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OMVPE硒化锌薄膜的生长与激光特性 被引量：1
1
作者 杨宝均 田华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期239-248,共10页
本文叙述了在GaAs衬底上用有机金属气相外延(OMVPE)法生长单晶ZnSe薄膜的方法。研究了生长温度,硒锌比对外延膜光电性能的影响。发现生长温度在285℃可以得到表面光亮、结晶性好、低阻、高迁移率、深中心浓度低的外延层。以光泵浦作激... 本文叙述了在GaAs衬底上用有机金属气相外延(OMVPE)法生长单晶ZnSe薄膜的方法。研究了生长温度,硒锌比对外延膜光电性能的影响。发现生长温度在285℃可以得到表面光亮、结晶性好、低阻、高迁移率、深中心浓度低的外延层。以光泵浦作激发研究了OMVPE ZnSe薄膜的受激发射性质并测量其光学增益。利用ZnSe/GaAs的自然解理面形成的光反馈腔制成了激光器。该激光器的工作温度可以延续到150K。 展开更多
关键词 硒化锌 薄膜 生长 激光 omvpe
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光助OMVPE法生长ZnSe的发光和电学特性
2
作者 师庆华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第1期41-43,共3页
用光致发光和 Hall 效应测量确定了用光助(氙灯)OMVPE 法在 GaAs 上生长 ZnSe外延层的特性,在照射条件下生长的非故意掺杂外延层具有 n 型导电性,电子浓度为10^(16)-10^(17)cm^(-3)。造成这种现象的原因是波长为400<λ<800nm 的... 用光致发光和 Hall 效应测量确定了用光助(氙灯)OMVPE 法在 GaAs 上生长 ZnSe外延层的特性,在照射条件下生长的非故意掺杂外延层具有 n 型导电性,电子浓度为10^(16)-10^(17)cm^(-3)。造成这种现象的原因是波长为400<λ<800nm 的辐照使外延层与残留的或故意掺入的施主杂质的结合得到了很大的增强,尽管这种辐照对生长速率的增快并无很大影响。为了获得纯度更高的外延层,λ<400nm 的辐射是最理想的.然而,如果在外延生长过程中采用更纯的源材料,就可以利用400<λ<800nm 辐射来避免残余杂质的引入,而且可将这种现象应用于更理想的掺杂技术。 展开更多
关键词 ZNSE omvpe 外延层 外延生长过程 光致发光 源材料 掺杂技术 施主杂质 照射条件 激子发射
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OMVPE生长高质量Al_xGa_(1-x)As
3
作者 周华 《液晶与显示》 CAS CSCD 1991年第3期33-34,共2页
人们所关心的是 OMVPE 的源化学制剂替代物。最常用的铝源是三甲基铝(TMAl),三甲基铝的缺点是有很强的Al—C 键,结果造成明显的碳掺入。三乙基铝是一种替代物,它的碳掺入非常低。但三基铝(TEAl),的缺点是蒸汽压低(55℃时为 0.5乇),因而... 人们所关心的是 OMVPE 的源化学制剂替代物。最常用的铝源是三甲基铝(TMAl),三甲基铝的缺点是有很强的Al—C 键,结果造成明显的碳掺入。三乙基铝是一种替代物,它的碳掺入非常低。但三基铝(TEAl),的缺点是蒸汽压低(55℃时为 0.5乇),因而限制了生长速率。 展开更多
关键词 三甲基铝 Al_xGa omvpe x)As 铝源 三乙基铝 束缚激子 三基 化学制剂 生长速率
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用新型的有机金属源材料以OMVPE技术制备氮掺杂ZnSe
4
《发光快报》 CSCD 1994年第4期28-31,共4页
关键词 硒化锌 氮掺杂 制备 omvpe技术
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用于激射波长可控的CaAs／AlGaAs量子阱激光二极管的大面积均匀OMVPE生长
5
作者 李学颜 《半导体情报》 1994年第5期17-22,31,共7页
在垂直旋转圆形ＯＭＶＰＥ外延炉里压力减小到０．２ａｔｍ下生长的ＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ的特性非常均匀。衬底旋转５００ｒ／ｍｉｎ，厚外延层均匀性是±１％。而３～１０ｎｍ厚的量子阱，其厚度的均匀性是±２％。铝组分的... 在垂直旋转圆形ＯＭＶＰＥ外延炉里压力减小到０．２ａｔｍ下生长的ＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ的特性非常均匀。衬底旋转５００ｒ／ｍｉｎ，厚外延层均匀性是±１％。而３～１０ｎｍ厚的量子阱，其厚度的均匀性是±２％。铝组分的变化系数是１．８×１０－３或者更小。对于含有单量子阱有源层的宽面积ＧＲＩＮ－ＳＣＨ二极管激光器，其阈值电流密度和微分量子效率非常均匀。激光器的激射波长可以通过调整有源层厚度和组分精确控制。１７５个器件分布在１６ｃｍ２的片子上，片子包含一个１０ｎｍ厚的Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ａｓ有源层，激射波长，总的变化为３．０ｎｍ。从９个其它外延片上取出的所有供试验的管子，其波长范围是从８０３．５到８０７．４ｎｍ。 展开更多
关键词 量子阱 激光二极管 激射波长 omvpe生长 砷化镓
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