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全银体系国产化LTCC基板工艺的关键技术 被引量：2
1
作者 马涛 张鹏飞 李靖巍 《电子工艺技术》 2025年第2期19-23,共5页
研究了全银体系国产化LTCC基板的填孔、烧结及化学镀镍钯金工艺。分析了浆料性能和掩模版参数对填孔工艺质量的影响,探讨了基板烧结平整性与收缩一致性的控制方案,并剖析了化学镀镍钯金工艺的影响因素。研究表明,填孔浆料的收缩率、触... 研究了全银体系国产化LTCC基板的填孔、烧结及化学镀镍钯金工艺。分析了浆料性能和掩模版参数对填孔工艺质量的影响,探讨了基板烧结平整性与收缩一致性的控制方案,并剖析了化学镀镍钯金工艺的影响因素。研究表明,填孔浆料的收缩率、触变性能以及掩模版的厚度和孔径均会显著影响填孔工艺质量;导体浆料的烧结收缩率、基板烧结温度及等静压工艺则直接关系基板的平整性和收缩一致性;LTCC材料特性及化学镀镍钯金工艺对表层金属化质量产生重要影响。 展开更多
关键词 银浆 LTCC 填孔 烧结 化学镀镍钯金
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以镍代银的空气烧结镍导体浆料 被引量：4
2
作者 谭富彬 赵玲 +3 位作者 王昆福 张振中 黄富春 李茜 《贵金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期22-25,共4页
介绍了空气烧结镍浆的制备 ,比较两种不同制备方法获得的镍浆性能及连续工作寿命。在直流等离子显示板中宜使用化学法制备的镍浆 ,而且可代银电极。
关键词 镍浆 银浆 镍导体 烧结 粉末冶金 化学法 显示器
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烧成工艺制度对无铅银导体浆料性能的影响 被引量：3
3
作者 李黎瑛 张振忠 +2 位作者 赵芳霞 江成军 陈西 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期5-9,共5页
以直流电弧等离子体法自制的超细银粉为原料,固定浆料配比及制备工艺,通过改变浆料烧成工艺制度,结合扫描电子显微镜(SEM)、差热分析(DSC)等分析手段,系统研究了烧成峰值温度和保温时间对最终烧成厚膜导体性能的影响。结果表明,随着烧... 以直流电弧等离子体法自制的超细银粉为原料,固定浆料配比及制备工艺,通过改变浆料烧成工艺制度,结合扫描电子显微镜(SEM)、差热分析(DSC)等分析手段,系统研究了烧成峰值温度和保温时间对最终烧成厚膜导体性能的影响。结果表明,随着烧成峰值温度升高,保温时间延长,导体膜层方阻先减小,后增大;可焊性、耐焊性也具有先变好后变差的趋势。推荐较好的烧成工艺制度为:烧成峰值温度为850℃,保温20 min。 展开更多
关键词 金属材料 超细银粉 厚膜导体浆料 烧成工艺 性能
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基于ENEPIG镀层的无压纳米银膏烧结失效分析 被引量：1
4
作者 徐达 戎子龙 +2 位作者 杨彦锋 魏少伟 马紫成 《电子与封装》 2024年第4期20-24,共5页
总结了在化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层上采用纳米银膏进行无压烧结时出现的失效模式。通过分析烧结镀层的微观形貌及力学性能,确认界面污染、烧结不充分及镀层缺陷是导致烧结失效的主要原因。应特别关注镍原子向镀层表面扩散导致的烧结失... 总结了在化学镍钯浸金(ENEPIG)镀层上采用纳米银膏进行无压烧结时出现的失效模式。通过分析烧结镀层的微观形貌及力学性能,确认界面污染、烧结不充分及镀层缺陷是导致烧结失效的主要原因。应特别关注镍原子向镀层表面扩散导致的烧结失效风险。为保证烧结质量的稳定性和可靠性,需要充分重视界面的洁净度,对芯片、基板的存储条件和存储寿命实施严格管控,还需要优化烧结曲线,充分考虑溶剂释出所需时间、烧结峰值温度及其停留时间、降温速率等因素。研究结果为纳米银膏的无压烧结研究提供了新的理论参考。 展开更多
关键词 封装可靠性 烧结失效 纳米银膏 化学镍钯浸金镀层
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高温钎料焊膏研究进展 被引量：10
5
作者 戎万 操齐高 +3 位作者 郑晶 孟晗琪 姜婷 郑博瀚 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2020年第S01期43-47,共5页
针对高温钎料使用便利性的需求,综述了高温钎料焊膏的相关研究现状。介绍了焊膏各组分在焊膏制备和钎焊中的作用,阐述了镍基、铜基、银基、钛基和金基五种常用高温钎料及其焊膏的应用与发展趋势,为高性能高温钎料焊膏的开发提供了参考。
