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超薄Si_3N_4/SiO_2(N/O)stack栅介质及器件
1
作者 林钢 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期115-119,共5页
成功制备了EOT(equivalentoxidethickness)为 2 1nm的Si3 N4/SiO2 (N/O)stack栅介质 ,并对其性质进行了研究 .结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都... 成功制备了EOT(equivalentoxidethickness)为 2 1nm的Si3 N4/SiO2 (N/O)stack栅介质 ,并对其性质进行了研究 .结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者 .在此基础上 ,采用Si3 N4/SiO2 stack栅介质制备出性能优良的栅长为 0 12 μm的CMOS器件 ,器件很好地抑制了短沟道效应 .在Vds=Vgs=± 1 5V下 ,nMOSFET和pMOSFET对应的饱和电流Ion分别为5 84 3μA/ μm和 - 2 81 3μA/ μm ,对应Ioff分别是 8 3nA/ μm和 - 1 3nA/ μm . 展开更多
关键词 超薄Si3N4/Sio2(N/o)stack栅介质 栅隧穿漏电流 SILC特性 栅介质寿命 CMoS器件
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基于Robot Studio的分类码垛仿真设计 被引量:1
2
作者 钟有文 李雪梅 《机械工程与自动化》 2024年第5期81-82,共2页
针对工业机器人轨迹规划和自动化生产协调难度大的问题,提出一种基于Robot Studio的分类码垛仿真设计方案。使用Robot Studio软件,创建工业机器人仿真工作站。通过Smart组件的设计、I/O信号的设定、工作站逻辑的建立和程序编写等工作,... 针对工业机器人轨迹规划和自动化生产协调难度大的问题,提出一种基于Robot Studio的分类码垛仿真设计方案。使用Robot Studio软件,创建工业机器人仿真工作站。通过Smart组件的设计、I/O信号的设定、工作站逻辑的建立和程序编写等工作,最终实现工业机器人智能分类码垛操作。经过模拟仿真,结果表明:分类码垛的速度和准确率均可达到预期要求。说明该分类码垛设计方案可行,可以为实际码垛工作站的搭建和生产提供一定的现实指导。 展开更多
关键词 分类码垛 Robot Studio Smart组件 I/o信号 逻辑关系
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面向SCSI子系统的用户空间存储架构设计
3
作者 郝栋栋 高聪明 舒继武 《计算机研究与发展》 北大核心 2025年第3期633-647,共15页
近年来存储行业经历了巨大的变革,以固态硬盘(solid state drive, SSD)为代表的半导体存储设备迅猛发展,在性能上显著超越了通过磁头移动寻址的机械硬盘(hard disk drive, HDD).目前支持SSD的2种协议主要包括非易失性内存主机控制器接... 近年来存储行业经历了巨大的变革,以固态硬盘(solid state drive, SSD)为代表的半导体存储设备迅猛发展,在性能上显著超越了通过磁头移动寻址的机械硬盘(hard disk drive, HDD).目前支持SSD的2种协议主要包括非易失性内存主机控制器接口规范(nonvolatile memory express, NVMe)协议与串行SCSI(serial attached small computer system interface, SAS)协议,即SAS. NVMe是专为SSD设计的高性能存储协议,能够很大限度地发挥SSD的性能;而SAS协议则充分考虑数据中心的需求,在提供高可靠性与高可扩展性的同时,兼顾了系统性能与成本的平衡.相对于日益增速的存储介质,针对慢速存储设备所设计的软件栈在一次I/O过程中所耗费的时间开销愈发显著.针对该问题学界及工业界都相继提出了众多解决方案,例如Intel提出的高性能存储开发包(storage performance development kit, SPDK)通过将设备驱动实现在用户空间,并采用轮询感知I/O完成等方式大幅度缩短了NVMe SSD对应用程序的响应时间,极大地提升了整个系统的整体性能.然而之前的研究工作针对SAS SSD存储软件栈的优化非常有限,为此在用户空间实现了针对SAS SSD的软件栈优化.实验结果表明,该优化能够有效缩短存储设备对应用程序的响应时间,提高应用对存储设备的访存效率.此外,为了准确评估I/O栈中存储设备的时间开销,硬件性能测试工具HwPerfIO被提出,能够消除大部分软件开销的影响以测得更加准确的存储设备性能. 展开更多
