅 张文娜 王传义 《江西科技师范大学学报》 2016年第6期1-19,共19页
本文综述了一类环境稳定的n型有机半导体,苝二酰亚胺及其衍生物(PDIs),的研究进展,涵盖了它们分子的合成和一维自组装,重点介绍了PDIs一维纳米纤维材料的构建及其应用研究进展。
关键词 苝二酰亚胺 有机半导体 分子自组装 一维纳米结构 光电应用
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新型半导体隔离式高功率因数开关电源
13
作者 陶骞 刘开培 王禹民 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2007年第2期93-96,共4页
提出一种以半导体开关作为隔离元件、电容器作为功率传输元件的高功率因数开关电源新型拓扑结构,通过控制半导体开关,使电容器交替充放电对负载供电,从而实现物理意义上的隔离。通过对电容器充电回路开关管进行控制,实现交流输入端的高... 提出一种以半导体开关作为隔离元件、电容器作为功率传输元件的高功率因数开关电源新型拓扑结构,通过控制半导体开关,使电容器交替充放电对负载供电,从而实现物理意义上的隔离。通过对电容器充电回路开关管进行控制,实现交流输入端的高功率因数。与传统的乘法器boostPFC控制电路不同,该装置采用单周期控制,不需要同时检测输出电压和输入电流及电压,无需乘法器。试验研究表明装置稳定可靠,有效地实现了负载与供电网侧的电气隔离。 展开更多
关键词 半导体隔离 单周控制 功率因数校正
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一锅煮法制备硫化镉和碲化镉纳米晶及其性能表征
14
作者 陈书堂 张小玲 +1 位作者 侯晓淼 周琦 《纳米科技》 2009年第6期47-50,55,共5页
以三辛基膦为配位溶剂,采用一锅煮的方法制备出分散性较好的硫化镉和碲化镉纳米晶,通过改变反应温度和硫前驱体可制备出不同形貌和结构的硫化镉纳米晶。用此方法也可制备出碲化镉网状纳米晶。测试结果表明,这两种纳米晶都具有较好的晶型。
关键词 半导体 纳米结构 一锅合成 光致发光
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半导体PN结器件一维稳态模拟
15
作者 余稳 蔡新华 +1 位作者 黄文华 刘国治 《衡阳师范学院学报》 1999年第6期34-39,共6页
从研究半导体PN结器件烧毁物理机理出发,建立了一种高效通用的半导体PN结器件计算机分析模型,并编制了一维德态程序,瞬态程序及二维模型研究将随后开展。
关键词 计算机模拟 一维稳态 半导体PN结器件 烧毁 微波
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使用光纤白光干涉仪测一维形变实验 被引量:2
16
作者 李叶芳 柳华 《物理实验》 2007年第3期7-9,共3页
光纤白光干涉仪是使用波长为1310 nm的半导体发光二极管的相位调制型光纤传感器,可用于压力、温度和应变的测量.本文介绍了光纤白光干涉仪的工作原理,设计了一维形变实验.
