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题名一种进行环路隔离的大电流高电源抑制比LDO设计
被引量：1
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作者
张加宏
沙秩生
王泽林
刘祖韬
邹循成
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机构
南京信息工程大学集成电路学院
南京信息工程大学江苏省大气环境与装备技术协同创新中心
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出处
《电子测量技术》
北大核心
2024年第3期24-30,共7页
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基金
国家重点研发计划(2022YFB3205902,2022YFB3205903)项目资助。
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文摘
针对传统带有电荷泵、以NMOS作为功率管的LDO驱动能力低下和输出纹波偏高的问题,基于Huahong 0.35μmBCD工艺,设计了一种隔离交直流环路的大电流LDO。该LDO通过将直流环路和交流环路进行隔离,降低了对电荷泵驱动能力的需求,从而保证NMOS功率管栅极驱动电压的较低纹波并实现大电流输出。通过加入纹波电流吸收电路,增强了LDO的PSRR。结果表明,在3.41~5.5V的输入电压范围内,LDO的输出电压为3.3V,输出电流最高达到3 A,压差为110 mV。LDO在轻负载下的PSRR为:111.261dB@DC,86.9005dB@1kHz,78.9472dB@1MHz;重负载下的PSRR为:111.280dB@DC,84.1231dB@1kHz,39.2638dB@1MHz。
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关键词
nmosldo
大电流
环路隔离
高PSRR
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Keywords
NMOS LDO
high current
loop isolation
high PSRR
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分类号
TN43
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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