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板状LiNbO_3-Li_3NbO_4复合粒子的水热合成研究
1
作者 杨长安 朱建锋 王芬 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2015年第4期56-59,共4页
以板状K4Nb6O17为前驱体,LiOH为Li源,采用水热与热处理两步过程法合成了LiNbO3-Li3NbO4复合粒子.通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、热重-差热对样品进行了表征,研究了水热反应中碱浓度与热处理温度等对LiNbO3-Li3NbO4复合粒子晶体... 以板状K4Nb6O17为前驱体,LiOH为Li源,采用水热与热处理两步过程法合成了LiNbO3-Li3NbO4复合粒子.通过X射线衍射、场发射扫描电子显微镜、热重-差热对样品进行了表征,研究了水热反应中碱浓度与热处理温度等对LiNbO3-Li3NbO4复合粒子晶体结构和形貌的影响.实验结果表明,随着反应体系中LiOH浓度的升高,Li3NbO4样品的结晶性提高,随着热处理温度的升高,Li3NbO4与LiNbO3复合相的结晶性增强. 展开更多
关键词 LInbo3 Li3nbo4 复合相 水热
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闪烧法制备La2O3掺杂NaNbO3陶瓷及其介电性能
2
作者 蒲永平 宁亚婷 +4 位作者 史瑞科 李经纬 杨梦蝶 王雯 郭旭 《陕西科技大学学报》 CAS 2020年第5期114-119,共6页
采用闪烧法制备La2O3掺杂NaNbO3陶瓷(NLN).在施加电场为120 V/cm、140 V/cm、160 V/cm,预设电流密度为70 mA/mm^2,烧结温度为950℃的条件下,保温30 s制备出致密NLN陶瓷.研究了电场强度对闪烧NLN陶瓷样品孕育时间的影响.实验结果表明,随... 采用闪烧法制备La2O3掺杂NaNbO3陶瓷(NLN).在施加电场为120 V/cm、140 V/cm、160 V/cm,预设电流密度为70 mA/mm^2,烧结温度为950℃的条件下,保温30 s制备出致密NLN陶瓷.研究了电场强度对闪烧NLN陶瓷样品孕育时间的影响.实验结果表明,随着初始外加电场的提高,闪烧过程中的孕育时间明显下降.对闪烧制备的陶瓷样品进行物相结构分析,结果显示所制备陶瓷均为纯相,无杂相生成.铁电及介电温谱相关测试表明,在室温下Na0.85La0.05NbO3陶瓷样品为反铁电相与铁电相共存,Na0.7La0.1NbO3样品为铁电相与顺电相共存. 展开更多
关键词 Na0.85La0.05nbo3 Na0.7La0.1nbo3 闪烧 介电性能
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(Na_(0．5)K_(0．5))NbO_3基无铅压电陶瓷的研究进展 被引量：18
3
作者 杜红亮 李智敏 +2 位作者 周万城 屈绍波 裴志斌 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1281-1291,共11页
由于钙钛矿结构无铅压电陶瓷具有高的压电性能,已成为无铅压电陶瓷研究的热点．本文综述了钙钛矿结构无铅压电陶瓷(Na_(0．5)K_(0.5))NbO_3的研究进展和趋势．重点从添加第二组元、添加助烧剂、取代改性和制备方法四个方面,归纳和分析了... 由于钙钛矿结构无铅压电陶瓷具有高的压电性能,已成为无铅压电陶瓷研究的热点．本文综述了钙钛矿结构无铅压电陶瓷(Na_(0．5)K_(0.5))NbO_3的研究进展和趋势．重点从添加第二组元、添加助烧剂、取代改性和制备方法四个方面,归纳和分析了(Na_(0．5)K_(0．5))NbO_3基无铅压电陶瓷的研究开发进展,并对(Na_(0.5)K_(0．5))NbO_3基无铅压电陶瓷今后的研究和发展提出一些建议． 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 钙钛矿结构 压电材料 (Na0. 5K0.5)nbo3