关键词 光纤白光干涉仪 一维形变 零级干涉条纹 半导体发光二极管
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一维金属/半导体异质结纳米材料的制备及性能研究 被引量:6
17
作者 冯秀梅 胡建强 +2 位作者 谢静思 刘玉英 马玉洁 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第4期755-764,共10页
一维金属/半导体异质结纳米材料因其新颖的结构、独特的光电特性和在纳电子领域应用的巨大优势和潜力而受到广泛的关注和重视。本文基于国内外最新研究进展及本课题组的研究工作,系统综述了近年来逐步建立起来的一维金属/半导体异质结... 一维金属/半导体异质结纳米材料因其新颖的结构、独特的光电特性和在纳电子领域应用的巨大优势和潜力而受到广泛的关注和重视。本文基于国内外最新研究进展及本课题组的研究工作,系统综述了近年来逐步建立起来的一维金属/半导体异质结纳米材料的制备方法及其性能研究。着重介绍了化学气相沉积法、热蒸发沉积法、模板法、自组装法和液相法等几种比较重要的制备方法,并分析了它们的优缺点;详细分析了此类纳米材料库仑阻塞效应、肖特基二极管现象、欧姆接触特性、电致发光特性等性能的特点。文章最后指出液相法能有效获得高质量和技术可用的一维金属/半导体异质结纳米材料,使用该法进行制备和性能研究将成为此类纳米材料的未来发展方向。 展开更多
关键词 金属/半导体 异质结 一维纳米材料 制备 性能
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静电纺丝一维纳米材料在气敏传感器的应用 被引量:11
18
作者 朱蕾 王嘉楠 +2 位作者 刘建伟 王玲 延卫 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第2期344-360,共17页
采用静电纺丝法制备的一维纳米材料具有比表面积大、孔隙率高以及优越的电化学性能等优势,可以显著改善气敏传感器的灵敏度,成为气敏传感器领域应用最广的材料之一。本文介绍了气敏传感器分类、静电纺丝技术原理和半导体气敏传感器的传... 采用静电纺丝法制备的一维纳米材料具有比表面积大、孔隙率高以及优越的电化学性能等优势,可以显著改善气敏传感器的灵敏度,成为气敏传感器领域应用最广的材料之一。本文介绍了气敏传感器分类、静电纺丝技术原理和半导体气敏传感器的传感机理,详细综述了静电纺丝法制备不同传感材料,包括半导体金属氧化物、金属修饰金属氧化物、聚合物-金属氧化物和石墨烯-金属氧化物复合材料等在气敏传感器的研究现状,并对未来气敏传感器的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 静电纺丝技术 气敏传感器 传感机理 一维纳米材料 半导体金属氧化物
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结合光注入半导体激光器与光电环路产生频率大范围可调、窄线宽微波信号 被引量:6
19
作者 庞海越 林晓东 +2 位作者 吴正茂 邓涛 夏光琼 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期126-132,共7页
结合光注入半导体激光器的单周期动力学态与光电环路,提出了一种可获得频率大范围可调、窄线宽的光子微波信号的方案并进行了实验研究.结果表明,光注入半导体激光器在一定条件下能够实现单周期振荡,且光子微波信号的频率在8~67GHz范围... 结合光注入半导体激光器的单周期动力学态与光电环路,提出了一种可获得频率大范围可调、窄线宽的光子微波信号的方案并进行了实验研究.结果表明,光注入半导体激光器在一定条件下能够实现单周期振荡,且光子微波信号的频率在8~67GHz范围内连续可调;在合适的注入参数下,获得了频率为24.3GHz且光谱具有单边带结构的光子微波信号;通过引入光电环路结构,能够有效地将该光子微波的线宽由8.6 MHz压缩至30kHz,并获得了40dB以上的信噪比. 展开更多
关键词 非线性光学 微波光子学 光注入 半导体激光器 单周期振荡 光子微波 光电环路 窄线宽 可调谐
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脉冲激光辐照GaAs材料热效应研究 被引量:2
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作者 周海娇 孙文军 刘中洋 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第11期21-25,共5页
为了研究脉冲激光辐照GaAs材料的热效应,采用软件COMSOL Multiphysics构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的温升物理模型,分析了1 064nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材料GaAs的热效应.通过求解热传导方程计算了不同功率密度激光辐照GaAs材... 为了研究脉冲激光辐照GaAs材料的热效应,采用软件COMSOL Multiphysics构建了高斯脉冲激光辐照半导体材料的温升物理模型,分析了1 064nm纳秒级脉冲激光辐照半导体材料GaAs的热效应.通过求解热传导方程计算了不同功率密度激光辐照GaAs材料的径向与纵向温度场分布,讨论了单光子吸收、双光子吸收及自由载流子吸收对辐照材料的温升贡献.计算结果表明:当激光功率密度升至1010 W/cm2,自由载流子对材料的温升贡献已超过单光子吸收对材料温升的贡献而占主导位置;当激光功率密度降至108 W/cm2以下时,两种非线性吸收对材料温升的贡献可以忽略.该结果与相关实验基本相符,表明了构建的物理模型具有科学性. 展开更多
关键词 脉冲激光辐照 温度场 损伤阈值 半导体材料 单光子吸收 双光子吸收 自由载流子吸收
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