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NiO@SnO_2@Zn_2TiO_4@TiO_2同轴四层纳米电缆的制备、表征及形成机理研究 被引量：7
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作者 宋超 董相廷 +1 位作者 王进贤 刘桂霞 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第20期2471-2478,共8页
采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热... 采用静电纺丝技术,通过改进实验装置,在最佳的纺丝条件下制备了[Ni(CH3COO)2+PVP]@[SnCl4+PVP]@[Zn(CH3COO)2+PVP]@[Ti(OC4H9)4+CH3COOH+PVP]前驱体复合电缆,将其进行热处理,制备出NiO@SnO2@Zn2TiO4@TiO2同轴四层纳米电缆.采用热重-差热(TG-DTA)、X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等分析技术对样品进行了表征.结果表明,所得产物为同轴四层纳米电缆,芯层为NiO,直径为35～55 nm;第二层为SnO2,厚度为30～50 nm;第三层为Zn2TiO4,厚度为25～40 nm;壳层为TiO2,厚度为40～90 nm.对同轴四层纳米电缆的形成机理进行了探讨. 展开更多
关键词 nio@sno2@zn2tio4@tio2 同轴四层纳米电缆 静电纺丝技术 形成机理
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