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制备工艺对织构化0.94(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3-0.06LiNbO_3无铅压电陶瓷结构及性能的影响 被引量：1
4
作者 李鸿鹏 刘云飞 +2 位作者 吕忆农 吴键 张国防 《南京工业大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2013年第1期41-46,共6页
采用两步法烧结工艺制备高织构化的0.94(Na0.5K0.5)NbO3-0.06LiNbO3(简称为KNLN6)无铅压电陶瓷。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、铁电测试系统和准静态分析仪研究制备工艺对织构化KNLN6陶瓷显微结构和铁电压电性能的影响,并... 采用两步法烧结工艺制备高织构化的0.94(Na0.5K0.5)NbO3-0.06LiNbO3(简称为KNLN6)无铅压电陶瓷。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、铁电测试系统和准静态分析仪研究制备工艺对织构化KNLN6陶瓷显微结构和铁电压电性能的影响,并确定最佳的极化工艺。结果表明:随着第一步烧结温度的提高,织构化KNLN6压电陶瓷有序度逐渐提高,晶粒尺寸逐渐变大,矫顽场(Ec)逐渐降低,剩余极化强度(Pr)先增加后降低。当极化条件为极化电压25 kV/cm、极化温度80℃、极化时间15 min时,在1 180℃保温5 min,然后在1 000℃保温10 h的高织构化KNLN6陶瓷的压电常数(d33)达到282 pC/N,较之前文献报导提高20%。 展开更多
关键词 0 94(Na0 5K0 5)nbo3-0 06Linbo3 织构化 压电性能 极化条件
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(K_(0．5)Na_(0．5))NbO_3-LiNbO_3无铅压电陶瓷的烧结特性和压电性能研究 被引量：19
5
作者 唐福生 杜红亮 +2 位作者 刘代军 罗发 周万城 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期323-327,共5页
采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0．5Na0．5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征．制备的(K0．5Na0．5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钛矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变... 采用传统陶瓷烧结工艺制备了(1-x)(K0．5Na0．5)NbO3-xLiNbO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的结构、烧结特性及电性能特征．制备的(K0．5Na0．5)NbO3-LiNbO3陶瓷为单一的钙钛矿结构,室温下其相结构随LiNbO3含量增加逐渐由正交相向四方相转变,显微结构也由于LiNbO3含量的不同而表现出很大差异．与(K0．5Na0 5)NbO3陶瓷相比,(K0．5Na0．5)NbO3-LiNbO3陶瓷的烧结温度降低,烧结特性得到改善．(K0．5Na0．5)NbO3-LiNbO3陶瓷表现出优越的压电性能,其中0．94(K0．5Na0．5)NbO3-0．06LiNbO3(x=0．06)陶瓷的压电常数d33达到205pC／N,机电耦合系数kp为40．3％,kt达到49．8％． 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 压电性能 (K0.5Na0.5)nbo3-Linbo3 钙钦矿结构
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K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3无铅压电陶瓷的烧结特性 被引量：6
6