关键词 固态硬盘 HwPerfIo SAS协议 I/o 用户空间驱动
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之字链聚合物[Zn(o-bda)(phen)(H_2O)]_n·nH_2O的结构(英文) 被引量:1
4
作者 杨燕 曾明华 +3 位作者 蒙法艳 邓前军 梁宏 张淑华 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第1期137-140,共4页
[Zn(o-bda)(phen)(H2O)]·H2O (C22H20N2O6Zn) (1) [where o-bda is o-phenylenediacetic acid dianion and phen is 1,10-phenanthroline] crystallizes in triclinic system, space group P1 with a=0.826 5(4) nm, b=1.042 4(5) ... [Zn(o-bda)(phen)(H2O)]·H2O (C22H20N2O6Zn) (1) [where o-bda is o-phenylenediacetic acid dianion and phen is 1,10-phenanthroline] crystallizes in triclinic system, space group P1 with a=0.826 5(4) nm, b=1.042 4(5) nm, c=1.238 1(6) nm, α=76.987(9)°, β=70.987(9)°, γ=78.281(8)°, V=0.9728(8) nm3, Z=2, Dc=1.617 g·cm-3, μ=1.308 mm-1 and F(000)=488. Zn(Ⅱ)ion has a distorted trigonal bipyramid coordination geometry formed by two carboxyl O atoms from two different o-bda groups, two N atoms from the phen ligand and one terminal water molecule. Adjacent Zn(Ⅱ) ions are interlinked by o-bda groups into a infinite zigzag chain structure with a Zn...Zn distance of 0.825 6(4) nm. The adjacent zigzag chains may also be paired under direction of supramolecular recognition and attraction through both π-π stacking and hydrogen bonding interactions into molecular zippers, which further interlinked into a three-dimensional supramolecular network by these noncovalent interactions. CCDC: 600935. 展开更多
关键词 配位聚合物 邻苯二乙酸 Π-Π堆积 氢健
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晶体结构中罕见的O-H…π堆积作用 被引量:9
5
作者 田光辉 刘存芳 +1 位作者 赖普辉 史娟 《陕西理工学院学报(自然科学版)》 2008年第1期73-76,89,共5页
Hinokiol是一种在植物中含量较少的二萜类化合物,对一些细菌有非常好的杀灭作用。Hinokiol从糙苏(Phlomis umbrosa Turcz)中首次分离出来,利用红外图谱和核磁图谱确定了其结构,并利用单晶X-衍射技术对其晶体结构和构象进行了分析,发现Hi... Hinokiol是一种在植物中含量较少的二萜类化合物,对一些细菌有非常好的杀灭作用。Hinokiol从糙苏(Phlomis umbrosa Turcz)中首次分离出来,利用红外图谱和核磁图谱确定了其结构,并利用单晶X-衍射技术对其晶体结构和构象进行了分析,发现Hinokiol晶体结构中除存在氢键外还存在一种罕见的O-H…π堆积作用,这里对O-H…π堆积作用的特征进行了简单地描述。 展开更多
关键词 糙苏 Hinokiol 单晶X-衍射 o-H…π堆积作用
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适配器驱动层并行I/O调度性能分析
6
