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Si基Sr_(1.8)Ca_(0.2)NaNb_5O_(15)薄膜的合成及光学特性研究 被引量：1
1
作者 杨丁 尹伊 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1355-1362,共8页
利用溶胶-凝胶法,在Si（001）单晶衬底上逐层生长四方钨青铜结构的Sr1.8Ca0.2NaNb5O15（SCNN）薄膜。利用X射线衍射（XRD）仪、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等技术研究了薄膜的微结构,结果表明,SCNN薄膜在厚度较小的状... 利用溶胶-凝胶法,在Si（001）单晶衬底上逐层生长四方钨青铜结构的Sr1.8Ca0.2NaNb5O15（SCNN）薄膜。利用X射线衍射（XRD）仪、扫描电子显微镜（SEM）和原子力显微镜（AFM）等技术研究了薄膜的微结构,结果表明,SCNN薄膜在厚度较小的状态下可呈现出明显的（001）择优取向,而随着厚度的增加择优取向受到抑制,颗粒尺寸增大,薄膜的多晶态的趋势增强。然后通过测量薄膜在400～780nm光谱范围内的反射率曲线,采用Sellmeier色散公式分析折射率非均匀性的影响,通过改进的单纯形法计算拟合出SCNN薄膜的折射率和厚度,其中厚度的结果利用SEM加以验证,而折射率的变化则与薄膜结晶态的变化保持一致。 展开更多
关键词 Sr1 8 CA0 2 nanb5 O15(SCNN) 铁电薄膜 择优取向 溶胶-凝胶法 单纯形法
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激光烧结Sr_(1.86)Ca_(0.14)NaNb_5O_(15)无Pb压电陶瓷 被引量：5
2
作者 杜新宇 季凌飞 蒋毅坚 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1037-1040,共4页
采用激光烧结技术,制备出相对密度为97.5%的Sr1.86Ca0.14NaNb5O15(SCNN)无Pb压电陶瓷。最佳烧结条件为:激光烧结功率密度为1.99W/mm2;激光烧结时间为60s;激光功率密度升降速率为0.50W/mm2.min。与传统炉烧SCNN陶瓷相比,激光烧结SCNN陶... 采用激光烧结技术,制备出相对密度为97.5%的Sr1.86Ca0.14NaNb5O15(SCNN)无Pb压电陶瓷。最佳烧结条件为:激光烧结功率密度为1.99W/mm2;激光烧结时间为60s;激光功率密度升降速率为0.50W/mm2.min。与传统炉烧SCNN陶瓷相比,激光烧结SCNN陶瓷室温下1MHz的介电常数κ从1312增长到1419,机电耦合系数k33从17%增长到了27%,压电常数d33从60pC/N提高到93pC/N。扫描电镜(SEM)观测发现:与传统炉烧陶瓷相比,激光烧结SCNN陶瓷的晶粒尺寸较小,气孔较少,Na挥发较少;陶瓷片的X射线衍射(XRD)分析表明,激光烧结陶瓷的晶粒具有一定程度的取向生长。 展开更多
关键词 激光烧结 Sr1.86Ca0.14nanb5O15(SCNN) 无Pb压电陶瓷 介电性能 压电性能
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