作者 朱孔军 孟兆磊 +2 位作者 裘进浩 王道利 赵淳生 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期132-137,共6页
为了制备高性能无铅压电陶瓷,采用固相合成法和水热法合成了(KxNa1-x)NbO3(KNN)无铅压电陶瓷粉体。利用压制成型法在不同压力下成型,对不同粉体的烧结性能进行了对比,研究了粘结剂(PVA)添加量和陶瓷密度之间的关系,测量了用不同电压极... 为了制备高性能无铅压电陶瓷,采用固相合成法和水热法合成了(KxNa1-x)NbO3(KNN)无铅压电陶瓷粉体。利用压制成型法在不同压力下成型,对不同粉体的烧结性能进行了对比,研究了粘结剂(PVA)添加量和陶瓷密度之间的关系,测量了用不同电压极化后陶瓷的压电特性,以及介电常数与温度之间的关系。结果表明:与固相合成法相比,水热合成的粉体有更好的烧结性,添加K会降低陶瓷的烧结性,陶瓷的密度对烧结温度非常敏感。1 050℃保温2 h得到的K0.5Na0.5NbO3陶瓷具有较高的压电常数d33(90 pC/N),该陶瓷的居里温度为410℃。 展开更多
关键词 (K Na)nbo3 无铅压电陶瓷 水热法 烧结特性
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Ag^+掺杂Na_(0.5)K_(0.5)NbO_3无铅压电陶瓷的无压烧结及性能研究 被引量：11
7
作者 张利民 张波萍 +2 位作者 李敬锋 丁晓年 张海龙 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期509-512,共4页
铅基压电陶瓷在制备、使用及废弃处理过程中都会造成环境污染,随着环保意识的增强,无铅压电陶瓷必将逐步替代铅基压电陶瓷。Na0.5K0.5NbO3是一种很有潜力的无铅压电陶瓷,掺杂各种元素提升Na0.5K0.5NbO3陶瓷的压电性能成为当今研究热点... 铅基压电陶瓷在制备、使用及废弃处理过程中都会造成环境污染,随着环保意识的增强,无铅压电陶瓷必将逐步替代铅基压电陶瓷。Na0.5K0.5NbO3是一种很有潜力的无铅压电陶瓷,掺杂各种元素提升Na0.5K0.5NbO3陶瓷的压电性能成为当今研究热点之一。本研究以Ag2O、Na2CO3、K2CO3、Nb2O5为原料,经750℃焙烧分别合成了Na0.5K0.5NbO3和AgNbO3粉料,再经配料、混料与成型,在1060℃埋粉烧结,制备出Ag+掺杂的Na0.5K0.5NbO3无铅压电陶瓷(xAgNbO3-(1-x)Na0.5K0.5NbO3,ANKN),并在较宽成分范围内(Ag+含量,x=0～50at%)系统研究了Ag+掺杂对ANKN陶瓷性能的影响。XRD结果表明,ANKN陶瓷的主相为钙钛矿型结构,当x>16at%,开始出现K5.75Nb10.85O30杂相,随着Ag掺杂量的增加,杂相的衍射峰增强。电学性能测试结果表明,当x<20at%,随Ag掺杂量的增加ANKN陶瓷的压电常数、介电常数等略有升高;当x>20at%,ANKN陶瓷的各项性能均开始降低;Ag掺加量为x=16at%时ANKN陶瓷性能最佳,压电常数d33达到110pC/N,平面机电耦合系数kp为30%,相对介电常数εr为358,居里温度Tc为300℃。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷Na0.5K0.5nbo3 Ag^+掺杂 压电性能
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织构化K0.5Na0.5NbO3无铅压电陶瓷的性能研究 被引量：11
8
作者 刘虎 李月明 +2 位作者 沈宗洋 王竹梅 李润润 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期445-449,共5页