作者 吴涛 张江陵 冯丹 《华中科技大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期10-12,15,共4页
对适配器驱动技术进行了研究 ,提出了一种可扩展的并行I/O方法 .这种方法将多DMA通道和I/O接口集成到适配器中 ,可实现I/O命令的多通道并行处理 ,从而以较低代价实现外围设备I/O性能扩展 .建立并行I/O的SPN模型 ,对这种结构下各I/O环节... 对适配器驱动技术进行了研究 ,提出了一种可扩展的并行I/O方法 .这种方法将多DMA通道和I/O接口集成到适配器中 ,可实现I/O命令的多通道并行处理 ,从而以较低代价实现外围设备I/O性能扩展 .建立并行I/O的SPN模型 ,对这种结构下各I/O环节对设备栈I/O性能的影响进行了分析 ,重点研究I/O请求量与系统IRP流量和I/O通道利用率的关系 ,并结合测试数据对分析结论给予了证明 . 展开更多
关键词 并行I/o SPN模型 适配器驱动层 设备驱动程序栈 IRP流量 DMA通道 调度性能
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PCIe SSD I/O栈设计与原型系统研究 被引量:2
7
作者 润冬 刘芳 +2 位作者 肖侬 陈祥 欧洋 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2015年第S2期124-130,共7页
近些年来,为了满足各种应用日益增长的I/O性能要求,存储子系统经历了巨大的变革.基于PCIe接口的SSD(solid state drive)凭借其高带宽,低延迟的特点逐渐成为主流的存储设备.包括I/O栈设计在内的针对PCIe SSD的研究,将成为存储领域的研究... 近些年来,为了满足各种应用日益增长的I/O性能要求,存储子系统经历了巨大的变革.基于PCIe接口的SSD(solid state drive)凭借其高带宽,低延迟的特点逐渐成为主流的存储设备.包括I/O栈设计在内的针对PCIe SSD的研究,将成为存储领域的研究热点.目前涉及到PCIe SSD具体实现细节的文献相对缺乏,不利于相关研究的开展.归纳了PCIe SSD设计中需要考虑的问题与相关研究,并介绍了一个实际的PCIe SSD原型系统的实现方案.同时,对原型系统中的I/O栈驱动层的设计和优化技术也进行了分析,包括DMA(direct memory access)优化技术和多队列多中断技术.最后,对原型系统进行测试,并与商用PCIe SSD测试结果对比,表明原型系统具有更高的性能,有助于PCIe SSD的相关研究. 展开更多
关键词 PCIe固态硬盘 闪存 I/o LINUX驱动 原型系统
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LiMn_(1-x)Ni_xO_2的合成及表征
8
作者 郎丰饶 《科技通报》 北大核心 2013年第2期37-38,41,共3页
正交LiMnO2以其独有的特性,作为正极材料有着优良的表现,本文针对其缺点进行掺杂改性研究,使用凝胶溶胶法制备正极材料,研究了不同比例掺杂镍元素对其作为正极材料性能的影响,采用XRD,SEM,充放电测试等手段对该材料的结构和电化学性能... 正交LiMnO2以其独有的特性,作为正极材料有着优良的表现,本文针对其缺点进行掺杂改性研究,使用凝胶溶胶法制备正极材料,研究了不同比例掺杂镍元素对其作为正极材料性能的影响,采用XRD,SEM,充放电测试等手段对该材料的结构和电化学性能进行了表征。 展开更多
关键词 正极材料 堆垛层错 o-LiMno2
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新型非易失存储I/O栈综述 被引量:2
9
作者 陈祥 肖侬 刘芳 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2014年第S1期18-24,共7页
随着新型非易失存储介质的出现,软件I/O栈的开销已经成为存储系统的性能瓶颈.首先详述了基于磁盘的传统I/O栈的各个软件层次和请求经过I/O栈的一般流程.在分析了传统I/O栈在闪存(flash)、相变存储器(phase change memory,PCM)等新型非... 随着新型非易失存储介质的出现,软件I/O栈的开销已经成为存储系统的性能瓶颈.首先详述了基于磁盘的传统I/O栈的各个软件层次和请求经过I/O栈的一般流程.在分析了传统I/O栈在闪存(flash)、相变存储器(phase change memory,PCM)等新型非易失存储介质构成的存储系统中存在的问题后,对专门为PCIe固态硬盘(solid state drive,SSD)设计的高性能主机控制器接口——NVMe接口及基于该接口的I/O栈、请求流程进行了详细介绍.最后,针对相变存储器、阻变存储器(resistive randomaccess memory,RRAM)和自旋转移矩磁阻随机存储器(spin-transfer torque magnetic random access memory,STT-MRAM)等下一代存储介质,对I/O栈在中断使用、文件系统权限检查等方面带来的性能问题进行了详细分析,指出未来I/O栈设计要考虑的问题. 展开更多