关键词 焊膏 镍基钎料 铜基钎料 银基钎料
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无压烧结银-镍互连IGBT电源模块的力、热和电性能 被引量：1
6
作者 王美玉 梅云辉 +1 位作者 李欣 郝柏森 《电源学报》 CSCD 北大核心 2023年第1期195-201,共7页
作为一种应用广泛的基板金属镀层,镍在烧结过程中易发生氧化,形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难,相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺,研究了在220~300℃烧结10~60 min对烧结银-镍互连封装的I... 作为一种应用广泛的基板金属镀层,镍在烧结过程中易发生氧化,形成烧结银-镍高性能互连接头较为困难,相关研究报道较少。提出了一种多尺度银焊膏互连材料和烧结银-镍无压互连工艺,研究了在220~300℃烧结10~60 min对烧结银-镍互连封装的IGBT电源模块的力、热和电性能的影响。研究结果表明:得益于多尺度银焊膏的致密堆积烧结,在270~300℃高温烧结30~60 min时镍氧化减缓,在270℃无压烧结30 min互连的芯片抗剪切强度在40 MPa以上,热阻和静态电特性与仿真结果和IGBT芯片数据手册差异性<0.5%,表明无压烧结银-镍互连IGBT芯片具有较高的连接强度、导热和导电性能,可以满足半导体电源模块的互连封装要求。 展开更多
关键词 半导体封装 IGBT电源模块 镀镍基板 无压低温烧结银 多尺度银焊膏
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高功率型MH-Ni蓄电池技术研究 被引量：1
7
作者 吕军 刘雪省 +3 位作者 张健 樊琳 王琳霞 张兆科 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期826-830,共5页
研究了提高MH-Ni蓄电池高功率特性的几个技术手段和电解液成份对高功率MH-Ni蓄电池充电效率的影响。改进MH-Ni蓄电池正负极集流结构并配以薄长极板使用时,蓄电池内阻变小,大电流充放电性能明显提高;烧结负极比湿法拉浆负极的大电流放电... 研究了提高MH-Ni蓄电池高功率特性的几个技术手段和电解液成份对高功率MH-Ni蓄电池充电效率的影响。改进MH-Ni蓄电池正负极集流结构并配以薄长极板使用时,蓄电池内阻变小,大电流充放电性能明显提高;烧结负极比湿法拉浆负极的大电流放电性能更为优越。当采用合适的端面焊结构并配以薄长极板使用时,8AhD型MH-Ni蓄电池的内阻比普通8AhD型蓄电池的内阻降低1倍以上,维持在2.2mΩ左右,单体30A充电效率明显提高,30A放电平台提高100mV左右。随着电解液中Na+和Li+含量的提高,MH-Ni蓄电池的高温充放电效率得到改善,但低温放电性能受到限制。当控制质量比m(KOH)∶m(NaOH)∶m(LiOH·H2O)=36∶43∶6时,13AhF型高功率MH-Ni蓄电池在30℃和40℃下的3A充放电效率分别是:98.00%和95.00%;-18℃下,1C(13A)放电效率为91.00%。 展开更多
关键词 高功率MH—Ni蓄电池 烧结负极 湿法拉浆负极 端面焊 内阻 充放电效率
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镍基合金基板厚膜发热元件的铂浆烧结工艺
8
作者 李志强 雷萍 +6 位作者 尤俊衡 李廷华 韩敬美 吕茜 王浩 尚善斋 朱东来 《粉末冶金材料科学与工程》 2021年第6期507-514,共8页
采用印刷-烧结工艺在GH783合金表面制备微晶玻璃绝缘层和铂浆厚膜电阻层,制备GH783合金基板厚膜发热电路。通过SEM观察铂浆厚膜电阻层的表面与截面形貌,并测定厚膜电阻层的电阻,研究烧结温度和保温时间对电阻层微观形貌和电阻的影响,得... 采用印刷-烧结工艺在GH783合金表面制备微晶玻璃绝缘层和铂浆厚膜电阻层,制备GH783合金基板厚膜发热电路。通过SEM观察铂浆厚膜电阻层的表面与截面形貌,并测定厚膜电阻层的电阻,研究烧结温度和保温时间对电阻层微观形貌和电阻的影响,得到最佳的烧结工艺参数。测定GH783合金厚膜发热电路的电阻温度系数和升温速率。结果表明,铂浆厚膜电阻层的最佳烧结工艺参数为:烧结温度为850℃,保温时间为5 min。所得GH783合金基板厚膜发热元件的电阻温度系数精度为0.24%,从室温升温至350℃用时为4.86 s,表现出优良的发热性能。本研究结果为金属基发热元件的制备提供了设计思路和实验案例。 展开更多
关键词 厚膜发热元件 镍基高温合金 铂浆 烧结工艺 发热性能
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