以分析纯Na2CO3、Bi2O3和Nb2O5为原料,以NaCl为熔盐,采用二次熔盐法和拓扑化学反应法合成各向异性片状NaNbO3粉体。以该片状NaNbO3粉体为模板晶粒,以固相法合成的NaNbO3和KNbO3粉体为基料,采用流延工艺制备出较高取向度的织构化K0.5Na0.... 以分析纯Na2CO3、Bi2O3和Nb2O5为原料,以NaCl为熔盐,采用二次熔盐法和拓扑化学反应法合成各向异性片状NaNbO3粉体。以该片状NaNbO3粉体为模板晶粒,以固相法合成的NaNbO3和KNbO3粉体为基料,采用流延工艺制备出较高取向度的织构化K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,系统研究了模板含量、烧结温度和保温时间等工艺参数对织构化KNN陶瓷显微结构和压电性能的影响规律。研究结果表明:随着模板含量的增加,陶瓷的取向度逐渐增加,当模板含量为15 wt%时,陶瓷的取向度可达0.69,当模板含量为10 wt%,1100℃下保温5 h烧结,可以获得具有一定织构度(f=0.58)的KNN陶瓷,并表现出优异的压电性能,d33=128 pC/N。 展开更多
关键词 Na0.5K0.5nbo3 无铅压电陶瓷 织构化陶瓷 反应模板晶粒生长
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水热-溶剂热法合成(K,Na)NbO_3无铅压电陶瓷及其性能测试 被引量：6
9
作者 朱孔军 苏礼奎 +4 位作者 季宏丽 裘进浩 柏林 柳泽河道 梶芳浩二 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1159-1163,共5页
通过添加异丙醇利用水热溶剂热法合成了(K,Na)NbO3无铅压电陶瓷粉体.研究了矿化剂浓度、反应物浓度对产物晶相、粒径大小、形貌以及化学组成等的影响.利用X射线衍射仪、傅立叶变换红外吸收光谱以及扫描电子显微镜对所得粉体进行了表征.... 通过添加异丙醇利用水热溶剂热法合成了(K,Na)NbO3无铅压电陶瓷粉体.研究了矿化剂浓度、反应物浓度对产物晶相、粒径大小、形貌以及化学组成等的影响.利用X射线衍射仪、傅立叶变换红外吸收光谱以及扫描电子显微镜对所得粉体进行了表征.随后,利用合成的(K,Na)NbO3无铅压电陶瓷粉体,按照传统固相烧结工艺烧制压电陶瓷,并研究了其压电性能.实验结果表明:通过添加异丙醇有机溶剂,可以在矿化剂浓度为2mol/L的条件下合成出纯钙钛矿结构的(K,Na)NbO3粉体.随着反应溶液中K离子含量的增加,产物中离子K的含量也在增加.组成为K0.22Na0.78NbO3样品的压电常数d33高达120 pC/N,与传统固相合成法获得的(K0.5,Na0.5)NbO3常压烧结得到的陶瓷性能相当.由此可预见利用水热溶剂热法合成的(K0.5,Na0.5)NbO3粉体烧结的陶瓷可获得更高的电学性能. 展开更多
关键词 (K Na)nbo3 水热-溶剂热法 异丙醇 压电性能 无铅
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(1-x)K0.5Na0.5NbO3-xBi(Mg0.5Ti0.5)O3无铅弛豫铁电陶瓷的介电、铁电和高储能行为 被引量：6
10
作者 杜金花 李雍 +2 位作者 孙宁宁 赵烨 郝喜红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第12期154-165,共12页
利用传统固相法制备了(1–x)K0.5Na0.5NbO3-xBi(Mg0.5Ti0.5)O3(简写:(1–x)KNN-x BMT,x=0.05,0.10,0.15,0.20)无铅弛豫铁电陶瓷,并对其相结构、微观形貌、介电特性与储能行为进行了系统的研究.研究结果表明,随着BMT含量的增加,(1–x)KNN... 利用传统固相法制备了(1–x)K0.5Na0.5NbO3-xBi(Mg0.5Ti0.5)O3(简写:(1–x)KNN-x BMT,x=0.05,0.10,0.15,0.20)无铅弛豫铁电陶瓷,并对其相结构、微观形貌、介电特性与储能行为进行了系统的研究.研究结果表明,随着BMT含量的增加,(1–x)KNN-x BMT陶瓷由正常铁电体逐渐转变为弛豫铁电体,表现出强烈的弥散相变特征,其最大极化强度Pmax随之逐渐降低.当x=0.15时,陶瓷具有最大的击穿电场,为275 kV·cm^–1.采用间接方式对(1–x)KNN-x BMT陶瓷的储能性能进行计算,发现当BMT的含量为x=0.15时,可获得最佳的储能性能:当场强为275 kV·cm^–1时,可释放储能密度Wrec为2.25 J·cm^–3,储能效率h高达84%.鉴于实际应用的需求,对各组分陶瓷进行直接测试,结果表明随掺杂量的增加,储能密度Wdis呈现先增大后减小的变化趋势,当x=0.15时,储能密度为1.54 J·cm^–3,放电时间仅为88 ns.另外,该材料在1—50 Hz范围内具有良好的频率稳定性,在25—125℃范围内具有良好的温度稳定性,储能密度的变化量低于8%.该研究表明KNN-BMT陶瓷在环境友好高储能密度电容器领域具有广阔的应用前景. 展开更多