关键词 外存储器 I/o 新型非易失存储 PCIe固态硬盘 NVMe
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恒压应力下超薄Si_3N_4/SiO_2叠层栅介质与SiO_2栅介质寿命比较
10
作者 林钢 徐秋霞 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1717-1721,共5页
以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结... 以等效氧化层厚度 (EOT)同为 2 .1nm的纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质为例 ,给出了恒定电压应力下超薄栅介质寿命预测的一般方法 ,并在此基础上比较了纯 Si O2 栅介质和 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质在恒压应力下的寿命 .结果表明 ,Si3N4 / Si O2 叠层栅介质比同样 EOT的纯 Si O2 栅介质有更长的寿命 ,这说明 Si3N4 / Si O2 叠层栅介质有更高的可靠性 . 展开更多
关键词 恒压应力 超薄Si3N4/Sio2 叠层栅介质 超薄Sio2栅介质 栅介质寿命预测
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基于NDIS和层次I/O的组合网关实现技术剖析
11
作者 赵险峰 汪为农 《小型微型计算机系统》 CSCD 北大核心 2001年第3期300-304,共5页
介绍了 NDIS、层次 I/ O及其在 Windows网络协议栈实现中的地位和作用 ,剖析了采用核心态 NDIS协议驱动程序和伪设备驱动程序 ,在多个协议栈层次上进行不同处理的组合网关实现技术 ,给出了使用这项技术的基本方法 。
关键词 组合网关 NDIS 层次I/o 协议栈
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衬底触发层叠式NMOS实现混合I/O静电保护机制研究
12
作者 吴笛 李树荣 +1 位作者 姚素英 徐江涛 《传感技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期436-439,453,共5页
衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别。将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件,理论分析结果表明衬底触发技术可以提高混合电压I/O电路中层叠式NMOS器件的ESD稳健性,基于0.35μmCMOS工艺的... 衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别。将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件,理论分析结果表明衬底触发技术可以提高混合电压I/O电路中层叠式NMOS器件的ESD稳健性,基于0.35μmCMOS工艺的模拟结果表明应用带有衬底触发技术的层叠式NMOS器件的HBM模型ESD级别提高约60%,这就验证了衬底触发设计对提高混合电压I/O电路的ESD级是有效的。 展开更多
关键词 衬底触发 层叠式NMoS 混合电压I/o 静电保护
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配合物[Cu(phen)_2Cl]·ClO_4·H_2O的合成和晶体结构
13
作者 常岭 张武 +2 位作者 崔青霞 孙鹏 于兆文 《化学研究》 CAS 2008年第3期20-23,共4页
合成了新配合物[Cu(phen)2Cl].ClO4.H2O(phen=o-phenanthroline),并用IR和X射线单晶衍射法对其结构进行了表征.晶体结构解析表明,标题配合物属单斜晶系,空间群为P2(1)/n,晶胞参数a=1.18086(8)nm,b=1.52855(10)nm,c=1.29572(9)nm,α=90&#... 合成了新配合物[Cu(phen)2Cl].ClO4.H2O(phen=o-phenanthroline),并用IR和X射线单晶衍射法对其结构进行了表征.晶体结构解析表明,标题配合物属单斜晶系,空间群为P2(1)/n,晶胞参数a=1.18086(8)nm,b=1.52855(10)nm,c=1.29572(9)nm,α=90°,β=93.1770(10)°,γ=90.000°,V=2.3352(3)nm3,Z=4,Dc=1.641Mg/m3,Mr=576.86,μ=1.210mm-1,F(000)=1172,偏差因子R1=0.0481,wR2=0.1424.在配合物[Cu(phen)2Cl]·ClO4.H2O中,Cu(Ⅱ)离子处于四个N原子和一个Cl-离子构成的三角双锥几何构型中.分子间利用氢键作用,π-π堆积作用形成二维层状结构.层与层间通过弱氢键作用形成三维空间结构. 展开更多