关键词 K0.5Na0.5nbo3基 储能性能 无铅 弛豫铁电 直接测试
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近紫外激发Sm^(3+)与Sr^(2+),Ba^(2+),Bi^(3+)共掺杂的La_(1/3)NbO^3的发光性质 被引量：5
11
作者 杜燕燕 黄科科 +4 位作者 张佳旗 王楚楚 初学峰 侯长民 冯守华 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期509-513,共5页
通过高温固相反应合成了La1/3NbO3∶Sm3+荧光粉.样品的荧光光谱表明,La1/3NbO3∶Sm3+荧光粉最强的激发带在406 nm,对应于Sm3+的6H5/2→4K11/2跃迁,属于近紫外区(365～410 nm).当激发波长为406nm时,样品的最强发射峰位于596 nm,是由Sm3+... 通过高温固相反应合成了La1/3NbO3∶Sm3+荧光粉.样品的荧光光谱表明,La1/3NbO3∶Sm3+荧光粉最强的激发带在406 nm,对应于Sm3+的6H5/2→4K11/2跃迁,属于近紫外区(365～410 nm).当激发波长为406nm时,样品的最强发射峰位于596 nm,是由Sm3+的4G5/2→6H7/2跃迁而产生的.因此,La1/3NbO3∶Sm3+可以作为基于近紫外激发的白光发光二极管(LED)的红光材料.而且,La位共掺杂Sr2+,Ba2+和Bi3+使样品的荧光强度大大增加,在最佳掺杂浓度时的量子产率分别为5.4%,7.5%和5.3%. 展开更多
关键词 荧光光谱 白光发光二极管(LED) 固态照明 电荷补偿剂 LA1 3nbo3
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Na0.5K0.5NbO3无铅压电陶瓷放电等离子烧结的制备工艺 被引量：5
12
作者 张利民 张波萍 +2 位作者 李敬锋 张海龙 王轲 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z2期994-997,共4页
由于Na,K在高温下容易挥发,因而采用普通陶瓷烧结工艺难以得到致密的碱金属铌酸盐系陶瓷,只能通过热压烧结制备高密度的铌酸钾钠(NaNbO3-KNbO3)系无铅压电陶瓷.本研究采用放电等离子烧结(SparkPlasma Sintering,SPS)技术,通过配料、研... 由于Na,K在高温下容易挥发,因而采用普通陶瓷烧结工艺难以得到致密的碱金属铌酸盐系陶瓷,只能通过热压烧结制备高密度的铌酸钾钠(NaNbO3-KNbO3)系无铅压电陶瓷.本研究采用放电等离子烧结(SparkPlasma Sintering,SPS)技术,通过配料、研磨混料、焙烧、SPS烧结、退火工艺后,制备出白色略带黄色的Na0.5K0.5NbO3压电陶瓷试样.在烧结过程中,没有观察到明显的碱挥发,试样密度随烧结温度的增加而增大,860℃以上温度烧结时,试样的密度达到4.22g/cm3(为理论密度的92%).采用分步极化方法对试样进行极化,即先在高温下用低电压极化,再在低温下用高电压极化,极化后样品的压电常数d33为37pC/N～49pC/N. 展开更多
关键词 Na0.5K0.5nbo3 无铅压电陶瓷 放电等离子烧结(SPS)
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无铅压电陶瓷K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-BiFeO_3的烧结工艺与压电性能研究 被引量：2
13
作者 江民红 陈何欣 +2 位作者 刘心宇 杨理清 周昌荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1178-1182,共5页