关键词 铜(Ⅱ)配合物 晶体结构 邻菲咯啉 氢键作用 Π-Π堆积作用
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远程智能I/O系统在码垛区的应用
14
作者 李晓光 马净 +1 位作者 夏骏 王建强 《国外电子测量技术》 2004年第z1期26-28,共3页
本文简述了远程智能I/O系统 (S4 0 0系统 )技术和特点及通讯协议、参数设定 ,并介绍了S4 0 0系统在轧钢生产中的应用 ,用一根通讯电缆代替所有I/O电缆 ,I/O模板放置于CP4 ,与控制器通讯 ,完善了控制功能 。
关键词 远程I/o 总线 码垛机
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远程智能I/O系统在码垛区的应用
15
作者 李晓光 马净 +1 位作者 夏骏 王建强 《仪器仪表标准化与计量》 2003年第4期32-34,共3页
本文简述了远程智能I/O系统(S400系统)技术和特点,及通讯协议、参数设定。并介绍了S400系统在轧钢生产中的应用,即用一根通讯电缆代替所有I/O电缆,I/O模板放置于CP4,与控制器通讯,完善了控制功能,满足了生产的要求。
关键词 S400系统 轧钢 远程智能I/o系统 总线 码垛机 通讯协议 参数设定
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I/O系统-Ⅱ相关叠加器对噪声的控制过程及其应用
16
作者 丁戊群 《石油仪器》 1996年第5期19-22,40,共5页
相关叠加器(CSM)对各种噪声的抑制起着极其重要的作用,有效的噪声剪辑和衰减方法,对野外采集提供高质量的地震数据是非常必要的。I/O系统Ⅱ相关叠加盟(CSW提供了先进的噪声控制方法,它不仅有效地消除突发噪声和连续噪声,而且运... 相关叠加器(CSM)对各种噪声的抑制起着极其重要的作用,有效的噪声剪辑和衰减方法,对野外采集提供高质量的地震数据是非常必要的。I/O系统Ⅱ相关叠加盟(CSW提供了先进的噪声控制方法,它不仅有效地消除突发噪声和连续噪声,而且运算速度的处理能力都是目前最大的,通过在可控震源施工中,取得了良好的效果。 展开更多
关键词 相关叠加器 噪声 控制 地震勘探
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基于超低延迟SSD的页交换机制关键技术 被引量:1
17
作者 王紫芮 蒋德钧 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2024年第3期557-570,共14页
随着内存密集型应用的快速发展,应用对单机内存容量的需求日益增大.然而,受到颗粒密度的限制,内存容量的扩展度较低.页交换机制是进行内存扩展的经典技术,该机制通过将较少使用的内存页面暂存在存储设备,以达到扩展内存的目的.过去页交... 随着内存密集型应用的快速发展,应用对单机内存容量的需求日益增大.然而,受到颗粒密度的限制,内存容量的扩展度较低.页交换机制是进行内存扩展的经典技术,该机制通过将较少使用的内存页面暂存在存储设备,以达到扩展内存的目的.过去页交换机制由于慢速磁盘的读写速度限制,无法被广泛应用.近年来,得益于超低延迟固态硬盘(solid state drive,SSD)的快速发展,页交换机制可以利用其低延迟的读写特性,提升页交换效率.然而,在低I/O延迟的情况下,传统页交换机制的I/O栈存在巨大的软件开销.首先对使用超低延迟SSD的Linux页交换机制进行测试与分析,发现现有页交换机制的主要瓶颈在于发送请求时存在队头阻塞问题、I/O合并和调度开销,以及内核返回路径上的中断处理和直接内存回收开销.基于分析结果,提出基于超低延迟SSD的页交换机制Ultraswap.Ultraswap在Linux I/O栈的基础上增加对轮询请求的处理,并降低I/O合并与调度开销,实现轻量级的I/O栈.基于Ultraswap的I/O栈,对内核页交换机制的换入与换出路径进一步优化.通过优化对缺页、直接内存回收的处理,降低页交换机制关键路径上的时间开销.实验结果表明Ultraswap在应用测试场景下相比Linux页交换机制能够提升19%的平均性能;在可使用内存比例为20%的情况下,Ultraswap可达到33%的性能提升. 展开更多