采用传统常压固相烧结工艺制备了掺杂0.8at%BiFeO3(BF)的K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,着重研究了烧结温度与保温时间对陶瓷的晶体结构、相转变、致密度与压电、介电性能的影响.研究结果表明,所有陶瓷样品都为单一的钙钛矿结构,烧结... 采用传统常压固相烧结工艺制备了掺杂0.8at%BiFeO3(BF)的K0.5Na0.5NbO3(KNN)无铅压电陶瓷,着重研究了烧结温度与保温时间对陶瓷的晶体结构、相转变、致密度与压电、介电性能的影响.研究结果表明,所有陶瓷样品都为单一的钙钛矿结构,烧结温度与保温时间对陶瓷样品的室温晶体结构与相转变温度几乎没有影响,但对陶瓷的表面形貌、密度和压电性能有较大的影响.当保温时间为3h,在1100℃至1150℃范围内,随烧结温度的升高,陶瓷的压电常数d33、平面机电耦合系数Kp及机械品质因数Qm均一直升高,介电损耗tanδ则显著降低.当烧结温度为1150℃时,随保温时间的增加,陶瓷的压电性能先显著提高后基本保持不变.1150℃保温2h烧结的陶瓷获得良好的性能:密度ρ=4.50g/cm3(致密度为95.63%),d33=132pC/N,Kp=45%,Qm=333.73,tanδ=2.39%. 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 K0.5NA0.5nbo3 烧结温度 压电性能
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铋掺杂对(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3无铅压电陶瓷性能的影响 被引量：2
14
作者 刘代军 杜红亮 +3 位作者 唐福生 罗发 周万城 屈绍波 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期452-455,共4页
采用传统陶瓷工艺制备了掺铋(Na0.5K0.5)NbO3(NKN)无铅压电致密陶瓷,研究了Bi2O3对(Na0.5K0.5)NbO3晶体结构和压电性能的影响。结果表明:当Bi2O3含量小于0.7%(质量分数,下同)时,能得到具有纯钙钛矿结构的NKN基陶瓷,其烧结温度随着Bi2O3... 采用传统陶瓷工艺制备了掺铋(Na0.5K0.5)NbO3(NKN)无铅压电致密陶瓷,研究了Bi2O3对(Na0.5K0.5)NbO3晶体结构和压电性能的影响。结果表明:当Bi2O3含量小于0.7%(质量分数,下同)时,能得到具有纯钙钛矿结构的NKN基陶瓷,其烧结温度随着Bi2O3掺杂量的增加而升高,试样密度与纯NKN陶瓷相比有显著提高。(Na0.5K0.5)NbO3压电常数d33,机电耦合系数kp、kt随Bi2O3含量的增加先升高而后降低,并在x=0.5%时达到最大值,而且机械品质因子Qm大大提高。当Bi2O3掺杂量为0.5%时,(Na0.5K0.5)NbO3无铅压电陶的密度达4.46g/cm3,表现出优异的压电性能,d33=138pC/N,kp=46%,kt=44%,tanδ=2.9%,εr=466和Qm=167。 展开更多
关键词 (Na0.5K0.5)nbo3 无铅压电陶瓷 压电性能 BI2O3
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铜掺杂对(Na_(0.5)K_(0.5))NbO_3无铅压电陶瓷性能的影响 被引量：6
15
作者 胡晓萍 刘晓东 +2 位作者 曾敏 李龙珠 江向平 《陶瓷学报》 CAS 2005年第4期235-238,共4页
采用传统固相反应法对(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷进行铜掺杂改性研究。使用SEM、XRD并结合常规压电陶瓷性能测试手段对该体系的显微结构、压电性能等进行表征。研究结果表明:CuO的掺入使材料出现“硬化”现象,即材料的压电系数d33、平面... 采用传统固相反应法对(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷进行铜掺杂改性研究。使用SEM、XRD并结合常规压电陶瓷性能测试手段对该体系的显微结构、压电性能等进行表征。研究结果表明:CuO的掺入使材料出现“硬化”现象,即材料的压电系数d33、平面机电耦合系数Kp和介电损耗tanδ下降了,机械品质因子Qm大大提高;CuO掺入量在1%mol时各项性能最佳。另外,从SEM图片中可以看出:(Na0.5K0.5)NbO3压电陶瓷材料的平均晶粒尺寸随着CuO掺入量的增加明显变大。这表明CuO有烧结助熔作用,能降低烧成温度。 展开更多
关键词 铜掺杂 (Na0.5K0.5)nbo3 无铅压电陶瓷
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NbO电解电容器的结构及制造工艺新进展 被引量：1
16
作者 李勃 陈立钦 +2 位作者 臧涛 郭海 周济 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第12期74-77,共4页
较之钽电解电容器,NbO电解电容器电性能更好且价格较低。介绍了NbO电解电容器的结构和制造工艺。从材料及器件制备工艺两方面综述了国内外最近关于NbO电解电容器的研究新进展:通过镁蒸气两步还原法制备流动性较好的NbO粉体;对NbO粉进行... 较之钽电解电容器,NbO电解电容器电性能更好且价格较低。介绍了NbO电解电容器的结构和制造工艺。从材料及器件制备工艺两方面综述了国内外最近关于NbO电解电容器的研究新进展:通过镁蒸气两步还原法制备流动性较好的NbO粉体;对NbO粉进行掺杂和改性处理;在石墨层和银层中加入导电聚合物层,改善漏电流性能。最后对NbO电解电容器的前景进行了展望。 展开更多
关键词 nbo电解电容器 低价铌氧化物 综述 结构 制造工艺
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锂离子电池正极材料Li_(2+2x)Ti_(1-x)Cu_x(NbO_4)_2的研究 被引量：6
17
作者 张玉荣 王文继 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期349-353,共5页
采用高温固相反应合成了Li2+2xTi1-xCux(NbO4)2,XRD分析表明:当x<0.8时均能得到与LiFePO4相同的橄榄石结构.电导率测定结果表明:x=0.6的合成物室温电导率最高,为1.26×10-5S/cm,且当x>0.6时合成物都表现出离子电导的特征.以x=... 采用高温固相反应合成了Li2+2xTi1-xCux(NbO4)2,XRD分析表明:当x<0.8时均能得到与LiFePO4相同的橄榄石结构.电导率测定结果表明:x=0.6的合成物室温电导率最高,为1.26×10-5S/cm,且当x>0.6时合成物都表现出离子电导的特征.以x=0.6的合成物做成的待测电极与锂片组成电池,在1mol/L的LiPF6/EC+DMC(1:1)电解液中在0.5-4.6V间以0.10mA/cm2的电流密度进行电池循环测试的结果表明,该电池的首次放电比容量高达805.8mAh/g,放电平台在对Li+/Li电对为2V附近,但其可逆性及循环性均有待改善. 展开更多
关键词 锂离子电池 正极材料 橄榄石结构 Li2+2xTi1-xCux(nbo4)2 电导率 高温固相反应
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岩浆熔体NBO/T值计算法的改进 被引量：8
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作者 袁万明 《岩石学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期72-77,共6页
本文提出了一种更切合实际的NBO/T值计算方法。挥发分对熔体结构影响较大,计算NBO/T值时必须予以考虑。岩浆岩是岩浆在演化过程中逸失大量挥发分后冷却结晶的产物,需用热力学方法计算熔体的挥发组分特别是水的含量。水主要由OH^-对NBO/... 本文提出了一种更切合实际的NBO/T值计算方法。挥发分对熔体结构影响较大,计算NBO/T值时必须予以考虑。岩浆岩是岩浆在演化过程中逸失大量挥发分后冷却结晶的产物,需用热力学方法计算熔体的挥发组分特别是水的含量。水主要由OH^-对NBO/T值产生影响,提出了计算熔体X_(OH)和相应调整其他氧化物在熔体中含量的公式。对于H_2O、F、CO_2和P_2O_5如何参加计算的问题也作了讨论。 展开更多