关键词 页交换 I/o 超低延迟SSD 轮询 NVMe SSD
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闪存存储系统综述 被引量:54
18
作者 陆游游 舒继武 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2013年第1期49-59,共11页
闪存因其低延迟、高并发、低能耗、体积小等特点受到了广泛关注.首先讨论了简单利用闪存固态盘替换传统磁盘的方式隐藏了闪存特性,限制了软件系统对闪存特性充分利用的不足.然后,分析并比较了现有包括闪存加速卡、闪存阵列、基于闪存的... 闪存因其低延迟、高并发、低能耗、体积小等特点受到了广泛关注.首先讨论了简单利用闪存固态盘替换传统磁盘的方式隐藏了闪存特性,限制了软件系统对闪存特性充分利用的不足.然后,分析并比较了现有包括闪存加速卡、闪存阵列、基于闪存的分布式集群系统等基于存储介质直接构建的闪存存储系统的特点,归纳了其通过改变硬件接口、调整软件或控制器管理模块、匹配处理器与I/O处理能力等方式实现系统低延迟、高可靠、低能耗等特性的优化方法.然后重点讨论了闪存存储系统3个方面的关键技术:基于I/O栈调整与重构的存储性能优化、系统级可靠性、体积与能耗.最后总结了闪存存储系统的现状与特点,并指出未来可能的研究方向. 展开更多
关键词 闪存 存储系统 I o 可靠性 节能
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基于冲突检测的高吞吐NVM存储系统 被引量:3
19
作者 蔡涛 王杰 +2 位作者 牛德姣 刘佩瑶 陈福丽 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 2020年第2期257-268,共12页
非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)是解决计算机系统存储墙问题的有效手段,但现有的I/O栈缺乏相应的适应和优化机制,特别是基于文件系统的锁机制是影响NVM存储系统性能的重要因素.将存储系统访问请求的管理嵌入到存储设备中,利用... 非易失性存储器(non-volatile memory,NVM)是解决计算机系统存储墙问题的有效手段,但现有的I/O栈缺乏相应的适应和优化机制,特别是基于文件系统的锁机制是影响NVM存储系统性能的重要因素.将存储系统访问请求的管理嵌入到存储设备中,利用NVM存储设备自主管理访问请求,使用基于冲突检测的方法代替基于文件系统的现有锁机制,提高操作系统执行访问请求的并发度,缓解设备接口带来的瓶颈问题.给出了高吞吐NVM存储系统的结构,设计了一种基于二维链表的访问请求管理方法减少访问请求管理中的冲突,一种基于冲突检测的访问请求调度算法用于管理NVM存储设备中共享的访问请求,并给出了新访问请求提交和已有访问请求释放流程,并基于Intel的开源NVM存储设备模拟器PMEM实现了HTPM的原型系统,使用Filebench中的多种负载和Fio测试了HTPM的吞吐率和I/O性能,实验结果表明:HTPM相比PMEM最大能提高31.9%的IOPS值和21.4%的I/O性能. 展开更多
关键词 NVM存储系统 NVM存储设备 I/o 存储系统 操作系统
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支持高并发访问的新型NVM存储系统 被引量:2
20
作者 蔡涛 陈志鹏 +2 位作者 牛德姣 王杰 詹毕晟 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2019年第1期51-56,共6页
I/O系统软件栈是影响NVM存储系统性能的重要因素。针对NVM存储系统的读写速度不均衡、写寿命有限等问题,设计了同异步融合的访问请求管理策略;在使用异步策略管理数据量较大的写操作的同时,仍然使用同步策略管理读请求和少量数据的写请... I/O系统软件栈是影响NVM存储系统性能的重要因素。针对NVM存储系统的读写速度不均衡、写寿命有限等问题,设计了同异步融合的访问请求管理策略;在使用异步策略管理数据量较大的写操作的同时,仍然使用同步策略管理读请求和少量数据的写请求。针对多核处理器环境下不同计算核心访问存储系统时地址转换开销大的问题,设计了面向多核处理器地址转换缓存策略,减少地址转换的时间开销。最后实现了支持高并发访问NVM存储系统(CNVMS)的原型,并使用通用测试工具进行了随机读写、顺序读写、混合读写和实际应用负载的测试。实验结果表明,与PMBD相比,所提策略能提高1%~22%的读写速度和9%~15%的IOPS,验证了CNVMS策略能有效提高NVM存储系统的I/O性能和访问请求处理速度。 展开更多
关键词 NVM 存储系统 I/o系统软件栈
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