关键词 岩浆岩 岩浆 熔体 nbo/T值
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K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3-LiSbO_3-BiMnO_3无铅压电陶瓷的常压烧结与压电性能 被引量：2
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作者 成钧 江民红 刘心宇 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1791-1795,共5页
采用传统的无压固相烧结法工艺制备微量掺杂0.2%(摩尔分数)BiMnO3(BM)的0.95K0.5Na0.5NbO3(KNN)-0.05 LiSbO3(LS)陶瓷,并研究烧结保温时间对陶瓷的结构与压电、介电性能的影响规律。研究结果表明,随烧结保温时间的延长,陶瓷的压电常数d3... 采用传统的无压固相烧结法工艺制备微量掺杂0.2%(摩尔分数)BiMnO3(BM)的0.95K0.5Na0.5NbO3(KNN)-0.05 LiSbO3(LS)陶瓷,并研究烧结保温时间对陶瓷的结构与压电、介电性能的影响规律。研究结果表明,随烧结保温时间的延长,陶瓷的压电常数d33和机电耦合系数kp先显著升高,当保温时间为7 h时,趋于稳定,介电常数εr也随保温时间的延长而升高;机械品质因数Qm和介电损耗tanδ则一直降低。在1 100℃保温烧结9 h时,陶瓷具有最好的电性能:压电常数d33=228 pC/N,机电耦合系数kp=43%,机械品质因数Qm=55,介电损耗tanδ=0.017 8;随保温时间的延长,陶瓷的相转变温度θo-t有所降低,居里温度θc则明显升高。所有陶瓷样品在35～200℃内的介电损耗tanδ均有小于0.02。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 K0.5NA0.5nbo3 烧结 保温时间 压电性能
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LiSbO3含量对BiMnO3掺杂K(0.5)Na(0.5)NbO3陶瓷的结构与压电性能的影响研究 被引量：1
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作者 江民红 刘心宇 +3 位作者 陈国华 朱归胜 许积文 马家峰 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期321-325,共5页
采用传统陶瓷常压烧结工艺制备(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06)无铅压电陶瓷,着重研究了LS的含量对(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS陶瓷相结构和压电性能的影响。结果表明,当x≤0.02时,陶瓷具有单一的... 采用传统陶瓷常压烧结工艺制备(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS(x=0、0.01、0.02、0.03、0.04、0.05、0.06)无铅压电陶瓷,着重研究了LS的含量对(0.996–x)KNN-0.004BM-xLS陶瓷相结构和压电性能的影响。结果表明,当x≤0.02时,陶瓷具有单一的正交相结构;当0.03≤x≤0.05时,陶瓷具有正交相与四方相共存的过渡结构;当x=0.06时,陶瓷具有单一的四方相结构。陶瓷的MPB成分范围在0.03≤x≤0.05。随着LS含量的增加,陶瓷材料的d33和kp均先增加后减小,当x=0.05时,均达到最大值,分别为230 pC/N和0.42;陶瓷的To-t和Tc均向低温方向移动;当x=0时,陶瓷的To-t和Tc分别为455和215℃;当x=0.02时,陶瓷的To-t和Tc分别为385和150℃;当x=0.06时,To-t和Tc分别降至370℃和75℃。 展开更多
关键词 无铅压电陶瓷 K0 5Na0 5nbo3 BiMnO3 LiSbO3 压电性能
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